NUEE 名古屋大学 工学部電気電子情報工学科(電気電子工学コース)Department of Electrical, Electronic Engineering and Information Engineering (Electrical and Electronic Engineering Course) School of Engineering, Nagoya University.大学院工学研究科電子情報システム専攻Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University

工学部・工学研究科は平成29年度より組織改編されました。このページは組織改編後のページになります 。
・平成28年度以前に入学された方は「こちら」をご覧ください。

NEWS
2023
001

人事異動

【退職(3月31日付け)】
  • 堀 勝 教授(定年退職)
  • 能勢 正仁 准教授(名古屋市立大学へ転出)
  • 大田 晃生 助教(福岡大学へ転出)
  • 宮田 玲 助教(東京大学へ転出)
【採用(4月1日付け)】
  • 堀出 朋哉 准教授(電気工学専攻)
  • 大塚 雄一 准教授(電気工学専攻)
【昇任(4月1日付け)】
  • 堤 隆嘉 講師(電子工学専攻)
  • 岩田 哲 教授(情報・通信工学専攻)
2022
013

人事異動

【採用(3月1日付け)】
  • 井田 大貴 講師(電子工学専攻)
2022
012

堀 勝 教授(電子工学専攻)(低温プラズマ科学研究センター長)が、令和4年秋(11月3日)の紫綬褒章を受章しました。

(功績分野名)
低温プラズマ科学
(受賞理由)

低温プラズマ科学の分野において、プラズマの計測方法を確立し、これまで未知であったプラズマプロセス中のラジカルと固体との相互反応機構を定量的に解明し、新しいプラズマの制御方法を世界に先駆け実現した。

また、これらの成果により開発した高密度大気圧低温プラズマ装置を医療・農業の分野に展開し、新たな学際領域を開拓するなど、斯学の発展に多大な貢献をした。

2022
011

エッチング表面に入射する高エネルギー粒子の入射角度分布の精密測定に成功しました

電子工学専攻の豊田研究室では、半導体加工において重要なエッチングプラズマの解析を進めています.フラッシュメモリなどの製造では穴の径に対して数10倍以上にもなる深い穴を形成する加工をおこないますが,その際には基板面に対してきわめて高い精度でイオンを垂直に入射しなければなりません.しかしながらこれまでは入射イオンの垂直性がどの程度の誤差で実現できているかを実際の装置で評価した例はありませんでした.我々は基板を設置する電極に入射するイオン角度分布を計測する特殊な計測装置を独自に開発し,実際のエッチングと同じ条件で入射イオンのビーム拡がりを2次元画像で測定することにより,入射イオンの拡がり角度を0.1°以下の高精度で計測することに成功するとともに,イオンだけでなく高速の中性粒子の入射角度の拡がりを測定することに世界で初めて成功しました. この研究成果は,今後のメモリー高密度化に向けたプラズマ制御の指針を得るための重要な情報を提供するもので,メモリー製造技術の高度化への応用が期待できます.

詳細はこちらをご覧ください

イオンおよび中性粒子ビームのイメージング測定例

イオンおよび中性粒子ビームのイメージング測定例

エッチングプラズマ源におけるイオンおよび中性粒子ビームの角度分布測定

エッチングプラズマ源におけるイオンおよび中性粒子ビームの角度分布測定

2022
010

電子工学専攻・須田研究室では窒化ガリウム縦型パワーデバイスの要素技術としてイオン注入によるp型GaN形成の研究に取り組んでいます。

グリーン社会実現に向けて、電力変換に用いられるパワー半導体デバイスの性能向上を目指して研究を行っています。ワイドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)は、エネルギー損失を劇的に低減できる次世代パワーデバイス用材料として期待されています。パワーデバイスを作製するのに必要な技術の一つにイオン注入による局所ドーピング技術がありますが、イオン注入によってp型GaNを形成することは、長年の課題でした。須田研究室では、イオン注入後の高温熱処理を超高圧で行うことでp型を形成する技術の開発に成功し、また最近では、超高圧でありながら実用が視野に入る温度1300°C、圧力300 MPaの熱処理で形成可能であることを見出しました。本成果は、窒化物半導体国際ワークショップ(IWN2022, 2022年10月ベルリン開催)にて発表しました。

(a) 縦型パワーデバイスにおける局所p型ドーピングの例。(b) イオン注入と高温超高圧熱処理によるp型GaN形成プロセス。(c) ホール効果によって測定した、形成したGaNの正孔密度と移動度の温度依存性。温度1300°C、圧力300 MPa、60分の熱処理により、エピタキシャル成長と同等のp型GaNを実現。(Appl. Phys. Express 14, 121004(2021))

(a) 縦型パワーデバイスにおける局所p型ドーピングの例。(b) イオン注入と高温超高圧熱処理によるp型GaN形成プロセス。(c) ホール効果によって測定した、形成したGaNの正孔密度と移動度の温度依存性。温度1300°C、圧力300 MPa、60分の熱処理により、エピタキシャル成長と同等のp型GaNを実現。(Appl. Phys. Express 14, 121004 (2021))

2022
009

人事異動

【退職(9月30日付け)】
  • 新津 葵一 准教授(京都大学へ転出)
【昇任(10月1日付け)】
  • 田中 雅光 准教授(電子工学専攻)
2022
008

電子工学専攻・大野(雄)研究室では摩擦帯電を用いたエネルギーハーベスティング技術の研究を進めています。

大野(雄)研究室では、優れた機械的特性と電気伝導性を併せ持つカーボンナノチューブを用いて、人と調和する柔軟なウェアラブルデバイスの研究開発を行なっています。このようなウェアラブルデバイスを駆動する電源として、環境に存在する微小なエネルギーから発電するエネルギーハーベスティング技術が期待されています。本研究では、摩擦帯電を用いたエネルギーハーベスティング技術に着目し、人の動作や運動から発電することが可能な柔らかい摩擦帯電型発電シートを開発しました。

作製した発電シート(a)とその出力電圧(b);間欠動作回路(c)を用いて拍手により腕時計を駆動させた様子(d,e)

作製した発電シート(a)とその出力電圧(b)
間欠動作回路(c)を用いて拍手により腕時計を駆動させた様子(d,e)

2022
007

情報・通信工学専攻・河口研究室では実空間と仮想空間を接続する新たなディスプレイロボットの研究開発を進めています。

バーチャルリアリティに代表される仮想情報空間が広がりを見せるなか、物理空間や他の仮想空間を接続・融合するための新たなコミュニケーション手段が求められています。

河口研究室では球体ディスプレイ、360度カメラ、AMR(Autonomous Mobile Robot)、IoTアクチュエータなどを組み合わせた新たなモバイルロボットMetaPoを開発し、任意の空間同士を複数のコミュニケーションのモダリティによって接続する手法の研究開発を行っています。その最初の成果として、8月にバンクーバーで開催された国際会議ACM SIGGRAPHで発表を行いました。

詳細はこちらをご覧ください

詳細はこちらをご覧ください

開発したモバイルディスプレイロボットMetaPoおよびそれを利用したコミュニケーションの様子

開発したモバイルディスプレイロボットMetaPoおよびそれを利用したコミュニケーションの様子

2022
006

人事異動

【採用(7月1日付け)】
  • 占部 千由 助教(電気工学専攻)
【昇任(7月1日付け)】
  • 田中 宏彦 准教授(未来材料・システム研究所)研究科担当(電気工学専攻)及び学部兼務(電気電子情報工学科)
2022
005

電子工学専攻・五十嵐研究室(未来材料・システム研究所協力講座)では次世代エネルギーデバイス実現のための物性研究を進めています。

持続可能社会の実現のため、高速・高効率かつ超低消費電力の次世代エネルギーデバイス材料の研究が求められています。このような半導体デバイスの作製には、半導体結晶への異種原子の導入と分布制御(ドーピング)が不可欠です。名古屋大学の最先端分析機器を利用し、異種原子の分布や、結晶原子配列の乱れ(欠陥)などを原子分解能で計測・制御する技術を開発し、半導体物性制御の研究を進めています。

窒化ガリウム(GaN)結晶の欠陥と異種原子(Mg)分布の観察例 a 明るい点がGa原子。図中央で、原子配列の乱れが観察される。矢印は結晶表面の方向。b 欠陥周囲のMg原子分布図。緑色の点がMg原子。c 図aの点線で囲った部分の拡大像。欠陥の▷印の位置で、Ga原子面が一枚過剰であることが観察される。d 図bのMg原子分布を結晶表面方向から見た分布図。欠陥の周囲にドーナツ状にMg原子が分布。

窒化ガリウム(GaN)結晶の欠陥と異種原子(Mg)分布の観察例

  • a 明るい点がGa原子。図中央で、原子配列の乱れが観察される。矢印は結晶表面の方向。
  • b 欠陥周囲のMg原子分布図。緑色の点がMg原子。
  • c 図aの点線で囲った部分の拡大像。欠陥の▷印の位置で、Ga原子面が一枚過剰であることが観察される。
  • d 図bのMg原子分布を結晶表面方向から見た分布図。欠陥の周囲にドーナツ状にMg原子が分布。
2022
004

情報・通信工学専攻 教員公募

名古屋大学大学院工学研究科情報・通信工学専攻では教員(教授1名)を公募しています。(学内向け情報にも掲載しております。)

ご応募をお待ちしております。

詳細はこちらをご覧ください

2022
003

電気工学専攻 教員公募

名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻では教員(准教授1名)を公募しています。(学内向け情報にも掲載しております。)

ご応募をお待ちしております。

詳細はこちらをご覧ください

2022
002

低温プラズマ科学研究センター 教員公募

名古屋大学低温プラズマ科学研究センター(工学部電気電子情報工学科および工学研究科電子工学専攻兼担)では教員(教授1名)を公募しております。(学内向け情報にも掲載しております。)

ご応募をお待ちしております。

詳細はこちらをご覧ください

2022
001

人事異動

【退職(3月31日付け)】
  • 杉本 重幸 特任教授(中部電力株式会社へ転出)
  • 土屋 雄司 助教(東北大学金属材料研究所へ転出)
  • 今中 政輝 特任助教(東京大学へ転出)
【採用(4月1日付け)】
  • 岩田 幹正 特任教授(未来材料・システム研究所 エネルギーシステム(中部電力)寄附研究部門)
  • 栗本 宗明 准教授(G30プログラム自動車工学(電気系))
  • ダニッシュ ミル サイド シャー 特任助教(未来材料・システム研究所 エネルギーシステム(中部電力)寄附研究部門)
【採用(5月1日付け)】
  • 内山 晴貴 助教(電子工学専攻)
【退職(5月31日付け)】
  • 山下 太郎 准教授(東北大学へ転出)

事務室連絡先はこちら

主任連絡先一覧(2023年度)

企業の方へ

道木 慎二 教授(情報・通信工学専攻長)(電気電子情報工学科 学科長)
052-789-2778
doki@NUEE
山本 真義 教授(電気工学専攻長)
052-789-3824
m.yamamoto@IMASS
高橋 康史 教授(電子工学専攻長)
052-789-3307
yasufumi@NUEE

*NUEEをnuee.nagoya-u.ac.jpに置き換えてください。

*IMASSをimass.nagoya-u.ac.jpに置き換えてください。