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分子線エピタキシー（MBE）法による磁性薄膜，磁性人工格子の成長を行うとともに，サンプルを超高真空容器の中を移動させて表面磁気光学スペクトルの測定および走査トンネル電子顕微鏡（STM）による表面構造解析を行うことができます．
装置仕様
［成長室］
日電アネルバ社製
到達真空度：1×10-8 Pa
蒸着源：電子ビーム加熱4元，電源3台
RHEED観察機能，基板加熱1000℃
シャッター制御による人工格子作製機能[表面磁気光学スペクトル測定装置］
（研究室で自作中）
到達真空度：1×10-7 Pa
極Kerr回転角およびKerr楕円率のin-situ測定
磁界2kOe, 測定波長範囲220nm〜850nm（予定）［走査トンネル電子顕微鏡］
研究室で自作
到達真空度：1×10-8 Pa
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