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電子サイクロトロン共鳴（ECR）プラズマ，ヘリコン波プラズマにより磁性薄膜へのプロセスを行います．二次イオン検出器（SIMS）によりエッチングのモニタリングが可能です．
装置仕様
[プロセス室]
研究室の自作
到達真空度：1×10-7 Pa
サンプルステージ：X，Z移動機構，サンプル傾斜，面内回転機構[ECRプラズマ源]
入江工研 RGB-114L
マイクロ波（2.45 GHz）パワー：100 W
加速電圧：0-600 V
使用ガス：Ar, O2
最大加工寸法：30 mmφ[二次イオン検出器]
PFEIFFER製 EDP400
分析質量：1-512 amu
ターボポンプによる差動排気機構[ヘリコン波プラズマ源]
片桐エンジニアリング CHW-20
RF電力：1kW
使用ガス：Ar, O2
ビームサイズ：20 mmφ
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