薄膜を作製する装置です．本装置は，8つの2inchターゲットを備えていおり，非常に複雑な膜構成のトンネル磁気抵抗効果膜やスピンバルブ膜などを一度に作製することができます．
装置仕様
研究室の自作 到達真空度：8×10-8 Pa 2インチターゲット8台 高周波電源 2台 直流電源 1台 基板加熱機構（500 degC） Arイオン銃による基板クリーニング機構 同時スパッタリングによる合金層作製機能 基板ロードロック機構およびECR-SIMS室，8元MBE装置への超高真空中基板搬送機構
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