分子線エピタキシー（MBE）法による磁性薄膜，磁性人工格子の成長を行います．本装置は8つの電子ビーム加熱元を備えており非常に複雑な膜構造を作製することが可能です．
装置仕様
日電アネルバ社製 到達真空度：1×10-8 Pa 蒸着源：電子ビーム加熱8元，電源2台 RHEED観察機能，基板加熱1000℃ Arイオン銃による基板クリーニング機構 シャッター制御による人工格子作製機能 基板ロードロック機構およびECR-SIMS室，8元MBE装置への超高真空中基板搬送機構
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