チャンバー外観。右奥のエキシマレーザー発振器から
紫外線レーザーがフォーカスレンズを介して真空チャンバー内に照射される。
ターゲット回転機構と基板・SiCヒーター部などから成る成膜室と、 ターボ分子ポンプとダイアフラムポンプからなる排気系によって構成されている。
SiCヒーターは最高850oCまで加熱可能で、ヒーター上に基板を 銀ペーストを用いて固定し、薄膜の作製を行っている。
また、各種ガスを導入することで薄膜成長雰囲気を変えることもできる。
一度に4個のターゲットを設置可能で、ターゲットの切り替えとレーザー の発振をPC制御することで、ナノレベルの積層膜の作製が可能である。
スペック
・設置可能ターゲット数： 4個。PC制御によって多層膜の作製可能。
・到達真空度： 10-6 Torr以下
・ヒーター： 2inch SiCヒーター
・ヒーター最高温度：850oC