小型チャンバー外観。
ターゲット回転機構、基板・Si-Nヒーター部から成る成膜室と、 ターボ分子ポンプ、ダイアフラムポンプ、ロータリーポンプから成る 排気系で構成されている。
Si-Nヒーターは最高1050oCまで加熱可能で、ヒーター上に基板を 銀ペーストを用いて固定し、薄膜の作製を行っている。
また、各種ガスを導入することで薄膜成長雰囲気を変えることもできる。
一度に3個のターゲットを設置可能で、ターゲットの切り替えは手動で行う。
スペック
・設置可能ターゲット数： 3個。ターゲットの切り替えは手動。
・到達真空度： 10-6 Torr以下
・ヒーター： Si-Nヒーター
・ヒーター最高温度：1,050oC