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宮崎 誠一(みやざき せいいち)

名古屋大学大学院 工学研究科 教授 副研究科長(2017.4 - )、未来エレクトロニクス集積研究センター 兼務
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 客員教授 (2010.8 - )
筑波大学 大学院数理物質科学研究科 客員教授 (2011.9 - )
南京大学 電子科学与工程学院 兼職教授 (2010.10 - 2013.10)
公益社団法人 応用物理学会 フェロー


・所在地
〒464-8603
愛知県名古屋市千種区不老町
名古屋大学
大学院工学研究科
電子工学専攻

・教員室
IB電子情報館 北棟1F 109

・TEL: 052-789-3588

・FAX: 052-789-3168

・E-mail: miyazaki@*** (御手数ですが***をnuee.nagoya-u.ac.jpに変換して下さい)


生年

学歴

職歴

専門分野

研究内容

主な研究活動

論文一覧(1991~)

学術論文(最近代表10件)

  1. S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda, Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots, Technical Digest of Int. Electron Devices Meeting 2016, 826-830 (2016).
  2. S. Miyazaki, “Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Application”, MRS Proceedings Vol. 1510, 2013, DOI: http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.272
  3. K. Kondo, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki, Photoluminescence study of high density Si quantum dots with Ge core, Journal of Applied Physics 119, 033103 (5pages) (2016).
  4. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, Evaluation of field emission properties from multiple-stacked Si quantum dots, Thin Solid Films, 602, 68-71 (2016).
  5. K. Makihara, T. Kato, Y. Kabeya, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, D. Oshima, S. Iwata, Y. Darma, M. Ikeda and S. Miyazaki, Nano spin-diodes using FePt-NDs with huge on/off current ratio at room temperature, Scientific Reports, 6, 33409/7pages (2016).
  6. H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, Formation and characterization of high-density FeSi nanodots on SiO2 induced by remote H2 plasma, Jpn, J. Appl. Phys., 55, 01AE20/4pages (2016).
  7. Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors, IEICE TRANSACTIONS on Electronics, vol. E100-C, no .5, 2017, pp.468-474 (May. 2017) doi: 10.1587/transele.E100.C.468
  8. N. X. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, Effects of remote hydrogen plasma on chemical bonding features and electronic states of 4H-SiC(0001) surface, Jpn. J. of Appl. Phys., 56, 01AF01/5pages (2016).
  9. N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Photoemission Study on Electrical Dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 Interfaces, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.56, No.4S, 04CB04(6pages) (2017).
  10. T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons, ECS Trans., 75(8), 777-783 (2016).

国際会議における招待講演【69件】

  1. S. Miyazaki, N. Truyen, and A. Ohta, “Photoemission Study of Gate dielectrics on Gallim Nitride,” ULSIC vs TFT: 6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (Schloss Hernstein Seminar Hotel, Schloss Hernstein, Hernstein, Austria, May 21-25, 2017)
  2. [Plenary] S. Miyazaki, “High Density Formation of and Light Emission from Silicon Quantum Dots with Ge Core,11th Workshop on Si-based Optoelectronic Materials and Devices, Nanjing, China, June 16-19, 2016, Plenary 1.
  3. S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda, Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots, Tech. Dig. of Int. Electron Devices Meeting 2016 (IEDM), 826-830 (2016).
  4. S. Miyazaki, D. Takeuchi, M. Ikeda, and K. Makihara, “Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Functional Devices”, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) (Tsukuba, Sep. 27-29, 2016), D-5-01.
  5. S. Miyazaki, “Characterization of light emission from Si quantum dots with Ge core”, Intern. Conf. on Processing and Manufacturing of Advanced Materials 2016 (THERMEC'2016), Granz, Austria, May 29-June 3, 2016, H2-2.
  6. S. Miyazaki, “Magnetoelectronic Transport and Resistive Switching in Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO2/c-Si” , JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", (Julich, Germany, November 24-26, 2016), S4.3.
  7. S. Miyazaki, "High Density Formation and Light Emission Properties of Silicon Quantum Dots with Ge Core",The 2nd Annual World Congress of Smart Materials-2016 (March 4-6, 2016, Singapore) Focus 101-13.
  8. S. Miyazaki, “High Density Formation of and Light Emission from Silicon Quantum Dots with Ge Core,11th Workshop on Si-based Optoelectronic Materials and Devices, Nanjing, China, June 16-19, 2016, Plenary 1.
  9. S. Miyazaki, “High-Resolution Photoemission Study of High-k Dielectric Bilayer Stack on Ge(100)”, The 228th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Phenix, USA, Oct. 11-15, 2015, G04-1090.
  10. S. Miyazaki, “High Density Formation and Characterization of CoPt and FePt Nanodots on SiO2”, International Conference on Frontiers in Materials Processing Applications Research & Technology (FiMPART'15), Hyderabad, India, June12-15, 2015, C1.6.
  11. S. Miyazaki, “Study on Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core”, the 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9), Montreal, May 18-22, 2015, S2.3-1.
  12. [Plenary] S. Miyazaki, “Materials and Interfaces Characterization for Advanced Ge-Channel Devices: Soft and Hard X-ray Photoemission Measurements”, The 1st Material Research Society of Indonesia (MRS-Id) Meeting, Sept. 26-28, 2014, Plenary 5.
  13. S. Miyazaki and A Ohta, “Photoemission Study of High-k Dielectrics Stack on Ge(100) - Determination of Energy Bandgaps and Band Alignments”, JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Leuven, Belgium, November 12-13, 2014, 2.1.
  14. S. Miyazaki and A. Ohta, “XPS study of Energy Band Alignment of High-k Dielectric Gate Stack on Ge”, 2014 MRS Spring Meetings, Boston, April 21-25, 2014, BB 8.05.
  15. S. Miyazaki, “Optoelectronic Response of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots Floating Gate”, 2013 Energy Materials Nanotechnology Fall Meeting (EMN2013), Orlando, USA, Dec. 7-10, 2013, A62.
  16. S. Miyazaki, “Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Embedded in Gate Dielectric for Optoelectronic Application”, International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials 2013 (THERMEC'2013), (Las Vegas, USA, Dec., 2013)
  17. S. Miyazaki, “Study On Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate Mos Devices for Their Optoelectronic Application”, 224th ECS Meeting, (San Francisco, Oct., 2013)
  18. K. Makihara and S. Miyazaki, “Formation of One-Dimensionally Self-Aligned Si-Based Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes”, 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), (Hokkaido, Nov., 2013), 6D-3-1.
  19. S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, “Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Devices”, JSPS Core-to Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" , Fukuoka, June 6, C1-4.
  20. K. Makihara and S. Miyazaki, “High-density Formation and Characterization of Nanodots for Their Electron Device Application”, 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), A-2.
  21. S. Miyazaki, Formation of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots and Its Application to Functional Floating Gate, BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T-2011, Dairen, China, Oct.23-26,2011
  22. S. Miyazaki, “Formation and Characterization of Silicon-Quantum-Dots/Metal-Silicide- Nanodots Hybrid Stack and its Application to Floating Gate Functional Devices”, The 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Boston, MA, USA, Oct., 9-14, 2011, #2157.
  23. S. Miyazaki, Formation of Hybrid Nanodots Floating Gate for Functional Memories, International Conference on Processing & Manufactturing of Advanced Materials (Themec’2011), Quebec, Canada, Aug. 1-5, 2011, NANO-1-7.
  24. S. Miyazaki, Characterization of La- and Mg-Diffused HfO2/SiO2 Stack Structures of for Next Generation Gate Dielectrics, 7th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM7), Cairns, Australia, Aug. 2-6, 2011.
  25. S. Miyazaki, Application of Remote Hydrogen Plasma to Selective Processing for Ge-based Devices -Crystallization, Etching and Metallization, The 4th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2011), Takayama, Mar. 10-12, 2011, I-05.
  26. S. Miyazaki, Fabrication and Characterization of Hybrid Nanodots for Floating Gate Application, International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), Shanghai, China, Nov. 1- 4, 2010, I07_10.
  27. S. Miyazaki, N. Morisawa, S. Nakanishi, K. Makihara and M. Ikeda, Formation of Hybrid Nanodots Floating Gate for Functional Memories -Charge Strage Characteristics and Optical Response-, 5th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2010), Sendai, Jan., 29-30, 2010, I-17, pp. 77-78.
  28. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto, Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin Gate Oxide Induced by H2-plasma Treatment and Its Application to Floating Gate Memories, 4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008), Sendai, Sep. 25-27, 2008, Z-01, pp. 53-54.
  29. S. Miyazaki, Formation of Si Quantum Dots/Silicide Nanodots Stack Structure and Its Memory Application, 1st International Workshop on Si based nano-electronics and photonics (SiNEP-09), Vigo, Spain, Sept. 20-23, SESSION 4, pp. 79-80.
  30. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto, Formation of High Density Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Memory Application, International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials, Pricessing, Fabrication, Proreties, Applications (THERMEC’2009), Berlin, Germany, Augst 25-29, SESSION E5, p. 115.
  31. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, R. Matsumoto and N. Morisawa, Fabrication of Metal Silicide Nanodots and Hybrid Stacked Structure in Combination with Silicon Quantum Dots for Floating Gate Application, The 3rd Asian Physucs Symposium (APS 2009), Bandung, Indonesia, July 22-23, IN03, pp. 13- 17.
  32. S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, Formation and Characterization of Hybrid Nanodot Stack Structure for Floating Gate Application, 6th International Conference on Silicon Epitaxiy and Heterostructures (ICSI-6), Session 2A, Los Angeles, CA, May 17-22, 2009.
  33. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto, Plasma-enhanced Self-assembling Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application, International Union Material Research Society (IUMRS) - International Conference in Asia, Nagoya, Dec. 9-13, 2008, QI-8, p. 131.
  34. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto, Formation of metal and silicide nanodots on ultathin gate oxide induced by H2-plasma, 17th World Interfinish Congress & Exposition with 9th International Conference on Advanced Surface Engineerring (9th ICASE), Busan, Korea, June 16-19, 2008, IN-07.
  35. S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima and Y. Nara, Photoemission Study of Metal/HfSiON Gate Stack, The 213th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Phoenix, AZ, USA, May, 18-22, 2008, #697.
  36. S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima, and Y. Nara, Photoemission Study of Metal/High-k Dielectric Gate Stack, The 38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC), Arlington, Dec. 6-8, 2007, 3.1.
  37. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, Electron Charging and Discharging Characteristics of Si-Based Quantum Dots and Their Application of Floating Gate MOS Memories, 3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007), Sendai, Nov. 8-9, 2007, I-16, pp. 73-74.
  38. S. Miyazaki, Self-Assembling Formation of Si-Based Quantum Dots and Control of Their Electronic Charged States for Multivalued MOS Memories, 10th International Conference on Advanced Materials − International Union of Materials Research Societies, Bangalore, India, Oct. 8-13, 2007, V-Inv-08, pp. V-5-V-6.
  39. S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara, Characterization of Electoronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application, 212th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Washington DC, Oct. 7-12, 2007, p.1276.
  40. S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara, Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), Marseille, France, May 20-25, 2007, S2-I17, pp. 87-88.
  41. S. Miyazaki, A. Ohta, Pei, S, Inumiya, Y. Nara and K. Yamada, Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100), 210th Electrochemical Society (ECS) Meeting, Cancun, Mexico, Oct. 29-Nov. 3, 2006, #1104.
  42. S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, Characterization of Electronic Charged States of Si-based Quantum Dots for Multi-valued MOS Memories, 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, Shanghai, China, Oct. 23-26, 2006, C3.14, pp. 736-739.
  43. S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, Control of Electronic Charged States of Si-based Quantum Dots for Floating Gate Application, 2nd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2006), Sendai, Oct. 2-3, 2006, I-10, pp. 49-50.
  44. S. Miyazaki, A. Ohta, S. Inumiya and Y. Nara, Influences of Nitrogen Incorporation on Electronic Structure and Electrical Properties of Ultrathin Hafnium Silicate, The European Materials Research Society (E-MRS) 2006 Spring Meeting, France, May 29 to June 2, 2006, L-4a.
  45. S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara, Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories, 209th Electrochemical Society-International Symposium on Nanoscale Devices and Materials, Denver, U.S.A, May, 2006, p. 390.
  46. M. Ikeda and S. Miyazaki, Self-Assembling Formation of Si Quantum Dots and its Application to Floating Gate MOS Devices, Japan-Korea Special Symposium on Evaluation and Outlook of Oxide Nonvolatile Memories, in The 16th Symposium of The Materials Research Society of Japan, Tokyo, Dec. 9-11, 2005, G2-I03-G.
  47. S. Miyazaki, Characterization of Charged States of Silicon-based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate MOS Memories, International Union of Materials Research Societies-Int. conf. in Asia-, Hsinchu, Taiwan, Nov. 16-18, 2004, F-I-08, p. 208.
  48. S. Miyazaki, Control of Discrete Charged States in Si-Based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate Memories, The 4th International Symposium Surface Science and Nanotechnology, Omiya, Nov. 14 - 17, 2005, p. 540 Th-A6(I).
  49. S. Miyazaki, Self-Assembling Formation of Si-based Quantum Dots and Control of Their Electric Charged States for Multi-valued Memories, SPIE Conference on Nanofabrication: Technologies, Devices, and Applications II (SA111) at Optics East, Boston, Oct.23-26, 2005, No. OE05-SA111-41.
  50. S. Miyazaki, Electron Charging and Discharging Characteristics of Si-based Quantum Dots Floating Gate, The Second International Symposium on Point Defects and Nonstoichiometry (ISPN-2), Kaohsiung, Taiwan, Oct 3-5, 2005, Th-A1-1, p. 19.
  51. S. Miyazaki, Control of Charged States of Silicon-Based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate MOS Memories, First International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2005), Sendai, May 27-28, 2005, V-2, pp. 39-40.
  52. S. Miyazaki, High Rate Growth of Crystalline Si and Ge Films from Inductively-Coupled Plasma, SREN 2005 International Conference on Solar Renewable Energy News, Low Energy Buildings, Research of Historical Artifacts, Florence, Italy, April 2-8, 2005, Section 1-1.
  53. S. Miyazaki, Electrical Charging Characteristics of Silicon Dots Floating Gates in MOS Devices, 7th China-Japan Symposium on Thin Films, Chengdu Sichuan, China, Sept. 20-22, 2004, 3, pp. 7-10.
  54. S. Miyazaki, Charging/Discharging Characteristics of Silicon Quantum Dots and Their Application to Memory Devices, The 2004 Joint Conference of The 7th International Conference on Advanced Surface Enginnering (ASE2004) and The 2nd International Conference on Surface and Interface Science and Engineering (SISE 2004) FSISE, Guangzhou, China, May 14-16, 2004, No. 270 p. 138.
  55. S. Miyazaki, Photoemission Study of High-k Gate Dielectric/Si(100) Heterostructures - Chemical Bonding Features and Energy Band Alignment, Abst. of American Vacuum Society 50th International Symposium and Exhibition, Baltimore U.S.A, Nov. 3, 2003, DI-MoM7.
  56. S. Miyazaki, Self-Assembling of Si Quantum Dots and Their Application to Memory Devices, International Conference on Polycrystalline Semiconductors, Nara, Sept. 10-13, 2002, 105, p. 56.
  57. S. Miyazaki, Self-Assembling of Si quantum Dots and Their Application to Memory Devices, The 2nd Vacuum & Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-2), Hong Kong, Aug. 26-30, 2002, Mo7.
  58. S. Miyazaki, H. Takahashi, M. Sagara and M. Hirose, Growth and Characterization of Amorphous and Microcrystalline Silicon-Germanium Films, 2002 Material Research Society Spring Meeting, San Francisco, Apr. 1-5, 2002, A18.1.
  59. S. Miyazaki and H. Murakami, Characterization of Deposition Process of Microcrystalline Silicon-Germanium Films: In-situ Infrared Attenuated Total Reflection and Ex-situ Raman Scattering Studies, The 5th SANKEN International Symposium, Osaka, Mar. 14, 2002, P1.13, pp. 65-66.
  60. S. Miyazaki, Characterization of Deposition Processes of Silicon-Germanium Films by Using In-Situ Infrared Attenuated-Total-Reflection and Surface-Sensitive Raman Scattering Spectroscopy, Frontiers of Surface Engineering 2001: The 2001 Joint Intern Conference, Nagoya, Oct. 28 - Nov. 1, 2001, ID-01, p. 16.  
  61. S. Miyazaki, Characterization of Ultrathin Gate Dielectrics on Silicon by Photoelectron Spectroscopy, Int. Workshop on Device Technology - Alternatives on to SiO2 as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics, Porto Alegre, Sept. 3-5, 2001, Tu5.
  62. A. Kohno and S. Miyazaki, Self-Assembling of Si Quantum Dots and Their Application to Memory Devices, Frontier Sci. Res. Conf. in Mat. Sci. & Technol. Series: Sci. & Technol. of Silicon Materials, La Jolla, CA, Aug. 13-15, 2001, [Session II, Bulletin of the Stefan Univ. vol.13, pp. 33-36].
  63. S. Miyazaki, Electronic Structures of High-k Gate Dielectrics, Frontier Sci. Res. Conf. in Mat. Sci. & Technol. Series: Sci. & Technol. of Silicon Materials, La Jolla, CA, Aug. 13-15, 2001, Session I, Bulletin of the Stefan Univ. Vol.13.
  64. S. Miyazaki, Characterization of High-k Gate Dielectric/Silicon Interfaces, 8th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interfaces, Sapporo, June. 10-15, 2001, Tu3-4, p. 190.
  65. S. Miyazaki, Photoemission Study of Energy Band Alignments and Gap State Density Distributions for High-k Gate Dielectrics, 28th Conf. on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces, Lake Buena Vista, Jan. 7-11, 2001, We1620.
  66. S. Miyazaki and M. Hirose, Photoemission Study of Energy Band Alignment and Gap State Density Distribution for High-k Gate Dielectrics, Internernaional Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology, Gaithersburg MD, June 26-29, 2000, S2.2.
  67. S. Miyazaki and M. Hirose, Insights into Surface Reactions During Plasma-Enhanced CVD of a-Si1-xGex:H Films From FT-IR-ATR and Raman Scattering, 11th Symposium of Mat. Res. Soc. Jpn., Kawasaki, Dec. 16-17, 1999, 2-8-K10.
  68. S. Miyazaki, T. Tamura, T. Murayama, A. Khono and M. Hirose, Electronic States of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces and SiO2/Si Interfaces, JRCAT Intern. Workshop on Sci. and Technol. of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces, Tukuba, Nov. 4-6, 1997, Ses.6.3, pp. 35-36.
  69. S. Miyazaki, K. Shiba, K. Sakamoto and M. Hirose, Photoluminescence Studies on Thermally-Oxidized Porous Silicon, 183rd Meeting of the Electrochem. Soc., Honolulu, May 16-21, 1993, No.146.

国内学会・会合における招待講演【65件】

  1. 宮崎誠一, ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発−機能進化・高度化への挑戦, 薄膜材料デバイス研究会, 第9回研究集会「薄膜デバイスの未来」,なら100年会館, 奈良, 2012年11月2日〜3日, 2T01, pp.1-26.
  2. 宮崎誠一, 化学気相成長法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第29回 薄膜スクール, 秋保温泉左勘, 仙台, 2012年7月4日〜6日
  3. 宮崎誠一, 化学気相成長法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第28回 薄膜スクール, 松風園, 蒲郡, 2011年7月20日〜22日
  4. 宮崎誠一, シリコン技術, 30th Electronic Materials Symposium, ラフォーレ琵琶湖, 2011年6月29日〜7月1日, ランプセッション「エレクトロニクスを支える電子材料 〜2020年への展望〜」.
  5. 宮崎誠一, High-k Gate 技術について, TEL Advanced Technorogy Forrum 2010, 東京エレクトロン株式会社 山梨事業所, 山梨, 2010年8月17日
  6. 宮崎誠一, アカデミックロードマップ-シリコン技術, セミコン・ジャパン2010, 幕張メッセ, 横浜, 2010年12月2日, 応用物理学会アカデミックロードマップ特設ステージ.
  7. 宮崎誠一, ナノ構造制御の課題, 2010年秋季 第71回応用物理学学術講演会, 長崎大学, 長崎, 2010年9月14日〜17日), 16p-ZE-5「シリコンテクノロジーの未来像を徹底的に考える-Never Ending Silicon Technology」.
  8. 宮崎誠一, 化学気相成長法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第27回 薄膜スクール, キャンパスイノベーションセンター東京, 2010年7月1日〜2日
  9. 宮崎誠一, プラズマによる薄膜形成技術, 第20回プラズマエレクトロニクス講習会, 慶応義塾大学(日吉キャンパス), 横浜, 2009年10月29-30日, pp.37-47.
  10. 宮崎誠一, 低炭素社会の実現に向けた先端基盤技術−太陽光発電を中心として−, 第12回「フレッシュ理科教室」−楽しい理科授業のための教材研修ワークショップ―, 広島国際大学広島キャンパス国際教育センター, 広島, 2009年8月11日, 特別講演, pp. 1- 9.
  11. 宮崎誠一, メタル/高誘電率絶縁膜ゲートスタックにおける内部電位評価−メタルゲート仕事関数変化の起源, 2009年秋季 第70回応用物理学学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月8日〜11日, 9a-TC-5.
  12. 宮崎誠一, 「シリコンテクノロジーの挑戦―材料・プロセス・デバイスの新展開」について, 2009年秋季 第70回応用物理学学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月8日〜11日, 8p-TE-1.
  13. 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第26回 薄膜スクール, キャンパスイノベーションセンター東京, 2009年7月7日〜8日
  14. 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第25回 薄膜スクール, 秋保温泉左勘, 仙台, 2008年7月10日〜11日
  15. 大田晃生, 吉永博路, 宮崎誠一, 門島勝, 奈良安雄, HfSiONへの低価数イオン添加が化学結合および電子状態に及ぼす影響, 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 日本大学, 千葉, 2008年3月27日〜30日, 27p-X-4
  16. 宮崎 誠一, シリコン表面および極薄ゲート絶縁膜の欠陥評価, 日本大学 津田沼キャンパス、表面技術協会第117回講演大会, 2008年3月12日〜14日
  17. 宮崎 誠一, 金属/High-k ゲート絶縁膜界面の光電子分光分析-化学結合状態と実効仕事関数評価, ゲート絶縁膜の物理-より深い議論を通じて、次への展開を探る-, 高知, 2007年12月26日, pp. 1-10.
  18. 宮崎 誠一, X線光電子分光による表面・界面評価, 薄膜第131委員会, 第3回基礎講座, 東京, 2007年10月18日, pp. 13-22.
  19. 宮崎 誠一, Si/絶縁膜(high-k/SiO2)の界面状態評価と電気特性, 第34回アモルファスセミナー, 宮城, 蔵王, 2007年9月27日〜29日
  20. 宮崎 誠一, Si量子ドットを用いた浮遊ゲートメモリー, 応用物理学会、平成19年薄膜・表面物理分科会セミナー, p.27-36, 早稲田大学、2007年7月17日〜18日
  21. 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第24回 薄膜スクール, 浜名湖ロイヤルホテル, 浜松市, 2007年7月11日〜13日
  22. 宮崎 誠一, 硬X線光電子分公法による極薄Hf系酸化膜の化学結合状態および電子状態評価, シリコンナノエレクトロニクス研究と放射光, 兵庫県佐用郡, 2006年11月13日.
  23. 宮崎 誠一, 量子ドット形成とデバイス応用, 薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開」, pp. 50-57, あすなら会議場, 奈良, 2006年11月10日〜11日
  24. 宮崎 誠一, メタルゲート/絶縁膜界面の化学構造分析と実効仕事関数評価, 第67回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, 2006年8月29日〜9月1日.
  25. 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第23回 薄膜スクール, 大磯プリンスホテル, 2006年6月28日〜30日
  26. 宮崎 誠一, ULSI薄膜プロセスの基礎物理, 半導体界面制御技術第154委員会, 東京, 2005年11月10日, pp. 13-25, 2.
  27. 宮崎 誠一, ゲート絶縁膜およびMOS界面の化学構造および電子状態分析, 第34回薄膜・表面物理基礎講座(JSAP No.AP052348), 東京, 2005年11月10日〜11日, pp. 25-34.
  28. 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第22回 薄膜スクール, なにわ一水, 松江市, 2005年7月13日〜15日
  29. 宮崎 誠一, シリコン系量子ドットの荷電状態制御とフローティングMOSデバイスへの応用, 応用物理学会, 応用電子物性分科会研究例会「ナノシリコンの最近の進展−量子サイズシリコンの新しい可能性」, 東京理科大学理窓会館, 2005年5月27日, pp. 65-70.
  30. 宮崎 誠一, シリコン量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用, 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会 第72回研究会, 東京, 2005年5月13日, pp. 23-32.
  31. 宮崎 誠一, Si系量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用, 第52回応用物理学関係連合講演会, シンポジウム「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」, 埼玉大学, 2005年3月29日〜4月1日, 30p-S-4.
  32. 宮崎 誠一, Hf系高誘電率絶縁膜ゲートスタックにおける界面反応制御, 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大学, 2004年9月2日, p. 39.
  33. 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第21回薄膜スクール, 2004年7月7‐9日, 秋保温泉左勘, 仙台.
  34. 宮崎 誠一, 高誘電率絶縁膜/Si界面の基礎物性, 第51回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「High-kゲート絶縁膜−現状と課題−」, 東京工科大学, 2004年3月28日, p. 2.
  35. 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第20回薄膜スクール, 2003年7月2‐4日, 名鉄犬山ホテル, 犬山.
  36. 宮崎 誠一, 高誘電率ゲート絶縁膜の光電子分光分析−エネルギーバンドアライメント評価および高感度欠陥計測−, 特定研究「超機能化グローバル・インターフェイス・インテグレーション研究」テーマ「グローバル・インテグレーションのための新材料とプロセス技術」, 名古屋大学, 2003年5月26日.
  37. 宮崎 誠一, シリコンナノデバイス・プロセス技術ーテラビット情報ナノエレクトロニクスへの展開ー, 名古屋大学電気系21世紀 COE シンポジウム プラズマが拓くナノ情報デバイスの世界的拠点形成に向けて, 名古屋大学, 2003年3月3日, pp. 1-7.
  38. 宮崎 誠一, 半導体ナノメートルドットの形成と機能メモリデバイス応用, 平成14年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「サブサーフェス制御知能プラズマプロセスに関する研究」, 東北大学, 2002年10月5日, pp. 115-123.
  39. 宮崎誠一, 化学気相堆積法(CVD), 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第19回薄膜スクール, 2002年7月3‐5日, 筑波山 江戸屋, pp. 83-100.
  40. 宮崎 誠一, Si量子ドットの自己組織化形成とメモリーデバイス応用, 平成13年度第1回研究科フォーラム「シラン系CVDプロセスの基礎から応用まで」, 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科, 2002年3月15日, pp. 77-88.
  41. 宮崎誠一, CVD:化学気相堆積法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第18回薄膜スクール, 2001年7月4‐6日, 淡路国際会議場, pp. 85-101.
  42. 宮崎 誠一, ゲート絶縁膜技術(高誘電率ゲート絶縁膜), 第28回応用物理学会スクールB「サブ100nmCMOSトランジスタ技術の動向と展望」, 明治大学, 2001年3月30日, pp. 35-47.
  43. 宮崎 誠一, MOSLSIゲート酸化膜, 第48回応用物理学会関係連合学術講演会, シンポジウム「高性能ポリシリコンTFTの現状と将来展望−ゲート酸化膜形成」,明治大学, 2001年3月29日, p. 87.
  44. 宮崎誠一, CVD成膜の物理−シリコン系薄膜形成を中心として, 第32回CVD研究会, 2000年12月13日, 愛知厚生年金会館, 基礎講座:pp.1-16.
  45. 宮崎誠一, 糸川寛志, 小笠原優, 廣瀬全孝, 高誘電率ゲート絶縁膜を用いたMIS構造におけるエネルギーバンドプロファイルの決定と界面電子状態計測, 応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会, 第23回研究会「ゲート絶縁膜技術及びデバイス・プロセス技術」, 2000年11月1日, 東京工業大学, pp. 58-63.
  46. 宮崎誠一, 減圧CVDによるシリコン量子ドットの自己組織化形成, (社)電子情報技術産業協会, 量子相関エレクトロニクス専門委員会, 2000年10月16日, 広島大学
  47.  
  48. 宮崎誠一, シリコン・極薄ゲート酸化膜界面 第61回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「半導体界面形成−原子レベルの表面・界面制御を目指して」, 2000年9月5日, 北海道工業大学, 5p-L-6, p. 40.
  49. 宮崎誠一, CVD法による薄膜形成技術と反応制御, エレクトロニクス・材料技術セミナー, 2000年8月22日, 五反田・ゆうぽうと, (株)技術情報協会主催, No.008402, pp. 1-16.
  50. 宮崎誠一, CVD:化学気相堆積法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第17回薄膜スクール, 2000年7月12‐14日, 秋保温泉左勘, 仙台, pp. 89-104.
  51. 宮崎誠一, シリコンナノ結晶の自己組織化形成と次世代フロ−ティングMOSメモリ応用, 名古屋大学若手研究プロジェクトシンポジウム−次世代デバイス創製のためのナノドット形成プロセス−, 1999年12月1日, 名古屋大学VBL, p. 2.1.
  52. 宮崎誠一, シリコン量子ドットの自己組織化形成とフローティングMOSメモリデバイスへの応用, (財)新世代研究所, 半導体量子効果研究科会, 1999年10月18日, 宮島.
  53. 宮崎誠一, CVDによるSiナノクリスタルの成長と発光特性, 化学工学会、’99CVD特別研究会「シリコンナノクリスタルの成長方法と発光特性」, 1999年10月15日, 東京大学・工学部, pp. 6.1-7.
  54. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン量子ドットの自己組織化形成とフローティングゲートMOSメモリの応用, 1999年電子情報通信学会ソサイエティ大会, シンポジウム「自己組織化プロセスとデバイス応用」, 1999年9月9日, 日本大学, SC‐8‐4.
  55. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン量子ドットの自己組織化形成と量子機能制御, 第60回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「新しいシリコン系材料の創製と応用」, 1999年9月2日, 甲南大学, 2p-ZM-3, p. 29.
  56. 宮崎誠一, 極微細構造制御とシリコンデバイス, フロンティアプロセス99−プラズマプロセスの今後の展望, 1999年7月30日, 湘南国際村センター内会議場, プラズマプロセスパナシアの会主催, 超先端電子技術開発機構(ASET)共催, p. 1.
  57. 宮崎誠一, CVD‐化学気相堆積法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第16回薄膜スクール, 1999年6月30日‐7月2日, 岐阜観光ホテル十八楼, 岐阜, pp. 95-111.
  58. 宮崎誠一, シリコン表面・界面の欠陥準位と水素による不活性化 応用物理学会, 結晶工学分科会, 第110回研究会「水素と結晶工学」, 1999年6月3日, 学習院大学, pp. 27-34.
  59. 宮崎誠一, 江藤和宣, 廣瀬全孝, 自己組織化形成シリコン量子ドットからの発光特性, 応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会, 第8回研究会「光るシリコン−プロセス・素子技術の進展会」, 1999年4月23日, 東京農工大学, pp. 54-6054.
  60. 宮崎誠一, 膜堆積過程における化学結合状態およびネットワーク構造の変化 応用物理学会, 薄膜表面物理分科会, 1998年度第3回研究会「プラズマCVD表面反応はどこまで理解・制御されているか?」, 1998年11月26日, 機械振興会館, pp. 4.1-5.
  61. 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第15回薄膜スクール, 1998年7月1‐3日, 伊東ホテルニュー岡部, 伊東, pp. 95-111.
  62. 宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第14回薄膜スクール, 1997年7月2‐4日, 琵琶湖ホテル, 大津, pp. 59-71.
  63. 宮崎誠一, 福田雅俊, 柴和利, 中川和之, 廣瀬全孝, 香野淳, Si量子ドットの自己組織化形成と室温量子物性, 電子情報通信学会, 電子デバイス研究専門委員会, 単電子デバイス特別ワークショップ, 1997年3月14日, 広島アステールプラザ, 信学技報, ED96‐221, pp. 39-48.
  64. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, 極薄シリコン酸化膜の構造と電子状態, 第57回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「シリコン自然酸化膜から極薄酸化膜の形成と物理(I)」, 1996年9月9日、九州産業大学, 9p‐E‐4, p. 1236.
  65. 宮崎誠一, 薄膜の伝導機能, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第13回薄膜スクール, 1996年6月26‐28日, 和風ペンジョンひまわり苑, 那須塩原 pp. 43-53.
  66. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, 化学洗浄したSi表面の構造および電子状態評価, 第43回応用物理学会関連学術講演会, シンポジウム「水洗浄によるSi清浄・完全表面の形成を目指して」, 1996年3月26日, 東洋大学, 28p‐k‐7, p. 1403.

著書、和雑誌(学会誌等)解説等

  1. 宮崎 誠一, 化学便覧 応用化学編[第7版](日本化学会編, 丸善出版(株)、2014)分担執筆:II 基礎的化学技術/材料, 7章 電子・光材料プロセス技術 7.3.2 CVD技術 pp. 84-89.
  2. 宮崎 誠一, 薄膜工学[第2版](丸善出版、2011)第2章分担執筆:「化学気相成長法」pp. 64-86, ISBN978-4-621-08414-4.
  3. 宮崎 誠一, マイクロ・ナノ領域の超精密技術(オーム社、2011) 第3章分担執筆:「Si 系(極微細化の観点を中心にして)」pp. 152-160, ISBN-13 : 978-4274210051.
  4. 宮崎誠一, 応用物理分野のアカデミック・ロードマップ「シリコン技術」, 応用物理学会誌(2010年, 第79巻, 第8号, pp.691- 693)
  5. 宮崎 誠一, 究極のかたちをつくる(日刊工業新聞社、2009) 第1章分担執筆:「ナノサイズのかたちをつくる」pp. 13-28, ISBN Number : 978-4-526-06277-3.
  6. 宮崎 誠一, 実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開―(技術教育出版社、2009) 第1編「創製技術」第5章「CVD」pp. 68-90, ISBN Number : 978-4-907837-18-1.
  7. 東 清一郎, 宮崎 誠一, 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化,「講座 熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス 3.結晶化・相変化制御への応用」, (プラズマ・核融合学会誌 85(3) (2009)), pp. 119-123.
  8. 宮崎 誠一, 次世代半導体メモリの最新技術(シーエムシー出版、2009) 第6章分担執筆:「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」pp. 265-277, ISBN Number : 978-4882319924
  9. 宮崎 誠一, 薄膜ハンドブック(Ohmsha, 2008) 編集・分担執筆 第II編 第1章 1.3.4 CVD, ISBN Number : 978-4274205194
  10. 東 清一郎, 加久 博隆, 岡田 竜弥, DC熱プラズマジェットを用いた超急速熱処理による非晶質シリコン膜の結晶化とそのTFT応用, 「応用物理」第75巻 第7号 (2006年 7月号) 研究紹介 pp.882-886.
  11. 宮崎 誠一, 月刊マテリアルステージ, 自己組織化シリコン系量子ドットを用いた次世代・機能メモリ開発 , Vol. 5, No. 3 (2005) pp. 18-24.
  12. 宮崎 誠一, 第34回薄膜・表面物理基礎講座(JSAP No.AP052348), 2005, ゲート絶縁膜およびMOS界面の化学構造および電子状態分析, pp. 25-34.
  13. 宮崎 誠一, 表面技術, シリコン系量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用, Vol. 56, No. 12, 2005.  
  14. 宮崎 誠一, 応用電子物性分科会誌, シリコン系量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用, Vol. 11, No. 2(2005), pp. 65-70.
  15. 鳥居 和功, 白石 賢二, 宮崎 誠一, 山田 啓作, 応用物理, HfO2系high-kゲート絶縁膜の信頼性劣化機構モデル, Vol. 74, No. 9(2005) pp. 1211-1216.
  16. 宮崎 誠一, 表面科学の基礎と応用(エヌ・ティー・エス, 2004) 第3編、第1章・第2節 分担執筆: 「Siの熱酸化機構、Si表面の熱酸化、Si酸化膜の構造、極薄Si酸化膜およびSi/SiO2界面の分析」pp.879-889, ISBN Number : 978-4860430511.
  17. 宮崎 誠一, 薄膜工学(丸善、2003)第2章担執筆:「化学気相成長法」pp.95-118, ISBN Number : 978-4621071434
  18. 廣瀬 全考, 宮崎 誠一, 人工格子の基礎(シーエムシー出版、2003)第3章分担執筆: 「アモルファス半導体人工格子」pp.143-156, ISBN Number : 978-4882317869.
  19. 宮崎 誠一, 21世紀版 薄膜作製応用ハンドブック (エヌ・ティー・エス, 第2章第3節, 2003) pp. 384-393,プラズマCVD法, ISBN Number : 978-4860430191.
  20. 宮崎 誠一, マテリアル インテグレーション, シリコン量子ドットの自己組織化形成とメモリデバイス応用, Vol. 5, No. 15(2002), pp. 53-60.
  21. 香野 淳, 池田 弥央, 村上 秀樹, 宮崎 誠一, 廣瀬全孝, 応用物理, シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発, Vol. 71, No. 7 (2002) pp. 864-868.  
  22. 宮崎誠一, CVDの物理, 応用物理, Vol. 69, No. 6, 2000, pp. 689-694.
  23. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン量子ドットの自己組織化形成と発光特性, 応用物理, Vol. 67, No. 7, 1998, pp. 807-811.
  24. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン表面の状態−シリコン表面の平坦化とシリコン/酸化膜界面の構造, クリーンテクノロジー, Vol. 16, No. 1, 1996, pp. 21-25.
  25. 廣瀬全孝, 宮崎誠一, 高流動性プラズマCVDによる薄膜形成, 応用物理, Vol. 63, No. 11, 1994, pp. 1118-1122.
  26. 廣瀬全孝, 高倉優, 八坂龍広, 宮崎誠一, 水素終端Si表面の自然酸化, 表面科学, Vol. 13, No. 6, 1992, pp. 324-331.
  27. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, アモルファスシリコンとその合金-界面, 固体物理, Vol. 27, No. 11, 1992, pp. 803-812.
  28. 宮崎誠一, 柴和利, 坂本邦秀, 廣瀬全孝, 高温熱酸化したポーラスシリコンからの高効率可視光ルミネッセンス, 固体物理, Vol. 27, No. 11, 1992, pp. 871-873.
  29. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, 水素結合は不要:局在準位を介しての発光の可能性, 応用物理, Vol. 61, No. 12, 1992.
  30. 八坂龍広, 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコンウエハの自然酸化, 日本結晶学会誌, Vol. 33, 1991, pp. 182-187.
  31. 宮崎誠一, 表面・界面分析, XPS・ATRによる酸化膜中不純物の化学状態、  FT-IR-ATRによるCVD,エッチング反応計測, 次世代ULSIプロセス技術 : 廣瀬全孝他編, リアライズ社, 号12.1, 12.2.3, 12.4.1, 2000, pp. 571-585, pp. 602-607, pp. 637-642, ISBN Number : 4-89808-020-0.
  32. 宮崎誠一, 洗浄法によるウェーハ表面の平坦化, ウェーハ表面完全性の創製・評価技術, 津屋英樹編, サイエンスフォーラム, 第4章, 第2節, 1998, pp. 152-159, ISBN Number : 4-916164-14-8.
  33. 宮崎誠一, 半導体および分析技術関連の用語解説, 電子デバイス活用辞典, 電子デバイス活用辞典編集委員会編, 工業調査会, 1994, ISBN Number : 4-7693-1130-3.
  34. 廣瀬全孝, 八坂龍広, 宮崎誠一, シリコン自然酸化膜の成長機構 半導体研究「超LSI技術16」第36巻 : 西澤潤一編, 工業調査会,第9章, 1992, pp. 263-283, ISBN Number : 4-7693-1097-8.
  35. 宮崎誠一, 固体表面の解析法-オージェ電子分光、真空紫外/X線光電子分光、電子エネルギー損失分光、ラザフォード後方散乱、走査トンネル顕微鏡, プラズマ材料科学ハンドブック, 日本学術振興会、プラズマ材料科学第153委員会編, オーム社, 1992.
  36. S. Miyazaki and M. Hirose, Amorphous Superlattices and Multilayer Structures: Some Aspects of Physics and Applications, Amorphous Superlattices and Multilayer Structures: Some Aspects of Physics and Applications, Artech House, Boston, Chap. 5, 1991, pp. 167-194, ISBN Number: 0-89006-490-3.
  37. Advances in Electronic Materials, eds. E. Kasper, H.-J. Muessing and H. G. Grimmeiss, (Trans Tech Pub., 2009), "Nitrogen Incorporation: Infuluence on Electrical Parameters of HfSiON", Mat. Sci. Forum Vol. 608, pp 91-102.
  38. Physics and Application of Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices, ed. J. Kanicki (Artech House,1991) Chapter 5: Amorphous Superlattice and Multilayer Structures: Some Aspects of Physics and Applications, pp. 165-194.

特許【28件】

  1. 「窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置」、韓国出願番号:10-2009-7019956、発明者:宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、廣田良浩、出願人:国立大学法人 広島大学、東京エレクトロン株式会社
  2. 「窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置」、特開2009-270706、発明者:宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、廣田良浩、出願人:国立大学法人 広島大学、東京エレクトロン株式会社
  3. 「窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置」、出願番号:97110781 (TW)、発明者:宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、廣田良浩、出願人:国立大学法人 広島大学、東京エレクトロン株式会社
  4. 「スパッタリング装置および製造方法」、出願番号:2008-077056、発明者:東清一郎、宮崎誠一、広重康夫、岡田竜弥、出願人:国立大学法人 広島大学
  5. 「酸化ゲルマニウムの製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法」出願番号:2008-273140、発明者:村上秀樹、宮崎誠一、出願人:国立大学法人 広島大学
  6. 「窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置」、出願番号:PCT/JP2008/055679、発明者:宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、廣田良浩、出願人:国立大学法人 広島大学、東京エレクトロン株式会社
  7. 「プラズマ装置および結晶製造方法」、出願番号:PCT/JP2008/002068、発明者:東清一郎、宮崎誠一、加久博隆、出願人:国立大学法人 広島大学
  8. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、特開2008-270705、特願2007-236635、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  9. 「半導体素子」、特開2008-288346、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、村上秀樹、出願人:国立大学法人 広島大学
  10. 「バイオセンサーおよびその製造方法」、特願2008-77082、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、村上秀樹、出願人:国立大学法人 広島大学
  11. 「発光素子およびその製造方法」、特願2008-70602、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  12. 「発光素子およびその製造方法」、出願番号:12/212,406(US)、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  13. 「半導体製造装置、ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法」、特願2008-330524、発明者:牧原克典、宮崎誠一、出願人:国立大学法人 広島大学
  14. 「金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法」、特願2008-330536、発明者:牧原克典、宮崎誠一、池田弥央、島ノ江和広、出願人:国立大学法人 広島大学
  15. 「結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法」、特願2008-77922、発明者:岡田竜弥、牧原克典、宮崎誠一、出願人:国立大学法人 広島大学
  16. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、特願2008-538611、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  17. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、出願番号:PCT/JP2008/000740、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  18. 「測定装置および測定方法」、特願2008-552633、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  19. 「測定装置および測定方法」、出願番号:PCT/JP2008/002067、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  20. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、出願番号:PCT/JP2007/001361、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  21. 「半導体素子」、出願番号:PCT/JP2007/001360、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、村上秀樹、出願人:国立大学法人 広島大学
  22. 「MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子、これらを利用した光電子集積チップおよびデータ処理装置」、特開2005-032564、発明者:宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  23. 「量子ドット電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び光センサ及びそれらの集積回路」、特開2005-277263、発明者:宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  24. 「半導体装置の製造方法」、特開2005-79306、発明者:有門経敏、北島洋、鳥居和功、山田啓作、宮崎誠一、出願人:(株)半導体先端テクノロジーズ
  25. 「半導体装置およびその製造方法」、特開2005-79309、発明者:有門経敏、川原孝昭、鳥居和功、北島洋、宮崎誠一、出願人:(株)半導体先端テクノロジーズロジーズ
  26. 「光電変換膜とその作製方法」、特開:2001-7381、発明者:平野喜之、佐藤史郎、斎藤信雄、廣瀬全孝、宮崎誠一、出願人:日本放送協会
  27. 「量子構造体を用いた半導体記憶装置」、特開平11-087544、発明者:廣瀬全孝、宮崎誠一、香野淳、出願人:広島大学長
  28. 「プラズマCVD装置」、特開平05-029229、発明者:宮崎誠一、廣瀬全孝、林俊雄、出願人:日本真空技術株式会社

主な研究テーマ

科学研究費補助金(代表者)

研究プロジェクト(分担テーマ推進代表者)

共同研究・受託研究

受賞歴

所属学会

学会役員・委員

応用物理学会:


電子情報通信学会:


日本表面科学会:


電気学会:


学術論文編集委員

社会での活動

日本学術振興会:

国際会議プログラム委員

国際シンポジウムオーガナイザ

国際会議実行委員

国際会議組織運営委員

国際会議諮問委員

その他