印加電流の方向と平行に磁界をかけた状態（縦磁界）では、超伝導体内へ侵入した磁束線にローレンツ力が働かないことから臨界電流密度J_cが向上する等の、縦磁界効果と呼ばれる通常の超伝導体では見られない特異な現象が報告されています。そこで、私の研究では、計算機で3次元TDGL方程式を解くことによって磁束線運動のシミュレーションを行い、縦磁界効果の発現機構の解明に努めます。