Y系超伝導体の超伝導応用機器への実用化には、金属基板上にY系超伝導体をエピタキシャル成長させ、線材を作製しなければならない。 また、Y系超伝導線材は77 Kなどの高温での使用が想定されているため、その使用温度での磁場中臨界電流密度(J_c) の向上が必要不可欠である。本研究では、金属基板上に人工ピンニングセンターの一種であるBaHfO₃を添加した GdBa₂Cu₃O_y薄膜を作製し、BaHfO₃添加量や母相の組成を変化させることで、 磁場中J_c向上を行っている。