多条件高真空チャンバー外観。
パターンプレート駆動機構。
ターゲット回転機構、パターンプレート駆動機構、基板・SiCヒーター部、 RHEED（反射高速電子線回折）部から成る成膜室と、ターボ分子ポンプと ロータリーポンプから成る排気系で構成されている。
SiCヒーターは最高1050oCまで加熱可能で、ヒーターからの輻射で 基板を加熱している。
また、各種ガスを導入することで薄膜成長雰囲気を変えることもできる。
ターゲット回転機構とパターンプレート駆動機構は、PC制御によってエキシマレーザー と連動制御することができるため、多層薄膜や組成傾斜薄膜などの作製が可能である。
また、RHEEDによるその場観察によって、薄膜の成長を原子層レベルで制御することも 可能である。
スペック
・設置可能ターゲット数： 6個。
（PC制御で切替。）
・到達真空度： 10-7 Torr以下
・ヒーター： 4inch SiCヒーター
・ヒーター最高温度：1,050oC (基板表面は950oC)
・その他： RHEED（反射高速電子線回折）、
パターンプレート駆動機構
（PC制御でエキシマレーザー、ターゲット切替と連動。）