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国内学会発表

2023年度

  1. [招待講演] 牧原 克典、宮﨑 誠一、「Si-Geスーパーアトム構造の高密度集積と光・電子物性制御」、S19-1-05、電気化学会第91回大会（名古屋大学、愛知、20214年3月14日-16日）
  2. 佐野 友之輔、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Zr/Hf多重積層構造の後酸化および電極形成後熱処理がHfZr酸化物の結晶構造に与える影響」、23p-A303-3、2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会 (熊本城ホールほか3会場、熊本、2023年9月19日-23日)
  3. 酒井 大希、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、山本 裕司、宮﨑 誠一、「Al/Si0.2Ge0.8(111)上に偏析したSiおよびGeの光電子分光分析」、23p-A602-14、2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会 (熊本城ホールほか3会場、熊本、2023年9月19日-23日)
  4. 木村 圭佑、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「SiO2上へのNiシリサイドナノシート形成におけるH2O2溶液処理の効果」、23p-A602-15、2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会 (熊本城ホールほか3会場、熊本、2023年9月19日-23日)
  5. 白 鍾銀、今井 友貴、辻 綾哉、牧原 克典、宮﨑 誠一、「熱酸化SiO2上へ自己組織化形成したSi量子ドットの成長機構」、20a-B202-7、2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会 (熊本城ホールほか3会場、熊本、2023年9月19日-23日)
  6. 辻 綾哉、今井 友貴、白 鍾銀、牧原 克典、宮﨑 誠一、「極細SiO2 ラインパターン上へのSi 量子ドットの自己組織化形成」、20a-B202-8、2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会 (熊本城ホールほか3会場、熊本、2023年9月19日-23日)
  7. 今井 友貴、牧原 克典、山本 裕司、Wen Wei-Chen、Schubert Markus Andreas、白 鍾銀、辻 綾哉、宮﨑 誠一、「一次元縦積み連結Si量子ドットの形成と局所帯電特性評価」、20a-B202-9、2023年 第84回応用物理学会秋季学術講演会 (熊本城ホールほか3会場、熊本、2023年9月19日-23日)
  8. 斎藤 陽斗、牧原 克典、谷田 駿、田岡 紀之、宮﨑 誠一、「FeナノドットへのSiH4照射がシリサイド化反応に及ぼす影響」、信学技報, vol. 123, no. 89, SDM2023-30, pp. 11-14、電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）「MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術」（広島大学 ナノデバイス研究所、広島、2023年9月20日）
  9. 佐野 友之輔、田岡 紀之、牧原 克典、大田 晃生、宮﨑 誠一、「熱酸化Zr/Hf多重積層構造の結晶構造および強誘電特性評価」、信学技報, vol. 123, no. 89, SDM2023-31, pp. 15-18、電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM）「MOSデバイス・メモリ・パワーデバイス高性能化－材料・プロセス技術」（（広島大学 ナノデバイス研究所、広島、2023年9月20日）
  10. 今井友貴、牧原克典、山本裕司、Wen Wei-Chen, Schubert Andreas Markus、白鍾銀、辻綾哉、宮﨑誠一、「一次元連結 Si 量子ドットの高密度・一括形成と局所帯電特性評価」、P27、第10回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター（名古屋大学 VBL、愛知、2023年11月3日）
  11. 酒井大希、大田晃生、田岡紀之、牧原克典、山本裕司、宮﨑誠一、「Al/Si0.2Ge0.8(111)上への熱処理による Si および Ge の表面偏析制御」、P30、第10回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター（名古屋大学 VBL、愛知、2023年11月3日）
  12. 今井友貴、牧原克典、山本裕司、Wen Wei-Chen、Schubert Andreas Markus、白鍾銀、辻綾哉、宮﨑誠一、「一次元連結・高密度Si量子ドットの形成と局所帯電特性評価」、10(44)、第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（東レ総合研修センター、静岡、2024年2月1日-2日）
  13. 木村圭佑、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「表面酸化処理したSi/Ni/Si構造の熱処理によるSiO2上への極薄NiSi2膜形成、15(23)、第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（東レ総合研修センター、静岡、2024年2月1日-2日）
  14. 佐野友之輔、田岡紀之、大田晃生、牧原克典、宮﨑誠一、「HfZr酸化物へのNi電極形成が結晶構造および化学結合状態に与える影響」、2(24)、第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（東レ総合研修センター、静岡、2024年2月1日-2日）
  15. 酒井 大希、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、山本 裕司、宮﨑 誠一、「Al/SiGe(111)/Si(111)構造の化学構造分析 -熱処理による Si および Ge 偏析-」、14(25)、第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（東レ総合研修センター、静岡、2024年2月1日-2日）
  16. 白鍾銀、今井友貴、辻綾哉、牧原克典、宮﨑誠一、「極薄熱酸化SiO2上に自己組織化形成したSi量子ドットの形成機構」、11(45)、第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（東レ総合研修センター、静岡、2024年2月1日-2日）
  17. ⽩鍾銀、辻綾哉、今井友貴、牧原克典、宮﨑誠⼀、「SiO2ラインパターン上へのSi量⼦ドットの⾃⼰組織化形成ｰラインおよびスペース幅依存性」、25p-31B-4、第71回応用物理学会春季学術講演会（東京都市大学 世田谷キャンパス＆オンライン、2024年3月22日-25日）
  18. 斎藤陽⽃、牧原克典、宮﨑誠⼀、「Feシリサイドコア/Siシェル量⼦ドットの形成と発光特性」、25p-31B-5、第71回応用物理学会春季学術講演会（東京都市大学 世田谷キャンパス＆オンライン、2024年3月22日-25日）
  19. 細井康揮、牧原克典、、斎藤陽⽃、Yuji. Yamamoto、Wen Wei-Chen、Bernd Tillack、宮﨑誠⼀、「GeコアSi量⼦ドットを内包したマイクロディスクの形成と発光特性評価」、25p-31B-6、第71回応用物理学会春季学術講演会（東京都市大学 世田谷キャンパス＆オンライン、2024年3月22日-25日）
  20. ⾕⽥駿、⽊村圭祐、⽥岡紀之、牧原克典、宮﨑誠⼀、「Ni超薄膜へのSiH4照射によるシリサイド化反応制御」、24p-P13-1、第71回応用物理学会春季学術講演会（東京都市大学 世田谷キャンパス＆オンライン、2024年3月22日-25日）
　

2022年度

  1. 斎藤 陽斗、牧原 克典、王 子璐、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一、「Fe ナノドットへの SiH4照射によるβ-FeSi2ナノドットの高密度形成」、16p-PA03-2、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（上智大学＋オンライン、2023年3月15-18日）
  2. 斎藤 陽斗、牧原 克典、王 子璐、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一、「Fe超薄膜へのSiH4照射によるシリサイド化反応制御」、16p-PA03-3、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（上智大学＋オンライン、2023年3月15-18日）
  3. 酒井 大希、松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、山本 裕司、宮﨑 誠一、「Al/Si0.2Ge0.8(111)構造の熱処理によるSiおよびGeの表面偏析」、16a-D511-8、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（上智大学＋オンライン、2023年3月15-18日）
  4. 木村 圭佑、田岡 紀之、西村 駿介、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「SiO2上への極薄ニッケルシリサイド膜形成―Si/Ni/Si初期構造における膜厚依存性―」、16a-D511-10、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（上智大学＋オンライン、2023年3月15-18日）
  5. 牧原 克典、Yamamoto Yuji、Schubert Markus Andreas、田岡 紀之、Tillack Bernd、宮﨑 誠一、「Reduced-Pressure CVDにより形成したGeコアSi量子ドットの構造評価と室温発光特性評価」、17p-D221-1、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（上智大学＋オンライン、2023年3月15-18日）
  6. 今井 友貴、牧原 克典、山本 裕司、Wen Wei-Chen、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一、「AFM/KFMによる熱酸化SOI基板上に自己組織化形成したSi量子ドットの局所帯電特性評価」、17p-B414-7、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（上智大学＋オンライン、2023年3月15-18日）
  7. JIALUN CAI、NORIYUKI TAOKA、KATSUNORI MAKIHARA、AKIO OHTA、SEIICHI MIYAZAKI、「Formation of SiO2 Layer on SiGe/Si Nano-structures using Plasma-enhanced Atomic Layer Deposition」、15p-PA06-2、2023年第70回応用物理学会春季学術講演会（上智大学＋オンライン、2023年3月15-18日）
  8. 酒井 大希、大田 晃生、松下 圭吾、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Al/Si(111)構造の平坦性および結晶性制御と偏析による極薄Si層形成」, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）, P-13 (東レ研修センター + オンライン(Zoom), 静岡, 2023年2月2日-4日)
  9. 木村 圭佑、田岡 紀之、西村 駿介、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「SiO2上に形成したニッケルシリサイド薄膜の膜厚が表面形態・結晶相へ与える影響」, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）, P-14 (東レ研修センター + オンライン(Zoom), 静岡, 2023年2月2日-4日)
  10. 西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「SiO2上へのNiGe薄膜の形成とその電気特性及び電子状態」, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）, P-15 (東レ研修センター + オンライン(Zoom), 静岡, 2023年2月2日-4日)
  11. 松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一、「共晶系の偏析により形成した極薄Ge結晶のデバイスプロセスの検討」, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）, P-16 (東レ研修センター + オンライン(Zoom), 静岡, 2023年2月2日-4日)
  12. 今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一、「AFM/ケルビンプローブモードによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの帯電状態評価」, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）, P-23 (東レ研修センター + オンライン(Zoom), 静岡, 2023年2月2日-4日)
  13. 牧原 克典, Yuji Yamamoto, 今井 友貴, 田岡 紀之, Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack, 宮﨑 誠一、「GeコアSi量子ドットの構造評価と室温発光特性」, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第28回）, P-22 (東レ研修センター + オンライン(Zoom), 静岡, 2023年2月2日-4日)
  14. 松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Al/Ge(111)上に偏析したGe薄膜の化学結合状態分析」, 2022年度 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム, 13 (名古屋大学 野依学術記念交流館・カンファレンスホール (ハイブリッド開催), 愛知県, 2023年1月16日)
  15. 木村 圭佑、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Si酸化膜上に形成したニッケルシリサイド層の 膜厚が結晶相に与える影響」, 2022年度 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム, 18 (名古屋大学 野依学術記念交流館・カンファレンスホール (ハイブリッド開催), 愛知県, 2023年1月16日)
  16. [招待講演] Akio Ohta, Seiichi Miyazaki,「Control of Surface Flatness and Ge Segregation on Metal/Ge Structure Toward Ultrathin and Two-dimensional Ge Crystal Growth , 」ナノ構造・物性－ナノ機能・応用部会合同シンポジウム (彦根勤労福祉会館, 2022年12月9日-10日)
  17. 西嶋 泰樹、松下 圭吾、重松 英、大島 諒、大田 晃生、安藤 裕一郎、白石 誠司、「Al上に合成したGeナノシートにおける偏光依存光電流の観測、」第13回 半導体材料・デバイスフォーラム, O-2 (熊本大学, 2022年10月10日)
  18. [招待講演] 宮﨑 誠一、大田 晃生、「絶縁膜/GaN 界面の化学・電子状態評価－光電子分光分析からの知見、」2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-M206-5, p.100000001-202 (東北大学, 仙台, 2022年9月20日-23日)
  19. 西嶋 泰樹、松下 圭吾、重松 英、大島 諒、大田 晃生、安藤 裕一郎、白石 誠司、「偏析法により合成したGeナノシートにおける光電変換の偏光依存性、」2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-A106-18, p.13-165 (東北大学, 仙台, 2022年9月20日-23日)
  20. 西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「単一結晶相を有する Ni-Germanide 極薄膜の電気特性および電子状態」, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-A106-16, p.13-163 (東北大学, 仙台, 2022年9月20日-23日)
  21. 邱 実、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一、「SiGeナノドット/Si多重集積構造からの電界電子放出」, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 23p-B101-7, p.08-127 (東北大学, 仙台, 2022年9月20日-23日)
  22. 大野 誠貴、大田 晃生、宮﨑 誠一、高倉 将一、仲武 昌史、Guy Le Lay、柚原 淳司、「偏析法によるAg(100)薄膜表面上のGe超薄膜の創製、」一般社団法人 日本物理学会 2022年秋季大会 物性, 12pPSB-8 (東京工業大学, 2022年9月12日-15日)
  23. 安田 航、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「金属Hfの酸化によって形成した酸化物の結晶構造および化学組成にSi基板面方位が与える影響」, 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会、SDM2022-26、信学技報, Vol.122, No.84, pp.9-12. (名古屋大学, 2022年6月21日)
  24. 酒井 大希、松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Si(111)上のAl(111)薄膜形成と熱処理によるSi原子の表面偏析制御」, 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会、SDM2022-26、信学技報, Vol.122, No.84, pp.31-34. (名古屋大学、2022年6月21日)
  25. 武 嘉麟，牧原 克典，田岡 紀之，大田 晃生，宮﨑 誠一、「FePt ナノ構造の帯磁特性評価」，第83回応用物理学会春季学術講演会，23a-A205-12，09-154 (東北大学片平キャンパス、仙台、2022年9月20日-23日)
  26. 木村 圭佑、田岡 紀之、西村　駿介、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「ニッケルシリサイド超薄膜形成におけるSiキャップ層の効果」, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-A106-15(東北大学 キャンパス + オンライン, 2022年9月20日-23日)
  27. 今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮崎 誠一、「高温短時間熱処理による極薄SiO2上に形成したa-Si膜の結晶化」, 2022年 第84回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-C206-6, 12-108 (東北大学 川内北キャンパス + オンライン, 2022年9月20日-23日)
  28. 松下 圭吾、大田 晃生、柴山　茂久、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge 結晶層の転写」，2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 21p-A106-14 (東北大学　川内北キャンパス ＋ オンライン, 2022年9月20日-23日)
  29. 斎藤 陽斗、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一、「Fe シリサイドドットの室温 PL 特性―ドットサイズ依存性」, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-A406-1, 12-001 (東北大学 川内北キャンパス + オンライン, 2022年9月20日-23日)
  30. 木村　圭佑、田岡　紀之、西村　駿介、大田　晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「SiO2上へのニッケルシリサイド薄膜形成とその表面形態・結晶相制御」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2022-06, 信学技報, Vol. 122, No. 84, pp. 27-30. (名古屋大学, 2022年6月21日)
　

2021年度

  1. [招待講演] 牧原 克典、宮﨑 誠一、「Electroluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core」，2021年度 ナノ構造・物性－ナノ機能・応用部会合同シンポジウム、松江テルサ（ハイブリット(対面,オンライン併用)）、2021年12月1日-2日
  2. [招待講演] 牧原 克典、宮﨑 誠一、「ナノドットによる量子物性制御デバイスの開発」，令和３年度「放射線科学とその応用第186委員会」第38回研究会、オンライン、2021年5月18日
  3. 西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「SiO2上に形成したNiGe超薄膜の表面形態と結晶相制御」, 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 25p-D114-2, 13-118 (青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン, 2022年3月22日-26日)
  4. 長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「HCl前洗浄したAl2O3/GaN界面の高温電気的特性」, 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24a-E302-8, 100000000-066 (青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン, 2022年3月22日-26日)
  5. 尾林 秀治、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一、「Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出―ドットサイズ依存性」, 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24p-F408-5, 08-050 (青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン, 2022年3月22日-26日)
  6. 古幡 裕志、斎藤 陽斗、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一、「Feシリサイドドットの発光特性評価」, 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 24p-E103-4, 12-196 (青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン, 2022年3月22日-26日)
  7. 酒井 大希、松下 圭吾、大田 晃生、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Al/Si(111)上に表面偏析したSiの光電子分光分析」, 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 26a-P05-1, 13-197 (青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン, 2022年3月22日-26日)
  8. 木村 圭佑、西村 駿介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「SiO2上へのニッケルシリサイド超薄膜の形成と化学結合状態分析」, 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 26a-P05-2, 13-198 (青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン, 2022年3月22日-26日)
  9. 辻 綾哉、今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮崎 誠一、「Si量子ドットの一次元配列制御」, 2022年 第69回応用物理学会春季学術講演会, 23p-P11-1, 12-178 (青山学院大学 相模原キャンパス + オンライン, 2022年3月22日-26日)
  10. 長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、宮﨑 誠一、「HCl による表面洗浄がAl2O3/GaN 界面特性および電気的特性に与える影響」,電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第27回）,P-15, pp.183-186 (オンライン開催 WebEX, 2022年1月28日- 29日)
  11. 松下 圭吾、大田 晃生、林 将平、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一、「基板加熱によるAl/Ge(111)の結晶性・平坦性の制御と熱処理によるGe 表面偏析」,電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第27回）, P-17, pp.191-196 (オンライン開催 WebEX, 2022年1月28日-29日)
  12. 斎藤 陽斗、古幡 裕志、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一、「FeナノドットへのSiH4照射による Feシリサイドナノドットの高密度・一括形成と室温PL特性評価」,第21回 日本表面真空学会中部支部学術講演会, 2 (オンライン, 2021年12日18日)
  13. 今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一、「AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷分布計測」,第21回 日本表面真空学会中部支部学術講演会, 3 (オンライン, 2021年12日18日)
  14. 伊藤 麻維、洗平 昌晃、大田 晃生、中塚 理、黒澤 昌志、「透過型粉末X線回折による多層ゲルマナンの結晶構造評価」, 2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 10p-N202-19, 13-110 (オンライン、2021年9月10日-13日)
  15. 大田 晃生、松下 圭吾、田岡 紀之、牧原 克典、宮﨑 誠一、「熱処理によるAlおよびAg/Ge(111)上の極薄Ge形成と層厚制御」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2021-06, 信学技報, Vol. 121, No. 71, pp. 27-31. (オンライン開催, 2021年6月22日)
  16. 古幡 裕志、牧原 克典、大田 晃生、田岡 紀之、宮﨑 誠一、「高密度FeナノドットへのSiH4照射によるシリサイド化反応制御」，2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 10p-N302-10 (オンライン開催, 2021年9月10日-13日 (口頭), 21日-23日 (ポスター)).
  17. 松下 圭吾、大田 晃夫、田岡 紀之、林 将平、牧原 克典、宮﨑 誠一、「基板加熱がAl/Ge(111)構造の表面平坦化とGe偏析に及ぼす影響」，2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 10p-N202-18 (オンライン開催, 2021年9月10日-13日 (口頭), 21日-23日 (ポスター)).
  18. 安田航, 田岡 紀之, 大田 晃生, 牧原 克典, 宮﨑 誠一,「後酸化によって形成したHf酸化物の結晶構造に基板面方位が与える影響」，2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 12p-N301-13 (オンライン開催, 2021年9月10日-13日 (口頭), 21日-23日 (ポスター)).
  19. 尾林 秀治、牧原 克典、竹本 竜也、田岡 紀之、大田 晃夫、宮﨑誠一、「Si量子ドット多重集積構造へのP添加による内部ポテンシャル変調と電子放出特性評価」，2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 13p-N323-5 (オンライン開催, 2021年9月10日-13日 (口頭), 21日-23日 (ポスター)).
  20. J. Wu、K. Makihara、H. Zhang、H. Furuhata、N. Taoka、A. Ohta、S. Miyazaki, 「Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots」, 第82回応用物理学会秋季学術講演会，23p-P02-12 (オンライン開催, 2021年9月10日-13日 (口頭), 21日-23日 (ポスター)).
  21. 今井 友貴、牧原 克典、田岡 紀之、大田 晃生、宮﨑 誠一、「AFM/KFMによる超高密度一次元連結Si系量子ドットの局所帯電電荷計測」，2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演会, 10p-N304-5 (オンライン開催, 2021年9月10日-13日 (口頭), 21日-23日 (ポスター)).
  22. 何 智雪, 武 嘉麟, 牧原 克典, 張 海, 古幡 裕志 ，田岡 紀之, 大田 晃生, 宮崎 誠一、「リモート H2 プラズマ支援による高密度 Fe 系シリサイドナノドットの 高密度一括形成 」，2021年 第82回応用物理学会秋季学術講演, 23p-P02-13 (オンライン開催, 2021年9月10日-13日 (口頭), 21日-23日 (ポスター)).
　

2020年度

  1. [招待講演] 牧原 克典、宮﨑 誠一、「Si-Ge系ナノドットの高密度集積と光・電子物性制御」，阪大CSRN 第二回異分野研究交流会 ~半導体ナノカーボン系~、オンライン、2020年8月28日
  2. 前原 拓哉、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一、「低温水素アニール処理がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響」, 2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 08-050, 17a-Z18-5 (オンライン開催, 2021年3月16日-19日)
  3. 長井 大誠、田岡 紀之、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「HCl前洗浄がAl2O3/GaN界面特性に与える影響」, 2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 12-002, 16a-Z13-2 (オンライン開催, 2021年3月16日-19日)
  4. 本田 俊輔、古幡 裕志、大田 晃生、池田 弥央、大島 大輝、加藤 剛志、牧原 克典、宮﨑 誠一、「リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響」, 2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z02-2 (オンライン開催, 2021年3月16日-19日)
  5. 水野 将吾、大田 晃生、鈴木 利明、柚原 淳司、日比野 浩樹、「ゲルマネンの超高真空ラマン分光」, 2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 15-122, 19p-P01-11 (オンライン開催, 2021年3月16日-19日)
  6. 大田 晃生、山田 憲蔵、須川 響、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Ag/Ge 構造の表面偏析制御と平坦化による極薄Ge 結晶形成」,電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― （第26回）, P-5, pp.115-120 (オンライン開催 WebEX／Zoom, 2021年1月22日-23日)
  7. 須川 響、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Sapphire(0001)上アモルファスGe 薄膜の固相結晶化」,電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）, P-6, pp.121-125 (オンライン開催 WebEX／Zoom, 2021年1月22日-23日)
  8. 長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一、「金属Hf/Zr の熱酸化プロセスが結晶相と強誘電特性に与える影響」,電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第26回）, P-1, pp.95-98 (オンライン開催 WebEX／Zoom, 2021年1月22日-23日)
  9. 武藤 寛明、柚原 淳司、小林 征登、大田 晃生、宮崎 誠一、Guy Le Lay、「偏析法によるAl(111)薄膜表面上のゲルマネンの創製」, 2020年 日本物理学会 秋季大会, 11aJ1-5 (オンライン開催, 2020年9月8日-11日)
  10. 長谷川 遼介、田岡 紀之、大田 晃生、牧原 克典、池田 弥央、宮﨑 誠一、「金属Zr/Hf構造の熱酸化によるZrHf酸化物の形成と結晶相制御」，2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 10a-Z24-9 (オンライン開催, 2020年9月8日-11日).
  11. 新林 智文、竹本 竜也、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一、「グラフェン上部電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出 ―コレクタ電極電圧依存性評価」，2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9a-Z21-11 (オンライン開催, 2020年9月8日-11日).
  12. 伊藤 麻維、洗平 昌晃、大田 晃生、中塚 理、黒澤 昌志、「多層ゲルマナンフレークからの水素脱離」，2020年 第81回応用物理学会秋季学術講演会, 9p-Z12-19, 13-079 (オンライン開催, 2020年9月8日-11日)
  13. 本田俊輔, 古幡裕志, 大田 晃生, 池田 弥央,大島大輝, 加藤剛志, 牧原 克典 宮﨑 誠一、「リモート水素プラズマ支援FePt合金ナノドット自己組織化形成プロセスにおける基板温度が磁化特性に与える影響」，2021年 第68回応用物理学会春季学術講演会, 19p-Z02-2 (オンライン開催, 2021年3月16日-19日).
    14. 　

2019年度

  1. 小林 征登、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Al/Ge(111)の表面偏析制御による極薄Ge結晶形成」，第67回応用物理学会春季学術講演会，12p-D519-10，（講演会開催中止）
  2. 新林 智文、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一、「グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出」，第67回応用物理学会春季学術講演会，12p-D511-7，（講演会開催中止）
  3. 牧原 克典、Yamamoto Yuji、藤森 俊太郎、前原 拓哉、池田 弥央、Tillack Bernd、宮崎 誠一、「Reduced-Pressure CVDによるGeコアSi量子ドットの高密度一括形成と発光特性評価」，第67回応用物理学会春季学術講演会，13p-D305-5，（講演会開催中止）
  4. 須川 響、大田 晃生、小林 征登、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「Sapphire(0001)上にスパッタ形成したGe薄膜の結晶化」，第67回応用物理学会春季学術講演会，12p-D519-9， （講演会開催中止）
  5. 武 嘉麟、張 海、古幡 裕志、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮崎 誠一、「磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価」，第67回応用物理学会春季学術講演会，13a-PA5-9，（講演会開催中止）
  6. 鈴木 秀士、向井 慎吾、田 旺帝、野村 昌治、藤森 俊太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、朝倉 清高，「Ge量子ドット像のXANAMによるX線エネルギー依存性測定」，第67回応用物理学会春季学術講演会，14p-D215-2，（講演会開催中止）
  7. [招待講演] 宮﨑 誠一、「薄膜評価法－組成・状態評価」，日本学術振興会　薄膜第131委員会　薄膜工学セミナー、東京、2019年7月5-6日
  8. 大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「光電子エネルギー損失信号によるSi系材料の複素誘電関数評価」，第80回応用物理学会秋季学術講演会, 18a-E303-12, 12-013 (北海道大学 札幌キャンパス, 2019年9月18日-21日)
  9. 前原 拓哉、藤森 俊太郎、池田 弥央、大田 晃生、牧原 克典、宮崎 誠一、「B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響」，第80回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-E317-8, 08-110 (北海道大学 札幌キャンパス, 2019年9月18日-21日)
  10. 橋本 靖司、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、香野 淳、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援による磁性合金FeSiナノドットの高密度・一括形成」，第80回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-E317-6, 08-107 (北海道大学 札幌キャンパス, 2019年9月18日-21日)
  11. 藤森 俊太郎, 前原 拓哉, 今井 友貴, 池田 弥央, 牧原 克典，宮崎 誠一、「GeコアSi 量子ドットにおけるGe選択成長温度が発光特性に及ぼす影響」，第80回応用物理学会秋季学術講演会, 19p-E317-7, 08-109 (北海道大学 札幌キャンパス, 2019年9月18日-21日)
  12. 鈴木 秀士，向井 慎吾，田旺帝，野村 昌治，藤森 俊太郎，池田 弥央，牧原 克典，宮﨑 誠一，朝倉 清高、「Ge試料表面構造のXANAM像の取得」，第80回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-E318-12, 100000000-053 (北海道大学 札幌キャンパス, 2019年9月18日-21日)
  13. 大田 晃生、牧原 克典、生田目 俊秀、塩﨑 宏司、宮﨑 誠一、「HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2019-35, 信学技報, Vol.119, No.96, pp.47-51. (名古屋大学 東山キャンパス, 2019年6月21日)
  14. 小林 征登、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2019-27, 信学技報, Vol.119, No.96, pp.11-16. (名古屋大学 東山キャンパス, 2019年6月21日)
    15. 　

2018年度

  1. [招待講演] 宮﨑 誠一、「電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析」，電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第24回）、東レ研修センター、2019年1月24日-26日
  2. [招待講演] 宮﨑 誠一、「Si-Geスーパーアトム構造の高密度集積と光・電子物性制御」，第1回「ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会」(科学技術交流財団 研究交流センター、2018年6月11日)
  3. [招待講演] 牧原克典、宮崎誠一，「Si-Geナノ構造制御で展開する電子デバイス開発」，2018年日本表面真空学会中部支部研究会 (於 静岡大学, 2018年11月30日)
  4. [招待講演] 牧原克典、宮崎誠一，「ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発と機能進化・高度化への挑戦」，第3回ニューフロンティアリサーチワークショップ (於 岐阜大学, 2018年6月8日)
  5. [依頼講演] 大田 晃生、宮崎誠一、「GaN 洗浄表面および絶縁膜 /GaNGaN 界面の化学結合・欠陥準位密度評価」，NPFセミナー　省エネルギー社会に貢献するGaN材料の将来とそのキープロセス技術、産業技術総合研究所臨海副都心センター別館、2019年3月14日
  6. [招待講演] 大田 晃生、「Two Dimensional Ge Crystal Growth by Annealing of Metal/Ge Stack」，第2回「ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会」 (科学技術交流財団 研究交流センター、2018/10/16)
  7. [依頼講演] 大田 晃生、宮崎誠一、「化学溶液洗浄したGaN 表面および絶縁膜/GaN 界面の化学構造・欠陥準位密度評価」，応用物理学会・先進パワー半導体分科会第4回個別討論会 大阪市中央公会堂、2018年7月30日
  8. 大田 晃生、牧原克典、生田目 俊秀、塩﨑 宏司、宮崎誠一，「Hf/(Si+Hf)組成の異なるHfSiOx/GaN(0001)の光電子分光分析」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 9a-M121-2 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月9日-12日)
  9. 二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一，「GeコアSi 量子ドット/Si 量子ドット多重連結構造から の電界電子放出特性および電子放出エネルギー評価」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 10a-W934-6 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月9日-12日)
  10. 永井僚, 藤森俊太郎, 前原拓哉, 池田弥央, 牧原克典, 大田晃生, 宮崎誠一, 「B添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響」, 第66回応用物理学会春季学術講演会, 10a-W934-7 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月9日-12日)
  11. 小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Ge の化学分析」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 12a-M113-6 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月9日-12日)
  12. 長谷川遼介、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一，「リモートO2プラズマ支援MOCVDによるHf酸化物ナノ ドットの高密度・一括形成」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 11p-W833-10 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月9日-12日)
  13. 竹本竜也, 二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一，「Si量子ドット多重連結構造からの電界電子放出特性 -積層数依存性」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 11a-PB1-1 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月9日-12日)
  14. Yue Xu, Akio Ohta, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Tetsuo Narita, Daigo Kikuta, Koji Shiozaki, Tetsu Kachi, Seiichi Miyazaki，「Study on HCl-based Wet Chemical Cleaning of Epitaxial GaN(0001) Surfaces」，第66回応用物理学会春季学術講演会, 11p-PB3-3 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス, 2019年3月9日-12日)
  15. 松田亮平、大田晃生、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一、「リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価」，信学技報(IEICE Technical Report) Vol. 118 No. 110 pp. 29-32シリコン材料・デバイス研究会, 8 (於　名古屋大学, 2018年6月25日)
  16. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価」，シリコン材料・デバイス研究会、名古屋大学、2019/06/25
  17. グェン スァン チュン、田岡 紀之、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一、「ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較」，シリコン材料・デバイス研究会 名古屋大学、2019/06/25
  18. 今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「熱酸化SiO2/Si(111)の真空紫外光によるUPS分析」，電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第24回）、東レ研修センター、2019年1月24日-26日
  19. 大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「光電子分光法による絶縁酸化膜の誘電関数・光学定数の決定」，電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第24回）、東レ研修センター、2019年1月24日-26日
  20. 田岡 紀之、グェンスァン チュン、山本 泰史、大田 晃生、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、清水 三聡、「リモートプラズマによる表面洗浄とSiO2/GaN構造のin-situ形成」，第79回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場, 2018年9月18日-21日)
  21. 大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮﨑 誠一、「光電子エネルギー損失信号による絶縁酸化膜の誘電関数評価」，2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋国際会議場、2018年9月18日-21日
  22. 高田 昇治、田岡 紀之、大田 晃生、山本 泰史、グェンスァン チュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一 「リモートプラズマを用いて形成したSiO2/Ga2O3/GaN構造のPL特性」，第79回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場, 2018年9月18日-21日)
  23. 二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一，「GeコアSi量子トドット/Si量子トドット多重集積構造からの電界電子放出」，第79回応用物理学会秋季学術講演会, 21a-135-5 (於 名古屋国際会議場, 2018年9月18日-21日)
  24. 小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「真空蒸着によるGe(111)上のAlヘテロエピタキシャル成長」，第79回応用物理学会秋季学術講演会, 18p-235-7, (於 名古屋国際会議場, 2018年9月18日-21日)
  25. 橋本靖司, 牧原克典, 大田晃生, 池田弥央, 宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価」, 第79回応用物理学会秋季学術講演会, 19a-221A-8(於 名古屋国際会議場, 2018年9月18日-21日)
  26. 二村湧斗、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一，「GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造からの弾道電子放出」，応用物理学会SC東海地区学術講演会2018, A1, p.49 (於 名古屋大学, 2018年11月25日)
  27. 小林征登、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、田岡紀之、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出」，応用物理学会SC東海地区学術講演会2018, A11, p.59 (於 名古屋大学, 2018年11月25日)
  28. 橋本靖司, 牧原克典, 大田晃生, 池田弥央, 宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ支援によって高密度形成されたFePt合金ナノドットの磁化特性評価」, 第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, A10 (於 名古屋大学, 2018年11月25日)
  29. 藤森俊太郎, 山田健太郎, 永井僚, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一, 「Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長および発光特性評価」, 第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, P31 (於 名古屋大学, 2018年11月25日)
  30. 永井僚, 藤森俊太郎, 池田弥央, 牧原克典, 大田晃生, 宮崎誠一, 「P添加GeコアSi量子ドットの帯電および局所電気特性評価」, 第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, P30 (於 名古屋大学, 2018年11月25日)
    31. 　

2017年度

  1. [招待講演] 宮崎誠一，「Si-Ge系コア・シェル量子構造の高密度集積と光・電子物性制御」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-C304-3 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  2. [招待講演] 宮崎誠一，「GaN－MOSデバイス開発に向けたゲート絶縁膜及び界面の光電子分光」, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会, （於 名古屋国際会議場, 2017年11月)
  3. [講演奨励賞受賞記念講演] 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「熱処理によるエピタキシャルAg/Ge(111)構造の表面平坦化とGe析出量制御」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F214-1 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  4. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-F206-17 (於早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  5. 藤森俊太郎、山田健太郎、永井僚、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 19a-P5-4 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  6. 今川拓哉、大田晃生、田岡紀之、藤村信幸、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「SiO2/Si構造の真空紫外光電子分光分析」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-B301-2 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  7. 牧原克典、池田弥央、藤村信幸、大田晃生、宮崎誠一，「電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造からのエレクトロルミネッセンス」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F104-5 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  8. 大田晃生、今川拓哉、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「光電子収率分光法による熱酸化SiO2/Si構造の電子状態計測」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 17a-F206-4 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  9. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-F206-17 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  10. 永井僚、山田健太郎、藤森俊太郎、池田弥央、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一，「P添加GeコアSi量子ドットの帯電および電子輸送特性評価」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F104-6 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  11. グェンスァンチュン、田岡紀之、大田晃生、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一，「GaN(0001)面上へのHe希釈リモート酸素プラズマ支援によるSiO2 CVD ― Ar希釈リモート酸素プラズマ支援との違い」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P12-9 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  12. 高田昇治、山本泰史、田岡紀之、大田晃生、グェンスァンチュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一，「リモートプラズマによって酸化されたn-GaNのPL特性」，第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P12-8 (於 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  13. グェンスァンチュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一，「リモートプラズマ支援CVDによる低欠陥密度SiO2/GaN界面の形成」，第17回日本表面科学会中部支部学術講演会, 講演番号1 (於 名古屋大学, 2017年12月16日)
  14. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係」，第17回日本表面科学会中部支部学術講演会, 講演番号6 (於 名古屋大学, 2017年12月16日)
  15. 山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一，「高密度GeコアSi量子ドットの室温EL特性評価」，第17回日本表面科学会中部支部学術講演会, 講演番号10 (於 名古屋大学, 2017年12月16日)
  16. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「二次元結晶合成に向けたAg上Ge極薄膜の形成」，電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第23回研究会), (於 東レ研修センター), P-11, 1月2018年
  17. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「XPSによる極薄high-k/SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価」，電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会), P-26 (於　東レ研修センター, 2018年1月19日-20日)
  18. 田岡紀之, 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎, グェンスァンチュン, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 宮崎誠一, 本山愼一, 清水三聡，「ALD-Al2O3/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減」，電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会), 8-2 (於　東レ研修センター, 2018年1月19日-20日)
  19. 山本泰史, 田岡紀之, 大田晃生, グェンスァンチュン, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一，「プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性」，電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会), 8-3 (於　東レ研修センター, 2018年1月19日-20日)
  20. グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一, 「リモート酸素プラズマ支援CVD SiO2/GaNの化学構造及び電気特性評価」, 電子情報通信学会　電子デバイス研究会,12月1日
  21. 山本泰史、田岡紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一, 「リモート酸素プラズマによって酸化したGaNの表面構造」先進パワー半導体分科会第4回講演会, (於 名古屋国際会議場), IIA-10, 11月2017年
  22. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「高誘電率絶縁膜/SiO2積層構造の光電子分光分析-界面ダイポールと酸素密度の相関-、」 応用物理学会SC東海地区学術講演会2017, PP32, p.72 (於 名古屋大学, 2017年10月29日)
  23. グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一, 「熱処理がリモートプラズマ CVD SiO2/GaN 構造の化学結合状態及び電気特性に与える影響」, 第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), PP29, 10月29日
  24. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「熱処理によるエピタキシャルAg上へのGe二次元結晶の合成指針の構築」、第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会、　(於 名古屋大学), PP15, 10月2017年
  25. 山本泰史、田岡紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一, 「リモートプラズマ酸化したGaNの表面構造と電子状態」第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), PP30, 10月2017年
  26. 今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「入射エネルギー可変の真空紫外光電子分光による固体表面の価電子帯上端位置の計測」第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), PP31, 10月2017年
  27. 山田健太郎、池田弥生、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットのEL特性評価」第５回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), PA7, 10月2017年
  28. 中島 裕太、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一、「硬X線光電子分光法によるSi量子ドット多重集積構造のオペランド分析」第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), A11, 10月2017年
  29. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関、」 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 5p-C11-4, 12-027 (於 福岡国際会議場, 2017年9月5日-8日)
  30. グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一, 「リモート酸素プラズマ支援CVD SiO2/GaNの熱安定性」, 第78回応用物理学会学術講演会, (於 福岡国際会議場), 5P-C17-2, 9月5日
    31. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御」、第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-C19-7, (於 福岡国際会議場, 2017年9月5日-8日)
  31. 山本泰史、田岡紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一, 「リモート酸素プラズマで形成したGa酸化物/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的特性」2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 5p-C17-3, (福岡国際会議場, 福岡市, 福岡県, 2017年9月5日-8日)
  32. 今川 拓哉、大田 晃生、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、加地　徹、塩崎 宏司、宮崎 誠一、「真空紫外光電子分光によるGaNの電子親和力評価」第78回応用物理学会秋季学術講演会, (於 福岡国際会議場), c17, 9月2017年
  33. L. Peng, A. Ohta, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita,, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki, “Study of Wet Chemical Treatments of Epitaxial GaN(0001) Surface”, The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017,( Fukuoka Convention Center, September 2017).
  34. 牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮崎 誠一、「電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性 」 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-A414-2, 12-027 (於 福岡国際会議場, 2017年9月5日-8日)
  35. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2との界面で生じる電位変化の定量」 2017 年真空・表面科学合同講演会 第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会, 1Dp10S, p.28 (於 横浜市立大学金沢八景キャンパス, 2017年8月17日-19日)
  36. グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一, “リモート酸素プラズマ支援CVDによる急峻SiO2/GaN界面の形成とその電気的特性”、第37回表面科学学術講演会、第58回真空に関する連合講演会 、8月19日
  37. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎誠一、「XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価、」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2017-30, 信学技報, Vol. 117, No. 101, pp. 19-24. (キャンパス・イノベーションセンター東京、港区、東京都、 2017年6月20日(火) )
  38. 大田 晃生、加藤 祐介、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価、」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2017-30, 信学技報, Vol. 117, No. 101, pp. 43-48. (キャンパス・イノベーションセンター東京、港区、東京都、 2017年6月20日(火) )
  39. 伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成、」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2017-30, 信学技報, Vol. 117, No. 101, pp. 43-48. (キャンパス・イノベーションセンター東京、港区、東京都、 2017年6月20日(火) )
    40. 　

2016年度

  1. 洗平 昌晃、黒澤 昌志、大田 晃生、白石 賢二、「アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態、」日本物理学会 第72回年次大会(2017年), 20aD42-2 (大阪大学 豊中キャンパス、豊中市、大阪府、2017年3月17日-20日)
  2. 伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 14a-318-4, 13-043 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  3. 山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァンチュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一、「リモート酸素プラズマによるGaN表面酸化」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-315-1, 12-156 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  4. グェンスァンチュン、田岡 紀之、大田 晃生、山本 泰史、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一、「リモートプラズマ支援 CVD SiO2/GaN の界面特性」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-315-7, 12-162 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  5. 高 磊、池田 弥央、山田 健太郎、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一、「Si 細線構造への高密度 Si 量子ドット形成と発光特性」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-P12-2, 12-202 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  6. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「XPSによるHfO2の電子親和力と界面ダイポールの定量」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-413-10, 12-272 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  7. 大田 晃生、村上 秀樹、池田 弥央、牧原 克典、池永 英司、宮崎 誠一、「硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペランド分析 －電位変化および化学結合状態評価－」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-413-4, 12-265 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  8. 加藤 祐介、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「Tiナノドットを埋め込んだSiOx膜の電気抵抗変化特性－定電圧および定電流印加による特性制御－」 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-419-10, 05-261 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  9. 山田 健太郎、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮崎 誠一、「Ge コアSi 量子ドットの発光特性評価」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-E206-11, 12-425 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  10. 中島 裕太、竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一、「硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の電位分布評価」 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-E206-9, 12-423 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  11. 渡辺 浩成、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、森 大輔、寺尾 豊、宮崎 誠一、「ドライおよびN2O酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子占有欠陥評価」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17a-301-7, 13-244 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  12. [招待講演] 洗平 昌晃、黒澤 昌志、大田 晃生、白石 賢二、「絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算」第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 (科学技術交流財団 研究交流センター, 名古屋市, 愛知県, 2017年1月25日) : 招待講演
  13. [招待講演] 黒澤 昌志、大田 晃生、洗平 昌晃、財満 鎭明、「絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術：二次元物質への展開」第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 (科学技術交流財団 研究交流センター, 名古屋市, 愛知県, 2017年1月25日) : 招待講演
  14. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価」 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会), (於 東レ研修センター) , P-20, 1月2017年
  15. グェンチュンスァン、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価」電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会), (於 東レ研修センター) , P-25, 1月2017年
  16. 大田晃生、村上秀樹、池田弥央、牧原克典、池永英司、宮崎誠一、「HAXPES によるSi-MOS キャパシタの化学結合状態および内部電位の深さ方向分析」2016真空・表面科学合同講演会, (於 名古屋国際会議場), 2PB36, 12月2016年
  17. 洗平 昌晃、黒澤昌志、大田 晃生、白石 賢二、「アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態」日本物理学会 2016年秋季大会 (物性), (於 金沢大学), 14a-D62-7, 9月2016年
  18. 渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、森大輔、寺尾豊、宮崎誠一, 「熱酸化SiO2/4H-SiC Si面およびC面の電子占有欠陥および化学構造評価」第16回日本表面科学会中部支部学術講演会, (於 名古屋大学), 講演番号4, 12月2016年
  19. 藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一, 「HfO2/SiO2/Si構造の光電子分光分析－界面ダイポールの定量－」第16回日本表面科学会中部支部学術講演会, (於 名古屋大学), 講演番号3, 12月2016年
  20. 中島裕太、大田晃生、竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一, 「Si系量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性」2016真空・表面科学合同講演会, (於 名古屋国際会議場), P219, 12月2016年
  21. 高磊、竹内大智、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一, 「Si細線構造への高密度Si量子ドット形成」, 2016真空・表面科学合同講演会, (於 名古屋国際会議場), 1PB15, 12月2016年
  22. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「IV 族半導体上に蒸着したAg 薄膜の化学構造評価と反応制御」第36回 表面科学学術講演会,(於　名古屋国際会議場),P154,11月2016年
  23. 加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価」第36回表面科学学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 2PA30, 11月2016年
  24. グェン スァンチュン, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一, 「光電子収率分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の電子占有欠陥評価」, 第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会 (名古屋大学) 10月2016年
  25. 藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるSiO2/SiおよびHfO2/SiO2界面のダイポールの定量」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P9, 10月2016年
  26. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「SiおよびSiGe上に形成したAg表面の化学分析」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016,(於　名古屋大学),P19,10月2016年
  27. 山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一, 「XPSを用いたSiO2およびGeO2の誘電関数・光学定数の評価手法の検討」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P61, 10月2016年
  28. 加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「Ti薄膜およびTiナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Niの電気抵抗スイッチング」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P10, 10月2016年
  29. 渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一,「光電子分光分析によるSiO2/4H-SiCの電子状態評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P11, 10月2016年
  30. 竹内大智、山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドット／Si量子ドット多重集積構造のEL特性」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 13p-A35-13, 9月2016年
  31. グェンスァン チュン，大田 晃生，牧原 克典，池田 弥央，宮崎 誠一,「リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の光電子分光分析」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 16a-B1-11, 9月2016年
  32. 藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一,「HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 15a-B9-4, 9月2016年
  33. 山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一, 「GeコアSi量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 15p-B2-5, 9月2016年
  34. 山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 15p-B9-13, 9月2016年
  35. 王亜萍、竹内大智、池田弥央、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ta酸化物ナノドットの高密度・一括形成 (II) 」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 14a-D62-8, 9月2016年
  36. 河瀨平雅、牧原克典、大田晃生 、池田弥央、宮崎誠一,「FePtナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導特性評価」第77回秋季応用物理学会, (於 朱鷺メッセ), 14a-D62-7, 9月2016年
  37. 渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「4H-SiC Si面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価」第77回秋季応用物理学会, (於 朱鷺メッセ), 16a-C302-4, 9月2016年
  38. グェンスァンチュン, 藤村信幸, 竹内大智, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一,「リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成」, シリコン材料・デバイス研究会(SDM), (於 キャンパス・イノベーションセンター東京), 6月2016年
  39. 藤村信幸、大田晃生、渡辺浩成、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量」電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス], (於　キャンパス・イノベーションセンター東京), SDM2016-40, 6月2016年
    40. 　

2015年度

  1. 洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二、「絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析」日本物理学会 第71回年次大会, (於 東北学院大学), 19pPSA-38, 3月2016年
  2. 近藤圭悟、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「GeコアSi量子ドットの発光メカニズム」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 19p-P2-2, 3月2016年
  3. 山田健太郎、近藤圭悟、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「GeコアSi量子ドットにおけるGeコアサイズがPL特性に及ぼす影響」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 19p-S223-3, 3月2016年
  4. 張海、満行優介、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一、「磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 21a-S223-8, 3月2016年
  5. 満行優介、河瀬平雅、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「FePt ナノドットスタック構造における磁気伝導特性」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 19a-W834-8, 3月2016年
  6. 渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一、「ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価 (II)」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 21a-H101-2, 3月2016年
  7. 張海、満行優介、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一、「磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 21a-S223-8, 3月2016年
  8. 加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだ SiOx膜の抵抗変化特性評価」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 21p-H111-22, 3月2016年
  9. 黒澤昌志、大田晃生、洗平昌晃、財満鎭明、「Ag誘起層交換成長法によるSi極薄膜の形成」第35回表面科学学術講演会 (於 つくば国際会議場), 2P42R, 12月2015年
  10. 洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二、「絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算」第35回表面科学学術講演会 (於 つくば国際会議場), 2P43, , 12月2015年
  11. グェンスァンチュン, 竹内大智, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面改質」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於　東レ研修センター), P-25, 1月2016年
  12. 藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於　東レ研修センター), P-25, 1月2016年
  13. 加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於　東レ研修センター), P-24, 1月2016年
  14. 渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於　東レ研修センター), P-19, 1月2016年
  15. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一, 「Si量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価」第15回日本表面科学会中部支部研究会, (於 名古屋工業大学), 18, 12月2015年
  16. 張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFe3Siナノドットの結晶構造および磁化特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), P19, 11月2015年
  17. 藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるSi系材料の電子親和力決定手法の検討」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), P17, 11月2015年
  18. 近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットからのフォトルミネッセンス特性―温度依存性」応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015, (於 名古屋大学), P18, 11月2015年
  19. 加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Tiナノドットの高密度一括形成とその埋め込みによる抵抗変化特性の向上」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), B9, 11月2015年
  20. 渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一, 「X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiCエネルギーバンドプロファイルの決定」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), P18, 11月2015年
  21. 張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFeシリサイドナノドットの構造および磁化特性評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2R-2, 9月2015年
  22. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一,「P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2D-6, 9月2015年
  23. 藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「X線光電子分光法によるSiおよびSiO2の価電子帯上端位置の決定」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2D-9, 9月2015年
  24. 近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットからの発光スペクトル―温度依存性」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2D-5, 9月2015年
  25. 満行優介、大田晃央、牧原克典、宮崎誠一,「KFMによるFePtナノドットスタック構造の局所帯電評価」第75回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場),14a-2Q-4, 9月2015年
  26. 加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ni/SiOx/Ti Nanodots/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 15a-2H-3, 9月2015年
  27. 河瀨平雅、満行優介、大田晃生 、牧原克典 、宮崎誠一,「外部磁場が高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性に及ぼす影響」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 14a-2Q-3, 9月2015年
  28. 渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一,「ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16-1A-1, 9月2015年
  29. 王亜萍、竹内大智、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ta酸化物ナノドットの高密度一括形成」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 14a-2Q-2, 9月2015年
  30. 加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性」電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2015-46, 6月2015年
  31. 渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価」電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2015-44, 6月2015年
    32. 　

2014年度

  1. 大田晃生、渡邊浩成、グェンスァンチュン、牧原克典、宮崎誠一,「光電子収率分光法によるSiO2/SiC構造の電子状態計測(2)」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 13a-B4-4, 3月2015年
  2. 王亜萍、牧原克典、大田晃生、竹内大智、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるTaナノドットの高密度一括形成」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11a-A20-4, 3月2015年
  3. グェンスァンチュン、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ処理した4H-SiC表面の化学構造および電子状態分析」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 13a-B4-5, 3月2015年
  4. 壁谷悠希、満行優介、張海、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 12p-A20-7, 3月2015年
  5. 張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度一括形成と磁化特性評価」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 13a-A25-10, 3月2015年
  6. 近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一,「P添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11a-A27-12, 3月2015年
  7. 山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「不純物添加がSi量子ドット多重集積構造のEL特性に及ぼす影響」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11p-A25-12, 3月2015年
  8. 満行優介、壁谷悠希、張海、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「外部磁場がFePt合金ナノドットへの電子注入特性に及ぼす影響」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 12p-A20-8, 3月2015年
  9. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11a-A27-12, 3月2015年
  10. 張海、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドナノドットの高密度一括形成」第14回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋大学) , 20, 12月2014年
  11. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Mnナノドットを埋め込んだSiOx-Ni電極MIMダイオードの抵抗変化特性」第14回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋大学) , 20, 12月2014年
  12. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Si-rich酸化膜へのMnナノドット埋め込みが抵抗変化特性へ及ぼす影響」ゲートスタック研究会 (第20回研究会), (於　東レ研修センター), P-7, 1月2015年
  13. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), A4, 11月2014年
  14. 壁谷悠希、張海、福岡諒、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「CoPt合金ナノドット/極薄SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), A11, 11月2014年
  15. グェンスァンチュン、大田晃生、竹内大智、牧原克典、宮崎誠一,「リモートH2プラズマ処理が4H-SiC(0001)の表面マイクロラフネス及び欠陥準位密度に与える影響」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), B16, 11月2014年
  16. 近藤圭悟、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P18, 11月2014年
  17. 山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P19, 11月2014年
  18. 張海、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドドットの高密度形成」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P26, 11月2014年
  19. 満行優介、張海、牧原克典、大田晃生、徳岡良浩、加藤剛志、岩田聡、宮崎誠一,「FePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P27, 11月2014年
  20. 加藤祐介、劉冲、荒井崇、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一,「Niナノドットを電極に用いたSiOx-ReRAMの抵抗変化特性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P28, 11月2014年
  21. 荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Mnナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P29, 11月2014年
  22. 大田晃生、竹内大智、グェンスァンチュン、牧原克典、宮崎誠一,「光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 18p-A17-2, 9月2014年
  23. 山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A15-5, 9月2014年
  24. 温映輝、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるMn-Ge系ナノドットの高密度一括形成」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A6-16, 9月2014年
  25. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Mnナノドット埋め込みSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 20a-A10-3, 9月2014年
  26. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A15-4, 9月2014年
  27. 壁谷悠希、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「FePtナノドット/極薄SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A6-15, 9月2014年
  28. 浜田慎也、村上秀樹、小野貴寛、橋本邦明、大田晃生、花房宏明、東清一郎、宮崎誠一, 「Ge 基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2014-48, 6月2014年
  29. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー), SDM2014-50, 6月2014年
  30. 大田晃生、劉冲、荒井崇、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一,「ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2014-56, 6月2014年
    31. 　

2013年度

  1. 壁谷悠希、張海、福岡諒、牧原克典、宮崎誠一、「磁性AFM探針を用いたCoPt合金ナノドットの電子輸送特性評価-外部磁場依存性」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 17a-F10-3, 3月2014年
  2. 劉冲、荒井崇、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一、「Niナノドット電極を用いたSiOx薄膜の抵抗変化特性」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 17p-PG2-2, 3月2014年
  3. 福岡諒、張海、牧原克典、大田晃生、徳岡良浩、加藤剛志、岩田聡、宮崎誠一、「FePt合金ナノドットの構造および磁化特性評価」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 18a-F11-2, 3月2014年
  4. 荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Mnナノドットを埋め込んだSiOx MIM構造の局所電気伝導解析」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 18p-PA11-4, 3月2014年
  5. 恒川直輝、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「AFM/KFMによる自己整合一次元連結Si量子ドットの局所帯電評価」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19a-D9-11, 3月2014年
  6. 温映輝、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるMnおよびMnジャーマナイドナノドットの高密度一括形成」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-10, 3月2014年
  7. 近藤圭悟、鈴木善久、牧原克典、池田弥央、小山剛志、岸田英夫、宮崎誠一、「P添加GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-11, 3月2014年
  8. 荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Mnナノドットを埋め込んだSiOx 膜の抵抗変化特性」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-E8-11, 3月2014年
  9. 張海、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度形成」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D3-12, 3月2014年
  10. 山田敬久、牧原克典、鈴木善久、池田弥央、宮崎誠一、「P/N制御Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-12, 3月2014年
  11. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価(Ⅱ)」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-13, 3月2014年
  12. 牧原 克典、宮崎 誠一、「金属合金化反応制御による強磁性ナノドットの高密度・自己組織化形成」名古屋大学ナノテクノロジープラットフォーム第１回合同シンポジウム～中部ものづくりは名大から～, (名古屋大学), 2月2014年
  13. 大田 晃生、村上 秀樹、牧原 克典、宮崎 誠一、「光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討」ゲートスタック研究会 (第19回研究会), (於ニューウェルシティー湯河原), P-16, 1月2014年
  14. 小野 貴寛、村上 秀樹、大田 晃生、東 清一郎、宮崎 誠一、「Ge(100)基板への低温As+イオン注入による低抵抗浅接合形成」ゲートスタック研究会 (第19回研究会), (於ニューウェルシティー湯河原), P-17, 1月2014年
  15. 荒井 崇、大田 晃生、福嶋 太紀、牧原 克典、宮崎 誠一、「SiOx/TiO2積層したTi電極MIMダイオードの抵抗スイッチング」第13回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋工業大学) , 10, 12月2013年
  16. 張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度・一括形成」第13回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋工業大学) , 12, 12月2013年
  17. [チュートリアル]宮崎 誠一、「半導体―メタル　接触界面の構造について」第13回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋工業大学) , 12月2013年
  18. 山田 敬久、牧原 克典、鈴木 善久、宮崎 誠一、「B添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), A3, 11月2013年
  19. 壁谷 悠希、張 海、福岡 諒、牧原 克典、宮崎 誠一、「外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電気伝導特性に及ぼす影響」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), A9, 11月2013年
  20. 鈴木 善久、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「一次元連結Si系量子ドットの電界発光減衰特性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P1, 11月2013年
  21. 恒川 直輝、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットにおける帯電電荷の経時変化計測」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P2, 11月2013年
  22. 竹内 大智、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、可貴 裕和、林 司、「導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P3, 11月2013年
  23. 張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度・一括形成」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P21, 11月2013年
  24. 福岡 諒、張 海、牧原 克典、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度・一括形成と磁化特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P22, 11月2013年
  25. 小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20p-B4-8, 9月2013年
  26. 橋本 邦明、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「HfO2/TaGexOyを用いたGe-MIS構造の熱処理による化学構造変化」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 18p-P9-8, 9月2013年
  27. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20a-C9-5, 9月2013年
  28. 張海、福岡諒、壁谷悠希、牧原克典、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度形成」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20a-C11-4, 9月2013年
  29. 鈴木善久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「バイアス印加が一次元連結Si系量子ドットのPL特性に及ぼす影響」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20a-C9-3, 9月2013年
  30. 壁谷悠希、福岡諒、張海、牧原克典、宮崎誠一、「外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電子輸送特性に及ぼす影響」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 19p-C11-4, 9月2013年
  31. 福岡諒、張海、壁谷悠希、恒川直輝、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 19p-C11-3, 9月2013年
  32. 牧原克典、福岡諒、張海、壁谷悠希、大田晃生、宮崎誠一，「リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価 」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 機械振興会館)，SDM2013-53，6月2013年
  33. 大田晃生、福嶋太紀、牧原克典、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 機械振興会館)，SDM2013-56，6月2013年
    34. 　

2012年度

  1. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司、「導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶/柱状Siナノ構造の電子放出特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-B8-3, 3月2013年
  2. 福岡諒、張海、壁谷悠希、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるCoPt合金ナノドットの高密度形成」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-B8-7, 3月2013年
  3. 壁谷悠希、張海、福岡諒、牧原克典、宮崎誠一、「CoPt合金ナノドットの帯磁特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-B8-8, 3月2013年
  4. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Ti電極MIMダイオードにおけるSiOx/TiO2多重積層の抵抗変化特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-F2-15, 3月2013年
  5. 盧義敏、高金、牧原克典、酒池耕平、藤田悠二、池田弥央、大田晃生、東清一郎、宮崎誠一、「Niナノドットによる初期核発生制御を活用した高結晶性Si：H/Ge：Hヘテロ結合の低温堆積」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 28a-A3-9, 3月2013年
  6. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司、「非接触AFMによるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出メカニズム解析」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-4, 3月2013年
  7. 鈴木善久、牧原克典、高見弘貴、池田弥央、宮崎誠一、「パルスバイアス印加が一次元連結 Si 系量子ドットの電界発光に及ぼす影響」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-5, 3月2013年
  8. 牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「自己組織化形成Si 系量子ドットの選択成長」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-6, 3月2013年
  9. 新美博久、 牧原克典、 池田弥央、 宮崎誠一、「縦積み連結 Si 系量子ドットの超高密度集積構造における電子輸送特性」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-9, 3月2013年
  10. 山田 敬久、牧原 克典、高見 弘貴、鈴木 善久、池田 弥央、宮崎 誠一、「多重集積したB 添加量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-10, 3月2013年
  11. 福島太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一, スパッタ形成したTiN/SiOx/TiNダイオードの電気抵抗スイッチング特性評価, ゲートスタック研究会（第18回研究会）,湯河原, 2013年01月25日～26日
  12. 小野貴寛、大田晃生、花房宏明、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, ）：Ⅹ線光電子分光によるAs+イオン注入したGeの化学結合状態分析, ゲートスタック研究会（第18回研究会）,湯河原, 2013年01月25日～26日
  13. 大田晃生、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, スパッタ形成したPt/SiOx/Pt構造の光電子分光分析, ゲートスタック研究会（第18回研究会）,湯河原, 2013年01月25日～26日
  14. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司, 「導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶／柱状Siナノ構造からの電子放出検出」，第12回日本表面科学会中部支部研究会, (於名城大学), 23, 12月2012年
  15. 福島太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一, 「Ti系電極を用いたSiOx膜の化学構造分析と抵抗スイッチング特性評価」，応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], (於 岐阜大学), P-06, 9月2012年
  16. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司, 「導電性AFM探針による極薄Au/柱状Siナノ構造からの電子放出検出」，応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], (於 岐阜大学), P-07, 9月2012年
  17. 張海、市村正也、牧原克典、宮崎誠一, 「溶液ペーストによる無機材料を用いた太陽電池の作製」， 応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], (於 岐阜大学), P-13, 9月2012年
  18. 村上秀樹，大田晃生，芦原龍平，雨宮嘉照，田部井哲夫，横山　新，吉川公麿，宮崎誠一，東清一郎, 「As+イオン注入した4H-SiC基板の化学結合状態評価」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学),, 9月2012年
  19. 小野貴寛，大田晃生，村上秀樹，東清一郎，宮崎誠一, 「As+イオン注入したGe(100)の光電子分光分析」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 9月2012年
  20. 橋本邦明，大田晃生，村上秀樹，東清一郎，宮崎誠一, 「TaOx/p-Ge(100)界面のエネルギーバンドアライメント評価とAl電極ショットキーダイオードの伝導制御」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学)大学, 9月2012年
  21. 大田晃生，Siti Kudnie Sahari，池田弥央，村上秀樹，東清一郎，宮崎誠一, 「ゲルマニウムドライ酸化における基板面方位依存性」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学) , 9月2012年
  22. 高金、牧原克典、池田弥央、福嶋太紀、宮崎誠一，「NiナノドットがGe:H薄膜堆積及び電気伝導特性に及ぼす影響」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 12a-F7-7, 9月2012年
  23. 高金、牧原克典、高見弘貴、竹内大智、酒池耕平、林　将平、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一，「導電性AFM探針によるNiナノドット上に形成した高結晶性Ge:H薄膜の局所伝導評価」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 12a-F7-8, 9月2012年
  24. 張海、市村正也、牧原克典、宮崎誠一，「溶液ペーストによるCuO/ZnOヘテロ構造太陽電池の作成」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13a-H8-18, 9月2012年
  25. 恒川直輝、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一，「AFM/KFMによる一次元連結Si系量子ドットの帯電電荷分布計測」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-12, 9月2012年
  26. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司，「導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出検出」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-14, 9月2012年
  27. 鈴木善久、牧原克典、高見弘貴、池田弥央、宮崎誠一，「パルスバイアス印加による一次元連結Si系量子ドットの電界発光評価」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-16, 9月2012年
  28. 高見弘貴、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一，「電圧パルス幅が一次元連結Si系量子ドットダイオード構造のEL特性に及ぼす影響」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-18, 9月2012年
  29. 福嶋太紀、太田晃生、牧原克典、宮崎誠一，「Ti系電極を用いたSiリッチ酸化層の抵抗変化特性評価」，第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 14a-C13-6, 9月2012年
  30. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一，「Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2012-1，6月2012年
  31. 池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2012-3，6月2012年
  32. 村上秀樹、三嶋健斗、大田晃生、橋本邦明、東清一郎、宮崎誠一，「TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2012-7，6月2012年
  33. 大田晃生、松井真史、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2012-12，6月2012年
  34. 小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2012-14，6月2012年
  35. 牧原克典、池田弥央、宮崎誠一，「［招待講演］一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用」，シリコン材料・デバイス研究会（SDM）/電子デバイス研究会（ED）/電子部品・材料研究会（CPM） [結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料）]，(於 豊橋、豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，ED2012-17，5月2012年
  36. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林　司，「柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価」，シリコン材料・デバイス研究会（SDM）/電子デバイス研究会（ED）/電子部品・材料研究会（CPM） [結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料）]，(於 豊橋、豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，ED2012-36，5月2012年
    37. 　

2011年度

  1. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一，「Ptナノドット電極を用いたSiOx膜の抵抗変化特性評価」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16p-F6-12, 3月2012年
  2. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一，「Pt/SiOx/TiNダイオード構造の抵抗変化特性評価」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16p-F6-11, 3月2012年
  3. 高見弘貴、牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一，「一次元連結Si系量子ドットのEL特性評価」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-5, 3月2012年
  4. 高金、牧原克典、酒池耕平、林将平、出木秀典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一，「GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜堆積―Niナノドットを用いた結晶核発生制御―」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-B6-5, 3月2012年
  5. 牧原克典、山根雅人、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一，奨励賞受賞記念講演：「熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPt およびPt シリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-B3-1, 3月2012年
  6. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司，「導電性AFM 探針による極薄Au/柱状Si ナノ構造の局所電気伝導評価」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-A1-4, 3月2012年
  7. 牧原克典、恒川直輝、池田弥央、宮崎誠一，「AFM/KFM による一次元連結・高密度Si 系量子ドットの帯電状態の経時変化計測」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-8, 3月2012年
  8. 牧原克典、池田弥央、宮崎誠一，「一次元縦積み連結Si 系量子ドットの室温共鳴トンネル伝導」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-7, 3月2012年
  9. 池田弥央、牧原克典、宮崎誠一，「Si 量子ドット/NiSi ナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける光励起電子のパルス電圧応答」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-GP6-11, 3月2012年
  10. 大田晃生、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「Pt/SiOx/Pt 構造における抵抗変化特性」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16p-F6-10, 3月2012年
  11. 近藤博基、安田幸司、牧原克典、宮崎誠一、平松美根男、関根誠、堀勝，「走査プローブ顕微鏡によるカーボンナノウォールの初期成長過程の解明」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-A3-11, 3月2012年
  12. 大塚慎太郎、古屋沙絵子、清水智弘、新宮原正三、牧原克典、宮崎誠一、渡辺忠孝、高野良紀、高瀬浩一，「酸化アルミニウムを用いた抵抗変化メモリのスイッチング電圧のばらつき抑制」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-A3-11, 3月2012年
  13. 大田晃生、Siti Kudnie Sahari、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「ゲルマニウムドライ酸化における温度依存性」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-A5-4, 3月2012年
  14. 小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「高濃度As+イオン注入ゲルマニウム層における化学結合状態評価」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-A6-9, 3月2012年
  15. 松井真史、大田晃生、村上秀樹、小野貴寛、橋本邦明、東清一郎、宮崎誠一，「極薄層挿入によるAl/p-Ge接合のショットキー障壁制御」，第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-3, 3月2012年
  16. 大田 晃生、シティクデニィサハリ、池田 弥央、松井 真史、三嶋 健人、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「Ge熱酸化-酸化温度が熱酸化膜構造に及ぼす影響、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), pp.93-96 (東レ総合研修センター, 三島市, 静岡県, 日本, 2012年1月20日-21日)
  17. 大田 晃生、後藤 優太、西垣 慎吾、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「RFスパッタで形成したSiリッチ酸化薄膜の化学構造分析と抵抗変化特性評価、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), P-30, pp.221-224 (東レ総合研修センター, 三島市, 静岡県, 日本, 2012年1月20日-21日)
  18. 三嶋 健斗、村上 秀樹、大田 晃生、橋本 邦明、東 清一郎、宮崎 誠一、「HfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), P-5, pp.121-124 (東レ総合研修センター, 三島市, 静岡県, 日本, 2012年1月20日-21日)
  19. 松井 真史、大田 晃生、村上 秀樹、小野 貴寛、東 清一郎、宮崎 誠一、「熱処理による金属/GeO2界面化学構造変化－X線光電子分光分析、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), P-17, pp.169-172 (東レ総合研修センター, 三島市, 静岡県, 日本, 2012年1月20日-21日)
  20. 宮崎誠一, 超低消費電力化デバイス開発に向けた材料・プロセス研究, SPring-8コンファレンス2011, 東京ステーションコンファレンス, 2011年11月01日～02日
  21. 牧原克典、池田弥央、山根雅人、東清一郎、宮崎誠一, 「プラズマジェット急速熱処理による高密度Ptナノドット形成とフローティングゲートメモリ応用」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2p-ZQ-3, 9月2011年
  22. 牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一, 「KFMによる微結晶ゲルマニウム薄膜の局所帯電評価」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1p-J-9, 9月2011年
  23. 高金、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司, 「導電性AFMによる柱状Siナノ構造における電気伝導特性評価」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2a-J-2, 9月2011年
  24. 高見弘貴、牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一, 「一次元連結・高密度Si系量子ドットにおけるEL発光」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2a-J-3, 9月2011年
  25. Siti Kudnie Sahari、大田晃生、松井真史、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「Evaluation of Chemical Bonding Features of Thermally-Grown Ge Oxide/Ge(100) System」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1a-Q-6, 9月2011年
  26. 三嶋健斗、村上秀樹、大田晃生、Siti Kudnie Sahari、藤岡知宏、東清一郎、宮崎誠一, 「ALD及びLayer-by-Layer法による極薄Ta酸化膜の形成とGe(100)基板における界面酸化評価」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1a-Q-13, 9月2011年
  27. 村上秀樹、藤岡知宏、大田晃生、三嶋健斗、Siti Kudnie Sahari、東清一郎、宮崎誠一, 「Ge基板上への Layer-by-layer法によるTiOx形成と界面反応制御」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1a-Q-14, 9月2011年
  28. 大田晃生、後藤優太、西垣慎吾、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「RFスパッタにより形成したSiOx薄膜の抵抗変化特性評価」，第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 31p-ZK-8, 8月2011年
  29. 大田晃生、森大樹、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、「Hf系高誘電率絶縁膜のX線光電子分光分析」, 応用物理学会中・四国支部2011年度支部学術講演会, (於 鳥取、鳥取大学), Ca2-3, p.55, 2011年7月30日
  30. 村上秀樹、藤岡知宏、大田晃生、三嶋健斗、東清一郎、宮崎誠一，「Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2011-9，7月2011年
  31. 松井真史、藤岡知宏、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2011-12，7月2011年
  32. 大田晃生、後藤優太、西垣慎吾、Guobin Wei、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会，(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー)，SDM2011-9，7月2011年
    33. 　

2010年度

  1. 牧原克典、出木秀典、森澤直也、池田弥央、宮崎誠一, 「高密度自己整合集積したSi系量子ドットのエレクトロルミネッセンス」，第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 24p-KM-11, 3月2011年
  2. 牧原克典、山根雅人、森澤直也、松本和也、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「熱プラズマジェットミリ秒熱処理による高密度Ptナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用」，第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 24p-KM-9, 3月2011年
  3. 牧原克典、森澤直也、藤岡知宏、松本達弥、林将平、岡田竜弥、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ処理によるPt/a-Ge:Hの合金化反応制御」，第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 24a-P2-20, 3月2011年
  4. 山根雅人、池田弥央、森澤直也、松原良平、西田悠亮、松本和也、林将平、牧原克典、宮崎誠一、東清一郎, 「自己整合一次元連結Si量子ドットの形成」，「熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPtシリサイドナノドットの形成」，第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 24p-KM-10, 3月2011年
  5. 大塚慎太郎、古屋紗絵子、清水智弘、新宮原正三、牧原克典、宮崎誠一、渡辺忠孝、高野良紀、高瀬浩一, 「凹凸構造を持った抵抗変化メモリの電流―電圧特性」，第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 25a-BZ-7, 3月2011年
  6. 後藤優太, 大田晃生, 西垣慎吾, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一, 「Pt/SiOx/Pt キャパシタ構造の抵抗変化特性評価(Ⅱ)」，第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 25a-BZ-3, 3月2011年
  7. G. Wei, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, Y. Goto, S. Higashi and S. Miyazaki, 「Impact of Insertion of Ultrathin TaOx Layer at the Pt/Tio2 Interface on Resistive Switching Characteristics」，第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 25a-BZ-5, 3月2011年
  8. 大田晃生, 後藤優太, 三嶋健斗, Goubin Wei, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎 誠一, 「Ru添加したTiYxOyの抵抗変化特性評価」，第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 25a-BZ-6, 3月2011年
  9. 藤岡知宏, 大田晃生, 三嶋健斗, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一, 「HfO2/Ge界面へのTiOx挿入による界面反応制御」，第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27a-KW-11, 3月2011年
  10. 三嶋 健斗、後藤 優太、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一、宮崎 誠一、「ルテニウムの化学結合および電子状態評価、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第16回研究会), P-13, p.39 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス , 目黒区, 東京都, 2011年1月21日-23日)
  11. 松井 真史、藤岡 知宏、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「X線光電子分光法による金属/GeO2界面の化学結合状態分析、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第16回研究会), P-15, p.41 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス , 目黒区, 東京都, 2011年1月21日-23日)
  12. 大田晃生、後藤優太、モハマド ファイルズ カマルザン、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会，(於 東京、東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所)，SDM2010-38，6月2010年
  13. 藤岡知宏、板東竜也、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎 誠一，「Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価」，電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会，(於 東京、東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所)，SDM2010-47，6月2010年
  14. 大田晃生、藤岡知宏、後藤優太、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「Ge-MIS構造における界面化学結合状態の光電子分光分析」，第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 15p-ZA-7, 9月2010年
  15. 牧原克典、池田弥央、大田晃生、川浪彰、宮崎誠一, 「自己整合一次元連結Si量子ドットの形成」，第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 14p-ZD-8, 9月2010年
  16. 松本竜弥、東清一郎、牧原克典、赤澤宗樹、宮崎誠一, 「微小融液滴下による疑似エピタキシャルGe / Siの形成」，第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 16p-ZD-4, 9月2010年
  17. 池田弥央、中西翔、森澤直也、川浪彰、牧原克典、宮崎誠一,「PtSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける多段階電子注入特性」，第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 17p-ZE-2, 9月2010年
  18. 三嶋健斗、大田晃生、後藤優太、藤岡知宏、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「ルテニウム酸化物の化学結合および電子状態評価」，第71回秋季応用物理学会，(於　長崎大学)，14a-ZD-6，9月2010年
  19. 藤岡知宏、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「有機金属原料を用いたALDによるGe上へのTi酸化膜の形成」，第71回秋季応用物理学会，(於　長崎大学)，15p-ZA-15，9月2010年
  20. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一，「マイクロ熱プラズマジェット結晶化Si膜を用いたTFTの電気特性評価」，第71回秋季応用物理学会，(於　長崎大学)，15p-ZD-16，9月2010年
  21. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一，「マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるSi結晶粒位置制御」，第71回秋季応用物理学会，(於　長崎大学)，15p-ZD-17，9月2010年
  22. 松本和也、東清一郎、宮崎誠一，「マイクロ秒急速熱処理によるSiウェハ表面の高効率不純物活性化」，第71回秋季応用物理学会，(於　長崎大学)，16a-ZD-1，9月2010年
  23. 後藤優太、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「Pt/SiO2/Ptキャパシタ構造の抵抗変化特性評価」，第71回秋季応用物理学会，(於　長崎大学)，17p-NE-5，9月2010年
  24. 赤澤宗樹、東清一郎、松本竜弥、宮崎誠一，「振動伝搬を利用した微小シリコン融液滴下技術の開発」，2010年度支部学術講演会，(於　高知大学)，Ca1-2，7月2010年
  25. 松井真史、藤岡知宏、坂東竜也、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「金属/GeO2および金属/Ge(100)ショットキ界面の光電子分光分析」，2010年度支部学術講演会，(於　高知大学)，Da1-1，7月2010年
  26. 松井真史、藤岡知宏、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「X線光電子分光法による金属/GeO2界面の化学結合状態分析」，第16回ゲートスタック研究会，(於　東京工業大学)，1月2011年
  27. 三嶋健斗、後藤優太、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一，「ルテニウムの化学結合および電子状態評価」，第16回ゲートスタック研究会，(於　東京工業大学)，1月2011年
    28. 　

2009年度

  1. 松本和也、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「高密度熱プラズマジェット照射急速熱処理による極浅接合中の高効率不純物活性化」, 第57回春季応用物理学会, 18p-D-4, 神奈川, 3月2010年
  2. 広重康夫、東清一郎、林将平、西田悠亮、宮崎誠一, 「大気圧熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるゲート絶縁膜の信頼性向上」, 第57回春季応用物理学会, 18p-D-9, 神奈川, 3月2010年
  3. 林将平、東清一郎、広重康夫、村上秀樹、宮崎誠一, 「大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いたSi膜の高速横方向結晶成長とTFTの電気特性評価」, 第57回春季応用物理学会, 18p-D-13, 神奈川, 3月2010年
  4. 藤岡知宏、板東竜也、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「光電子分光法によるGe MISおよびショットキ接合界面の化学結合状態分析」, 第57回春季応用物理学会, 18p-P9-1, 神奈川, 3月2010年
  5. 貫目大介、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「MgO/HfO2/SiO2スタック構造の光電子分光分析」, 第57回春季応用物理学会, 19a-P11-5, 神奈川, 3月2010年
  6. 林将平、東清一郎、広重康夫、村上秀樹、宮崎誠一, 「大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェットを用いた溶融領域の高速走査による高結晶性Si膜の形成とTFT応用」, 第57回春季応用物理学会, 19p-ZB-16, 神奈川, 3月2010年
  7. 筒井啓喜、岡田竜弥、東清一郎、広重康夫、松本和也、宮崎誠一、野口隆, 「リモート水素プラズマ処理における石英基板表面温度の非接触測定」, 第57回春季応用物理学会, 20a-ZB-2, 神奈川, 3月2010年
  8. 大田晃生、モハマド ファイルズ カマルザン、後藤優太、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「TiYxOy膜の化学結合状態分析および抵抗変化特性評価」, 第57回春季応用物理学会, 20a-TQ-4, 神奈川, 3月2010年
  9. 牧原克典、池田弥央、大田晃生、川浪彰、宮崎誠一, 「Si熱酸化膜上へのGe量子ドットの高密度形成」, 第57回春季応用物理学会, 19a-C-4, 神奈川, 3月2010年
  10. 川浪 彰、牧原克典、池田弥央、芦原龍平、宮崎誠一, 「Coナノドットの帯電および帯磁評価」，第57回春季応用物理学会, 19a-C-5, 神奈川, 3月2010年
  11. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, 「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートの光応答特性」，第57回春季応用物理学会, 17p-B-1, 神奈川, 3月2010年
  12. 芦原龍平, 牧原克典、川浪彰、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一，「リモート水素プラズマ支援によるPtAlナノドットの形成」，第57回春季応用物理学会, 19a-C-3, 神奈川, 3月2010年
  13. 宮崎裕介、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一，「Pt/a-Ge:Hのリモート水素プラズマ処理によるPtGe薄膜形成」，第57回春季応用物理学会, 17a-D-9, 神奈川, 3月2010年
  14. 大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、櫻庭政夫、室田淳一, 「SiO2/Si/SiGe0.5/Siヘテロ構造の価電子帯オフセット評価」，第57回春季応用物理学会, 18p-C-6, 神奈川, 3月2010年
  15. 尉国浜、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一, 「The Effect of Anneal Ambient on Resistive Switching Properties with Pt/TiO2/Pt Structure」，第57回春季応用物理学会, 17p-B-8, 神奈川, 3月2010年
  16. Siti Kudnie Sahari、村上秀樹、藤岡知宏、坂東竜也、大田晃生、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一，「Temporal Change in the Native Oxidation of Chemically-cleaned Ge(100) Surfaces」, 第57回春季応用物理学会, 18p-P9-2, 神奈川, 3月2010年
  17. 村口正和、高田幸宏、櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、重田育照、遠藤哲郎, 「２次元電子ガス―量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察」，日本物理学会第65回年次大会, 21aHV-13, 岡山, 3月2010年
  18. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「マイクロ熱プラズマジェット照射超高速ゾーンメルティングによるa-Si膜の結晶化」, 第27回プラズマプロセシング研究会, 横浜, 2月2010年, pp. 75-76, B4-02.
  19. 広重康夫、東清一郎、宮崎祐介、松本和也、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成」, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 奈良, 12月2009年
  20. 広重康夫、東清一郎、岡田竜弥、松本和也、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成」, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会, 京都, 11月2009年, 3P48
  21. 松本和也、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理中の加熱・冷却速度精密制御と不純物活性化への影響」, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会, 京都, 11月2009年, 3O02
  22. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の横方向結晶成長」, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会, 京都, 11月2009年, 2P03
  23. 松本竜弥、東清一郎、宮崎誠一, 「Siマイクロ融液プロセスによる水素終端Si表面での結晶成長制御」, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会, 京都, 11月2009年, 3P08
  24. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の溶融結晶化」, 第3回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール, 静岡, 9月2009年, ポスター番号28
  25. 松本和也、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理時の加熱・冷却速度が不純物活性化に及ぼす影響」, 第3回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール, 静岡, 9月2009年, ポスター番号29
  26. 川浪 彰、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「表面前処理がリモート水素プラズマ支援金属マイグレーションに及ぼす影響」, 第70回秋季応用物理学会, 9p-TB-9, 富山, 9月2009年
  27. 川浪 彰、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ支援によるCoおよびCoシリサイドナノドット形成」, 第70回秋季応用物理学会, 9p-TB-8, 富山, 9月2009年
  28. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, 「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層FG-MOS構造における光誘起電荷移動」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-TG-11, 富山, 9月2009年
  29. 中西 翔、池田弥央、森澤直也、牧原克典、川浪彰、東清一郎、宮崎誠一, 「NiSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける電荷注入・放出特性」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-TA-8, 富山, 9月2009年
  30. 宮崎佑介、牧原克典、川浪彰、岡田竜也、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ支援による表面Pt被覆したa-Ge薄膜の局所結晶化」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-TG-10, 富山, 9月2009年
  31. 貫目大介、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「HfO2層へ熱拡散したMg原子の化学結合状態分析」, 第70回秋季応用物理学会, 8a-TA-6, 富山, 9月2009年
  32. 森大樹、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「X線光電子分光法によるPt/Bi-layer High-k/SiO2スタック構造の内部ポテンシャル評価」, 第70回秋季応用物理学会, 8p-TA-15, 富山, 9月2009年
  33. 後藤優太、貫目大介、大田晃生、尉国浜、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「X線光電子分光法によるTiO2/Pt界面の化学結合状態分析」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-H-4, 富山, 9月2009年
  34. 林将平、東清一郎、広重康夫、松本和也、宮崎誠一, 「大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の結晶化」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-TG-5, 富山, 9月2009年
  35. 松本和也、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理中の加熱・冷却速度制御と不純物活性化」, 第70回秋季応用物理学会, 9p-TG-4, 富山, 9月2009年
  36. 広重康夫、東清一郎、岡田竜弥、松本和也、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成」,第70回秋季応用物理学会, 9p-TG-9, 富山, 9月2009年
  37. 広重康夫、東清一郎、岡田竜弥、松本和也、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理による低温形成SiO2膜の高品質化」, 第70回秋季応用物理学会, 10p-N-13, 富山, 9月2009年
  38. 森大樹、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「Pt/Bi-layer High-k/SiO2スタック構造のバックサイドX線光電子分光分析」, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学会講演会, 広島, 8月2009年, Ca2-3
  39. 松本竜弥、東清一郎、木庭直浩、宮崎誠一, 「Siマイクロ融液プロセスによる水素終端Si表面上での結晶成長制御」, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学会講演会, 広島, 8月2009年, Cp1-3
  40. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, 「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける電荷注入特性」, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学会講演会, 広島, 8月2009年, Cp1-5
  41. 林将平、東清一郎、菅川賢治、加久博隆、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット結晶化μc-Si膜を用いたTFTの電気特性評価」, 第22回プラズマ材料科学シンポジウム, 東京, 6月2009年, p. 83, A4-3.
  42. 大田晃生、貫目大介、東清一郎、宮崎誠一, 「極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散」,シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 東京, 6月2009年
  43. 後藤優太、貫目大介、大田晃生、尉国浜、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価」, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 東京, 6月2009年
    44. 　

2008年度

  1. 大田晃生、森大樹、吉永博路、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、“TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるＸ線光電子分光分析 －Al拡散による実効仕事関数変化の緩和－,” 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会信学技報Vol.108-No.80-p.59, SDM2008-42~57 (東京大学, 東京, 2008年6月9-10)
  2. 門島勝、杉田義博、白石賢二、渡辺平司、大田晃生、宮崎誠一、中島清美、知京豊裕、山田啓作、網中敏夫、黒澤悦男、松木武雄、青山敬幸、奈良安雄、大路譲、 “Metalゲート/HfSiON p-MSOFETにおける閾値上昇現象とその改善,” 第13回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, pp. 13-18, (東レ総合研修センター2008年1月14-15日)
  3. 吉永博路、森大樹、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、“光電子分光法によるRu/HfSiON/SiO2ゲートスタック構造の実効仕事関数評価(II),” 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 29a-H-8 (日本大学, 千葉, 2008年3月27-30)
  4. 牧原克典、大田晃生、松本龍児、池田弥央、島ノ江和弘、東清一郎、宮崎誠一、“リモート水素プラズマ支援により形成したNiシリサイドナノドットの化学結合状態および電子状態評価,” 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZR-9 (日本大学, 千葉, 2008年3月27-30)
  5. 松本龍児、池田弥央、牧原克典、大田晃生、岡田竜弥、島ノ江和広、東清一郎、宮崎誠一、 “NiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電子注入・放出特性,” 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 27a-P2-5 (日本大学, 千葉, 2008年3月27-30)
  6. 松本龍児、池田弥央、牧原克典、大田晃生、岡田竜弥、島ノ江和広、東清一郎、宮崎誠一、“NiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷保持特性,” 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 27a-P2-6 (日本大学, 千葉, 2008年3月27-30)
  7. 森大樹、大田晃生、吉永博路、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、“Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 －Ruの実効仕事関数変化の起源－,” 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会信学技報Vol.108-No.80-p.47, SDM2008-42~57 (東京大学, 東京, 2008年6月9-10)
  8. 小埜芳和、三浦真嗣、大田晃生、村上秀樹、要垣内亮、東清一郎、宮崎誠一、 “光電子分光法によるGe/GeO2界面の化学結合状態評価,” 2008年度 応用物理学会学 中・四国支部例会 Da-09, p86 (愛媛、愛媛大学, 2008年8月2日)
  9. 櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一 “量子ドットフローティングメモリの低温におけるC-V特性”, 日本物理学会 2008年秋季大会, 21aYF-13,　岩手, 9月2008年
  10. 櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一 “量子ドットフローティングメモリの低温におけるC-V特性”, 第69回秋季応用物理学会, 3a-E-11, p.765, 吊古屋, 9月2008年
  11. 高田幸宏、村口正和、櫻井蓉子、野村晋太郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、白石賢二 “シリコン量子ドットフローティングゲート型メモリの理論的考察”, 第69回秋季応用物理学会, 3a-E-10, p.764, 吊古屋, 9月2008年
  12. 池田弥央、島ノ江和広、牧原克典、宮崎誠一 “NiナノドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷保持特性”, 第69回秋季応用物理学会, 3a-E-9, p.764, 吊古屋, 9月2008年
  13. 川浪彰、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一 “Si量子ドットの核発生制御と高密度形成”, 第69回秋季応用物理学会, 3a-G-6, p.685, 吊古屋, 9月2008年
  14. 島ノ江和広、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一 “リモートプラズマ支援による金属ナノドット形成＊希ガスプラズマと水素プラズマの比較”, 第69回秋季応用物理学会, 3a-G-7, p.685, 吊古屋, 9月2008年
  15. 牧原克典、Syed Mahboob、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、黒田章夫 “AFM/KFMによる水素終端Si表面およびSi熱酸化膜表面に吸着したSi結合タンパク質の電気的検出”, 第69回秋季応用物理学会, 3p-P10-16, p.1098, 吊古屋, 9月2008年
  16. S. Mahboob，K. Makihara，M. Ikeda，S. Higashi，S. Miyazaki，Y. Hata and A. Kuroda “Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Silica Binding Protein-Protein A on Thermally Grown SiO2/Si(111) Surface”, 第56回春季応用物理学会, 31p-ZA-9, 茨城, 3月2009年
  17. 池田弥央、牧原克典、島ノ江和広、川浪彰、中西翔、森澤直也、藤本淳仁、大田晃生、貫目大介、宮崎誠一 “HfO2コントロール酸化膜を有するNiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電子注入特性”, 第56回春季応用物理学会, 2p-V-5, 茨城, 3月2009年
  18. 島ノ江和広、川浪　彰、藤本淳仁、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一 “リモートプラズマ支援による金属ナノドット形成メカニズム”, 第56回春季応用物理学会, 2a-P17-11, 茨城, 3月2009年
  19. 牧原克典、池田弥央、川浪　彰、東清一郎、宮崎誠一 “超高密度Si量子ドットにおける二次元電気伝導”, 第56回春季応用物理学会, 1a-P13-16, 茨城, 3月2009年
  20. 櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、村口正和、遠藤哲郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一 “Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける過渡電流特性”, 第56回春季応用物理学会, 2p-V-6, 茨城, 3月2009年
  21. 野村晋太郎、櫻井蓉子、高田幸宏、白石賢二、村口正和、遠藤哲郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一 “電子励起状態を介した量子ドットへのトンネル現象の変調”, 第56回春季応用物理学会, 1p-D-5, 茨城, 3月2009年
  22. 村口正和、遠藤哲郎、宮崎誠一、牧原克典、池田弥央、野村晋太郎、櫻井蓉子、高田幸宏、白石賢二 “少数電子で動く未来デバイスの姿 –量子電子ダイナミクスからのメッセージ-”, 第56回春季応用物理学会, 1p-ZT-9, 茨城, 3月2009年
  23. 村口正和, 遠藤哲郎, 櫻井蓉子, 　野村晋太郎,　高田幸宏,　白石賢二,　池田弥央,　牧原克典,　宮崎誠一, 斉藤慎一 “電子ガス＊量子ドット結合系における電子ダイナミクスII”, 日本物理学会第64回年次大会, 東京, 3月2009年
  24. 櫻井蓉子、野村晋太郎、高田幸宏、白石賢二、村口正和、遠藤哲郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一 “電子ガス―量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性”, 日本物理学会第64回年次大会, 東京, 3月2009年
  25. 高田幸宏、櫻井蓉子、村口正和、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、遠藤哲郎、野村晋太郎、白石賢二 “電子ガス＊量子ドット結合系における電子構造Ⅱ”, 日本物理学会第64回年次大会, 東京, 3月2009年
    26. 　

2007年度

  1. 大田晃生、吉永博路、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、 “Ru/HfSiON ゲートスタック構造の光電子分光分析－低温熱処理による実効仕事関数変化,” 第68回秋季 応用物理学会学術講演会6p-ZM9 (北海道、北海道工業大学2007年9月4日-9月8日)
  2. 大田晃生、要垣内亮、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “光電子分光分析によるHfLaxOy 薄膜の化学結合状態評価,” 第68回秋季 応用物理学会学術講演会7a-ZM11 (北海道、北海道工業大学2007年9月4日-9月8日)
  3. 宗高勇気、大田晃生、津郷晶也、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、 “光電子収率分光法によるN添加Hfシリケートの欠陥準位密度評価,” 第12回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性 [P-30], pp. 333-338 (東レ総合研修センター2007年2月2-3日)
  4. 宗高勇気、大田晃生、津郷晶也、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、 “光電子収率分光法によるHfSiOxNyの欠陥準位密度評価,” 第54回応用物理学関係連合講演会, 28a-ZH13 (青山学院大学、2007年3月27日～30日)
  5. 三浦真嗣、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、 “プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測,” 第54回応用物理学関係連合講演会, 30a-ZK8 (青山学院大学、2007年3月27日～30日)
  6. 中川博、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “HfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造における熱的安定性評価,” 第54回応用物理学関係連合講演会, 30p-ZH7 (青山学院大学、2007年3月27日～30日)
  7. 喜多祐起、吉田慎一、志村考功、安武潔、渡部平司、白石賢二、大田晃生、宮崎誠一、奈良安雄、山田啓作、 “Hf系ゲート絶縁膜/電極界面の実効仕事関数変調機構の統一的理解,” 第54回応用物理学関係連合講演会, 28p-ZH12 (青山学院大学、2007年3月27日～30日)
  8. 三浦真嗣、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、 “プラズマ CVD SiNx 薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測,” 電気通信情報学会(SDM) 2007シリコン材料・デバイス信学技報Vol.107-No.85-p.17 SDM2007-31~51 (広島、広島大学2007年6月7-8日)
  9. 白石博之、細井卓治、大田晃生、宮崎誠一、芝原健太郎、 “B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調,” 電気通信情報学会(SDM) 2007シリコン材料・デバイス信学技報Vol.107-No.85-p.33 SDM2007-31~51 (広島、広島大学2007年6月7-8日)
  10. 奥山一樹、牧原克典、大田晃生、村上秀樹、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一、 “Si量子ドットへの不純物添加が発光特性に及ぼす影響,” 2007年度 応用物理学会学　中・四国支部例会 Dp-5, p81 (岡山、岡山大学津島キャンパス 2007年8月4日)
  11. 三浦真嗣、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、 “プラズマ CVD SiNx 薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測,” 2007年度 応用物理学会学　中・四国支部例会 Dp-6, p82 (岡山、岡山大学津島キャンパス 2007年8月4日)
  12. 吉永博路、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、 “下地SiO2膜厚の異なるRu /HfSiON/SiO2ゲートスタック構造の実効仕事関数評価,” 第68回秋季 応用物理学会学術講演会6p-ZM7 (北海道、北海道工業大学2007年9月4日-9月8日)
  13. 要垣内亮、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “La-DPM錯体を用いたMOCVDによるLa系酸化薄膜形成とNH3熱処理効果,” 第68回秋季 応用物理学会学術講演会7a-ZM10 (北海道、北海道工業大学2007年9月4日-9月8日)
  14. 細井卓治、大田晃生、白石博之、宮崎誠一、芝原健太郎、 “不純物添加Pd2Si フルシリサイドゲートの界面構造と仕事関数変調,”
    15. 第68回秋季 応用物理学会学術講演会6a-P10-12 (北海道、北海道工業大学2007年9月4日-9月8日)
  15. 門島勝、杉田義博、白石賢二、渡辺平司、大田晃生、宮崎誠一、中島清美、知京豊裕、山田啓作、網中敏夫、黒澤悦男、松木武雄、青山敬幸、奈良安雄、大路譲、 “Ru電極を用いたp-metalピニング現象の改善策と検討,” 第68回秋季 応用物理学会学術講演会5p-ZQ9 (北海道、北海道工業大学2007年9月4日-9月8日)
  16. 島ノ江和広、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “Formation of Pt Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma”, The 18th Symposium of The Materials Research Society of Japan, H-20M, pp. 197, Tokyo, Japan, Nov., 2007.
  17. 島ノ江和広、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “リモート水素プラズマ処理によるPtナノドット密度制御”, 第68回秋季応用物理学会, 5a-N-19, p.1409, 北海道, 9月2007年
  18. 松本龍児、池田弥央、牧原克典、岡田竜弥、島ノ江和広、東清一郎、宮崎誠一, “NiSiドット/Si量子ドット積層構造フローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷注入特性”, 第68回秋季応用物理学会, 6a-ZE-4, p.876, 北海道, 9月2007年
  19. 大田晃生、要垣内亮、村上秀樹、東清一郎、池永英司、小林啓介、宮崎誠一、 “PtおよびSi(100)基板上に形成したHfLaxOy薄膜の化学結合状態分析および電子障壁高さの決定,” 第13回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, P-17, pp. 255-260, (東レ総合研修センター2008年1月14-15日)
  20. 大田晃生、吉永博路、宮崎誠一、門島勝、奈良安雄、 “HfSiONへの低価数イオン添加が化学結合および電子状態に及ぼす影響,” 2008年春季 第55回応用物理学関係連合講演会, 27p-X-4 (日本大学, 千葉, 2008年3月27-30)
  21. 小埜芳和、加久博隆、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, “GeH4 VHF-ICP による高結晶性Ge:H 膜の高速堆積”, 第55回春季応用物理学会, 28p-ZR-10, p.814, 千葉, 3月2008年
  22. 島ノ江和広、牧原克典、池田弥央、松本龍児、東清一郎、宮崎誠一, “リモート水素プラズマ支援によるPd ナノドット形成”, 第55回春季応用物理学会, 30a-ZR-11, p.823, 千葉, 3月2008年
  23. 牧原克典、大田晃生、松本龍児、池田弥央、島ノ江和広、東清一郎、宮崎誠一, “リモート水素プラズマ支援により形成したNiシリサイドナノドットの化学結合状態および電子状態評価”, 第55回春季応用物理学会, 30a-ZR-9, p.822, 千葉, 3月2008年
  24. 西原良祐、牧原克典、池田弥央、松本龍児、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/KFMによる高密度Ptシリサイドナノドットの帯電状態計測”, 第55回春季応用物理学会, 30a-ZR-8, p.822, 千葉, 3月2008年
  25. 川浪彰、牧原克典、池田弥央、松本龍児、山本雄治、東清一郎、宮崎誠一, “SiGe量子ドットの一次元配列成長”, 第55回春季応用物理学会, 30a-ZR-7, p.822, 千葉, 3月2008年
    26. 　

2006年度

  1. 大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、川原孝昭、鳥居和功、奈良安雄、 “HfSiOx/SiON スタック構造の光電子分光分析,” 第67回秋季 応用物理学会学術講演会30a-P5-1 (滋賀、立命館大学2006年8月29日-9月1日)
  2. 中川博、大田晃生、多比良昌弘、安部浩透、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “Ge(100)表面の真空紫外光励起NH3窒化,” 第11回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性p.323 (東レ総合研修センター2006年1月)
  3. 細井卓治、佐野孝輔、日野真毅、大田晃生、牧原克典、加久博隆、宮崎誠一、芝原健太郎、 “不純物添加HNiSi/SiO2ゲートスタック構造の界面評価,” 第11回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性p.293 (東レ総合研修センター2006年1月)
  4. 中川博、大田晃生、多比良昌弘、安部浩透、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析,” 第53回春季 応用物理学会学術講演会23p-V-16 (東京、武蔵工業大学2006年3月)
  5. 東大介、村上秀樹、大田晃生、宗高勇気、吉永博路、東清一郎、宮崎誠一、青山敬幸、芝原健太郎、 “NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の仕事関数評価,” 第53回春季 応用物理学会学術講演会24p-W-14 (東京、武蔵工業大学2006年3月)
  6. 多比良昌弘、古川寛章、大田晃生、中川博、村上秀樹、宮崎誠一、米田賢司、堀川貢弘、小山邦明、 “光電子分光分析によるAl2O3/SiNx/poly-Siスタック構造における界面反応評価,” 第53回春季 応用物理学会学術講演会23p-V-10 (東京、武蔵工業大学2006年3月)
  7. 宗高勇気、竹野文人、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、門島勝、生田目俊秀、 “極薄HfO2/Si(100)上に形成したPtSi層の光電子分光分析,” 第53回春季 応用物理学会学術講演会22a-V-5 (東京、武蔵工業大学2006年3月)
  8. 中川博、大田晃生、安部浩透、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “HfO2/Ge(100)構造における光電子分光分析,” 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会信学技報Vol.106-No.108-p.7. SDM2006-42~64 (広島、広島大学、2006年6月21-22日)
  9. 古川寛章、多比良昌弘、大田晃生、中川博、村上秀樹、宮崎誠一、米田賢司、堀川貢弘、小山邦明、三宅秀治、 “光電子分光分析によるAl2O3/SiNx/poly-Siスタック構造における界面反応評価,” 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会信学技報Vol.106-No.108-p.13. SDM2006-42~64 (広島、広島大学、2006年6月21-22日)
  10. 吉永博路、東大介、村上秀樹、大田晃生、宗高勇気、東清一郎、宮崎誠一、青山敬幸、保坂公彦、芝原健太郎、 “NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価,” 電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会信学技報Vol.106-No.108-p.43. SDM2006-42~64 (広島、広島大学、2006年6月21-22日)
  11. 吉永博路、大田晃生、宗高勇気、村上秀樹、東大介、東清一郎、宮崎誠一、青山敬幸、保坂公彦、芝原健太郎、 “Ni-Silicide/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNi-Silicide 層の実効仕事関数評価(Ⅱ),” 第67回秋季 応用物理学会学術講演会31a-ZQ-7 (滋賀、立命館大学2006年8月29日-9月1日)
  12. 中川博、大田晃生、安部浩透、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “薄膜Si 層のNH3 熱窒化により形成したSiONx/Ge(100)構造における化学結合状態評価,” 第67回秋季 応用物理学会学術講演会31p-P12-2 (滋賀、立命館大学2006年8月29日-9月1日)
  13. K. Kawaguchi, K. Makihara, A. Ohta, S. Higashi, S. Miyazaki, “Luminescence Study of Multiply-Stacked Si Quantum Dots,” 第17回日本MRS学術シンポジウム(J-MRS), F-19-M, p. 150 (東京、日本大学、2006年12月8-10日)
  14. 坂田務、牧原克典、中川博、東清一郎、宮崎誠一, “High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge:H Films from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4”, The 17th Symposium of The Materials Research Society of Japan, H-24-M, p.178, 東京, 12月2006年
  15. 川口恭裕、牧原克典、大田晃生、東清一郎、宮崎誠一, “Luminescence Study of Multiply-Stacked Si Quantum Dots”, The 17th Symposium of The Materials Research Society of Japan, F-19-M, p.150, 東京, 12月2006年
  16. 坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, “GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の形成”, 第67回秋季応用物理学会, 29p-X-2, p.833, 滋賀, 8月2006年
  17. 川口恭裕、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “Si量子ドット/SiO2多重集積構造からの発光特性”, 第67回秋季応用物理学会, 31p-ZN-18, p.698, 滋賀, 8月2006年
  18. 西原良祐、牧原克典、松本龍児、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/KFMによるNiSiドットの帯電状態計測”, 第67回秋季応用物理学会, 31p-ZN-17, p.698, 滋賀, 8月2006年
  19. 牧原克典、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/ケルビンプローブによる上純物添加Si量子ドットの帯電評価”, 第67回秋季応用物理学会, 31p-ZN-16, p.698, 滋賀, 8月2006年
  20. 西原良祐、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/KFMによるNiSiドットの帯電状態評価”, 応用物理学会2006年度中国四国支部例会, B-a-6, p.119, 徳島, 8月2006年
  21. 大田晃生、宮崎誠一、赤坂泰士、渡辺平司、白石賢司、山田啓作、犬宮誠治、奈良安雄、 “TiN/HfSiONゲートスタック構造の実効仕事関数評価と制御指針,” 第12回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性pp. 103-108, (東レ総合研修センター2007年2月2-3日)
  22. 大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “光電子分光法によるHfO2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価,” 電気通信情報学会(SDM) 2007シリコン材料・デバイス信学技報Vol.107-No.85-p.91 SDM2007-31~51 (広島、広島大学2007年6月7-8日)
  23. 坂田務、出木秀典、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, “GeH4 VHF-ICPからのGe結晶薄膜の低温・高速成長＊基板依存性”, 第54回春季応用物理学会, 27p-M-5, p.976, 神奈川, 3月2007年
  24. 坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, “GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge薄膜の低温高速堆積”, 第54回春季応用物理学会, 27p-M-4, p.976, 神奈川, 3月2007年
  25. 西原良祐、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/KFMによる孤立NiSiドットの帯電状態計測”, 第54回春季応用物理学会, 28p-K-7, p.822, 神奈川, 3月2007年
  26. 島ノ江和広、牧原克典、川口恭裕、奥山一樹、西原良祐、池田弥央、松本龍児、東清一郎、宮崎誠一, “リモート水素プラズマ支援によるNiナノドット形成＊ドット密度制御”, 第54回春季応用物理学会, 28p-K-8, p.823, 神奈川, 3月2007年
  27. 川口恭裕、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, “上純物添加Si量子ドット/SiO2多重集積構造からの発光”, 第54回春季応用物理学会, 28p-K-4, p.821, 神奈川, 3月2007年
  28. 牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “上純物添加がGeコアSi量子ドットの帯電状態に及ぼす影響”, 第54回春季応用物理学会, 28p-K-3, p.821, 神奈川, 3月2007年
    29. 　

2005年度

  1. 大田晃生、古川寛章、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“極薄GeO2/Ge構造のX線光電子分光分析,” 第66回秋季 応用物理学会学術講演会8p-ZK-17 (徳島、徳島大学2005年9月)
  2. 大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、“HfSiOxN/Si(100)系の光電子分光分析,” 第66回秋季 応用物理学会学術講演会10a-ZK-8 (徳島、 徳島大学2005年9月)
  3. A. Ohta, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya and Y. Nara, “Photoemission Study of Ultrathin HfSiON/Si(100) System,” 第16回日本MRS学術シンポジウム(J-MRS), p. 166 (東京、日本大学、2005年12月9-11日)
  4. 中川博、竹野文人、大田晃生、長町学、村上秀樹、宮崎誠一、“窒素添加したHfO2/Si(100)構造における化学結合状態評価,” 第10回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性p. 285 (東レ総合研修センター2005年1月)
  5. 竹野文人、大田晃生、宮崎誠一、米田賢司、堀川貢弘、小山邦明、“高温熱処理がALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100)スタック構造に与える影響-光電子分光分析,” 第10回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性pp. 291 (東レ総合研修センター2005年1月)
  6. 竹野文人、大田晃生、中川博、宮崎誠一、米田賢司、堀川貢弘、小山邦明、“光電子収率分光法によるAl2O3/Si3N4/Si(100)スタック構造の欠陥準位密度評価,” 第52回春季 応用物理学会学術講演会29p-ZB-15 (埼玉、埼玉大学2005年3月)
  7. 中川博、竹野文人、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“低温NH3処理によるHfO2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価,” 第52回春季 応用物理学会学術講演会30p-ZB-11 (埼玉、埼玉大学2005年3月)
  8. 長町学、大田晃生、竹野文人、中川博、村上秀樹、宮崎誠一、川原孝昭、鳥居和功、“Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOSキャパシタのリーク電流解析,” 第52回春季 応用物理学会学術講演会31p-ZB-5 (埼玉、埼玉大学2005年3月)
  9. 安部浩透、中川博、多比良昌弘、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“窒素添加Y2O3ゲートスタックにおける化学結合および電気特性評価,” 電気通信情報学会(SDM) 2005シリコン材料・デバイス信学技報Vol.105- No.109-p.41. SDM2005-70~86 (広島、広島大学2005/06/9-10)
  10. 中川博、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“低温NH3処理によるHfO2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価,” 電気通信情報学会(SDM) 2005シリコン材料・デバイス信学技報Vol.105- No.109-p.57. SDM2005-70~86 (広島、広島大学2005/06/9-10)
  11. 安部浩透、中川博、大田晃生、多比良昌弘、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“窒素添加Y2O3ゲートスタックにおける化学構造及び電気的特性評価,” 2005年度 応用物理学会学 中・四国支部例会, Fp-7, p. 120 (島根、島根大学2005年7月30日)
  12. 中川博、大田晃生、多比良昌弘、安部浩透、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“Ge(100)表面の真空紫外光励起NH3窒化,” 第66回秋季 応用物理学会学術講演会8p-ZK-8 (徳島、 徳島大学2005年9月)
  13. Y. Munetaka, F.Takeno, A. Ohta, H.Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, M. Kadoshima and T. Nabatame, “Characterization of FUSI-PtSi Formed on Ultrathin HfO2/Si(100) by Photoelectron Spectroscopy,” 第16回日本MRS学術シンポジウム(J-MRS), p. 164 (東京、日本大学、2005年12月9-11日)
  14. M.Taira, A. Ohta, H. Nakagawa, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa and K. Kuniaki, “Influence of thermal annealing on defect states and chemical structure in ultrathin Al2O3/SiNx/poly-Si,” 第16回日本MRS学術シンポジウム(J-MRS), p. 164 (東京、日本大学、2005年12月9-11日)
  15. H. Nakagawa, A. Ohta, M.Taira, H. Abe, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Nitridation of Ge(100) Surface by Vaccume-ultra violet (VUV) Irradiation in NH3 ambient,” 第16回日本MRS学術シンポジウム(J-MRS), p. 164 (東京、日本大学、2005年12月9-11日)
  16. H. Abe, H. Nakagawa, M.Taira, A. Ohta, S. Higashi and S. Miyazaki, “Impact of Nitrogen incorporation into Yttrium Oxide on Chemical Bonding Features and Electrical Properties,” 第16回日本MRS学術シンポジウム(J-MRS), p. 164 (東京、日本大学、2005年12月9-11日)
  17. 牧原克典、永井武志、池田弥央、川口恭裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “価電子制御したSi量子ドットフローティングにおける電荷注入・放出特性”, 第53回春季応用物理学会, 24p-X-12, p.924, 東京, 3月2006年
  18. 牧原克典、池田弥央、永井武志、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices”, The 16th Symposium of The Materials Research Society of Japan, G1-011-D, p.168, 東京, 11月, 2005年
  19. 坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, “GeH4VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の高速堆積”, 第66回秋季応用物理学会, 11a-M-10, p.786, 徳島, 9月2005年
  20. 持留雅志、西谷純一郎、牧原克典、多比良昌弘、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/ケルビンプローブによるNiSiドットの帯電状態評価”, 第66回秋季応用物理学会, 7p-P3-4, p.650, 徳島, 9月2005年
  21. 西谷潤一郎、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/ケルビンプローブによる孤立Si量子ドットの電荷保持特性評価”, 第66回秋季応用物理学会, 7p-P3-3, p.649, 徳島, 9月2005年
  22. 牧原克典、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/ケルビンプローブによるBドープSi量子ドットの帯電状態評価”, 第66回秋季応用物理学会, 7p-P3-2, p.649, 徳島, 9月2005年
  23. 牧原克典、徐駿、川口恭裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/ケルビンプローブによるPドープSi量子ドットの帯電状態評価”, 応用物理学会2005年度中国四国支部例会, Fp-6, p.119, 島根, 7月2005年
  24. 大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、 “極薄GeO2/Geヘテロ構造のX線光電子分光分析,” 第11回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性p.351(東レ総合研修センター2006年1月)
  25. 大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、 “N添加Hfシリケート薄膜のX線光電子分光分析,” 第11回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性p.357(東レ総合研修センター2006年1月)
  26. 大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、犬宮誠治、奈良安雄、 “HfSiOxNy薄膜の光電子分光分析―化学組成および欠陥密度の深さ方向分析,” 第53回春季 応用物理学会学術講演会25p-V-11 (東京、武蔵工業大学2006年3月)
  27. 坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, “H2希釈GeH4ガスVHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の形成”, 第53回春季応用物理学会, 22a-P-9, p.977, 東京, 3月2006年
  28. 西谷潤一郎、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO2多重集積構造の帯電電荷分布計測”, 第53回春季応用物理学会, 22p-V-7, p.818, 東京, 3月2006年
    29. 　

2004年度

  1. 大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、川原孝昭、鳥居和功、宮崎誠一、“光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価,” 電気通信情報学会(SDM) 2004シリコン材料・デバイス信学技報, Vol.104- No.134-p.39. SDM2004-35~46(東京、2004/06/21-22)
  2. 杉村将士、大田晃生、中川博、柴口拓、東清一郎、宮崎誠一、“光電子収率分光法によるPoly-Si/HfO2界面の欠陥密度評価,” 第65回秋季 応用物理学会学術講演会, 1p-C-3 (東北、東北学院大学2004年9月)
  3. 大田晃生、竹野文人、中川博、村上秀樹、東清一郎、川原孝昭、鳥居和功、宮崎誠一、“光電子収率分光法によるHfAlOx/SiO2/Si(100)スタック構造における欠陥密度評価,”　 第65回秋季 応用物理学会学術講演会, 2a-C-4 (東北、 東北学院大学2004年9月)
  4. 中川博、竹野文人、大田晃生、長町学、村上秀樹、宮崎誠一、“HfO2/SiNx/Si(100)スタック構造における界面酸化状態の定量分析,”　 第9回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, pp.283 (熱川ハイツ、2004年2月)
  5. 中川博、大田晃生、竹野文人、長町学、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“HfO2/SiNx /Si(100)スタック構造における界面酸化状態の定量評価(Ⅱ),”　第51回春季 応用物理学会学術講演会 29p-C-8, p875 (東京、東京工科大学2004年3月)
  6. 竹野文人、大田晃生、中川博、村上秀樹、 東清一郎、宮崎誠一、“分子層制御CVD AlOx:N形成におけるN2アニールが膜中欠陥密度に及ぼす影響,”　第51回春季 応用物理学会学術講演会 30a-D-10, p892 (東京、東京工科大学2004年3月)
  7. 中川博、大田晃生、竹野文人、長町学、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“HfO2/SiNx/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価,”　電気通信情報学会(SDM) 2004シリコン材料・デバイス信学技報, Vol.104- No.134-p.51. SDM2004-35~46(東京、2004/06/21-22)
  8. 竹野文人、大田晃生、宮崎誠一、米田賢司、堀川貢弘、小山邦明、“高温熱処理がALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100)スタック構造に及ぼす影響-光電子分光分析,”　 2004年度応用物理学会学 中・四国支部例会, Aa1-3, pp.5 (香川、香川大学2004月7月31日)
  9. 長町学、大田晃生、竹野文人、中川博、宮崎誠一、川原孝昭、鳥居和功、“Al/HfAlOx/SiON/Si(100)MOSキャパシタのリーク電流解析,”　 2004年度応用物理学会学 中・四国支部例会, Ap2-3, pp.17 (香川、香川大学2004月7月31日)
  10. S. Nagamachi, A. Ohta, F. Takeno, H. Nakagawa, S. Miyazaki, T. Kawahara, K. Torii, “Analysis of Leakage Current through Al/HfAlOx/SiONx/Si(100) MOS Capacitors,” 第15回日本MRS学術シンポジウム(J-MRS), pp. 128 [G1-O04-M], (東京, 2004年12月23-24日)
  11. F. Takeno, A. Ohta, S. Miyazaki, K. Komeda, M. Horikawa and K. Kuniaki, “Impact of Rapid Thermal Annealing on ALCVD-Al2O3/Si3N4/Si(100) Stack Structures-Photoelectron Spectroscopy,” 第15回日本MRS学術シンポジウム(J-MRS), pp. 129 [G1-O08-M], (東京, 2004年12月23-24日)
  12. 岡本祥裕、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, “ICPプラズマによる微結晶Ge:H膜成長制御-アモルファスインキュベーション層の堆積速度依存性”, 第65回秋季応用物理学会, 1p-ZB-12, p.1014, 仙台, 9月2004年
  13. 牧原克典、中川博、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “ドライ一貫プロセスによる高密度Siドット/SiO2立体積層構造の作成”, 第65回秋季応用物理学会, 1p-ZC-10, p.662, 仙台, 9月2004年
  14. 牧原克典、出木秀典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “リモート水素及び酸素プラズマ前処理によるSiドット核密度制御”, 第65回秋季応用物理学会, 3a-B-3, p.664, 仙台, 9月2004年
  15. 大田晃生、中川博、杉村将士、柴口拓、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“光電子収率分光法によるPoly-Si/HfO2界面の欠陥密度評価,” 第10回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性p. 179(東レ総合研修センター2005年1月)
  16. 大田晃生、古川寛章、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“UV-O3酸化したSi(100)表面の欠陥密度評価 - 光電子収率分光,” 第52回春季 応用物理学会学術講演会29p-ZC-12(埼玉、埼玉大学2005年3月)
  17. 大田晃生、古川寛章、中川博、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、“UV-O3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析,” 電気通信情報学会(SDM) 2005シリコン材料・デバイス信学技報Vol.105- No.109-p.1. SDM2005-70~86 (広島、広島大学2005/06/9-10)
  18. J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Electronically-Driven Light Emitting Diode Based on Si Quantum Dots Multilayers.”, 第52回春季応用物理学会, 30p-ZC-12, p.878, 東京, 3月2005年
  19. 西谷純一郎、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/ケルビンプローブによるSi量子ドットの電荷保持特性評価”, 第52回春季応用物理学会, 30p-ZC-9, p.877, 東京, 3月2005年
  20. 牧原克典、徐駿、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/ケルビンプローブによるPドープSi量子ドットの帯電状態評価”, 第52回春季応用物理学会, 30p-ZC-10, p.877, 東京, 3月2005年
    21. 　

2003年度

  1. 大田晃生、山岡真左則、中川博、村上秀樹、宮崎誠一、“Y2O3/Si(100)系のエネルギーバンドアライメントの決定,” 電気通信情報学会(SDM) 2003シリコン材料・デバイス信学技報Vol.103-No.148-p.7. SDM2003-50~61 (広島大学 2003年6月26日)
  2. 大田晃生、中川博、村上秀樹、宮崎誠一、“光電子収率分光法によるY2O3/SiOx/Si(100)スタック構造における欠陥密度評価,” 第64回秋季 応用物理学会学術講演会31p-P5-14, p797 (福岡大学、2003年8月30日-9月2日)
  3. 大田晃生、村上秀樹、宮崎誠一、川原孝昭、鳥居和功、“HfAlOx/SiO2/Si(100)ヘテロ接合の光電子分光分析,” 第64回秋季 応用物理学会学術講演会30p-P2-12 , p718 (福岡大学、2003年8月30日-9月2日)
  4. 山岡真左則、大田晃生、宮崎誠一、“ZrOx/SiO2/n+Si(100)構造におけるZr拡散の光電子分光分析,” 第8回研究会 極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性pp.253熱川ハイツ、2003年1月24-25日
  5. 山岡真左則、大田晃生、宮崎誠一、“HfOx層からの熱酸化SiO2膜へのHf拡散第50回春季 応用物理学会学術講演会28p-ZX-17 (神奈川、神奈川大学2003年3月27-30日)
  6. 須山篤士、中川博、大田晃生、村上秀樹、宮崎誠一、“CVD AlOx:N/Si(100)における界面窒化層制御-NH3アニール温度依存性第50回春季 応用物理学会学術講演会29p-ZX-12 (神奈川、神奈川大学2003年3月27-30日)
  7. 竹野文人、須山篤志、中川博、山岡真左則、大田晃生、村上秀樹、宮崎誠一、“FT-IR-ATRによるAlOx:N/Si(100)界面の構造評価第50回春季 応用物理学会学術講演会29p-ZX-11 (神奈川、神奈川大学2003年3月27-30日)
  8. 中川博、大田晃生、竹野文人、長町学、村上秀樹、宮崎誠一、“ZrO2/Si(100)系の界面遷移層評価,” 電気通信情報学会(SDM) 2003シリコン材料・デバイス信学技報Vol.103-No.148-p.33. SDM2003-50~61 (広島大学 2003年6月26日)
  9. 竹野文人、中川博、大田晃生、村上秀樹、宮崎誠一、“AlOx:N/Si(100)界面の熱的安定性評価,” 電気通信情報学会(SDM) 2003シリコン材料・デバイス信学技報Vol.103-No.148-p.43. SDM2003-50~61 (広島大学 2003年6月26日)
  10. 中川博、大田晃生、竹野文人、長町学、村上秀樹, 宮崎誠一、“HfO2/SiNx /Si(100)スタック構造における界面酸化状態の定量評価,” 第64回秋季 応用物理学会学術講演会30p-YL-7 , p711 (福岡大学、2003年8月30日-9月2日)
  11. 岡本祥裕、牧原克典、Kosku Nihan、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “誘導結合型GeH4プラズマによる微結晶ゲルマニウム (μc-Ge:H) 膜堆積”, 第64回秋季応用物理学会, 2a-ZF-5, p.844, 福岡, 9月2003年
  12. 牧原克典、岡本祥裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “導電性AFM探針による結晶性ゲルマニウム薄膜の伝導評価”, 第64回秋季応用物理学会, 2a-ZF-6, p.834 福岡, 9月2003年
  13. 牧原克典、岡本祥裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “微結晶ゲルマニウムの局所電気伝導評価”, 応用物理学会2003年度中国四国支部例会, DA-5, p.71, 山口, 8月2003年
  14. 大田晃生、村上秀樹、宮崎誠一、川原孝昭、鳥居和功、“HfAlOx/SiO2/Si(100)ヘテロ接合の光電子分光分析,” 第9回研究会極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性, pp.289 (熱川ハイツ、2004年2月)
  15. 大田晃生、中川博、村上秀樹、東清一郎、川原孝昭、鳥居和功、宮崎誠一、“HfAlOx/SiO2/Si(100) スタック構造における界面反応評価,” 第51回春季 応用物理学会学術講演会, 29p-C-7, p874 (東京、東京工科大学2004年3月)
  16. 岡本祥裕、牧原克典、Kosku Nihan、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “誘導結合型GeH4プラズマによる微結晶ゲルマニウム (μc-Ge:H) 膜の形成”, 第51回春季応用物理学会, 29p-YC-6, p.813, 東京, 3月2004年
  17. 牧原克典、出木秀典、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “リモート水素プラズマ処理によるSiドット核密度制御”, 第51回春季応用物理学会, 31p-B-4, p.853, 東京, 3月2004年
  18. 牧原克典、柴口拓、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “AFM/ケルビンプローブによる高密度Si量子ドットの帯電状態評価”, 第51回春季応用物理学会, 31a-ZG-10, p.839, 東京, 3月2004年
    19. 　

2002年度

  1. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, “導電性AFMカンチレバーを用いた微結晶ゲルマニウム(μc-Ge:H)の核形成及び成長評価”, 第29回アモルファス物質の物性と応用セミナー, p.112-113, 東京, 11月2002年
  2. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, “導電性カンチレバーを用いた微結晶ゲルマニウム(μc-Ge:H)の核形成及び成長評価”, 第63回秋季応用物理学会, 24p-ZM-14, p.847, 新潟, 9月2002年
  3. 大田晃生、山岡真左則、宮崎誠一、“Y2O3/Si(100)界面化学結合状態の光電子分光分析,” 第50回春季 応用物理学会学術講演会28p-ZW-15 (神奈川、神奈川大学2003年3月27-30日)
  4. 岡本祥裕、牧原克典、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, “誘導結合型プラズマCVD法による結晶性ゲルマニウム膜の形成”, 応用物理学会2003年度中国四国支部例会, DA-4, p.70, 山口, 8月2003年
  5. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, “導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウムの局所電気伝導評価”, 第50回春季応用物理学会, 27 a11-M9, p.975, 東京, 3月2003年
  6. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, “導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム(μc-Ge:H)の核形成及び成長評価”, 第20回プラズマプロセシング研究会, P2-48, p.321, 長岡, 1月2003年
    7.