概要
組織
入試
教育
就職
その他
|
|BACK|
|「電子情報システム専攻を志望する諸君へ」|
|NEXT|
7. 電子工学分野関係の研究室紹介
集積プロセス講座
- プラズマエレクトロニクス研究グループ
(ホームページ:http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/toyodalab/)
教員:豊田 浩孝 教授,石島 達夫 助教
研究室紹介:
気体放電プラズマは,太陽電池やLSIなどの薄膜素子の作成プロセス,ダイアモンド膜などの新素材の開発,新しいビーム源の開発などに広く応用されている.このような先端技術を支えるため,プラズマの物性研究,制御法の確立,新応用技術の開発などを進めている.
主な研究テーマは次の通りである.
1)太陽電池・LCD等の大面積デバイス作成用のジャイアントプラズマ生成
2)高密度プラズマによる多結晶シリコン系薄膜作成
3)ナノ情報デバイス作成用プラズマの低電子温度化と表面過程
4)新規プラズマ源とモニタリング法の開発
5)スパッタリングプラズマの解析と高性能化
- ナノプロセス研究グループ
(ホームページ:http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/horilab/)
教員:堀 勝 教授,関根 誠 特任教授,石川 健治 特任教授,近藤 博基 特任准教授,竹田 圭吾 助教
研究室紹介:
ナノプロセスは,ナノテクノロジーを産業に結びつけるために必要不可欠な学問であり,世界中が最も力を注いでいる先端科学技術である.本研究室では、先端プラズマプロセスをはじめとするナノプロセスを体系化・集積することにより,次世代のナノ材料,ナノエレクトロニクスを構築することを目指している.具体的には,原子,分子,ラジカルを計測して操作する技術,ナノスケールの3次元構造を形成する技術,ナノサイズの材料に新規なデバイス機能(電子・光・量子)を発現させる技術,それらを応用したナノデバイスの開発とその根幹をなすナノ領域の物理化学現象の解明と制御に関する研究を行っている.
主な研究テーマは以下の通りである.
1)次世代Si LSI,GaN白色LEDおよび次世代自動車用GaNパワーデバイスのための先端プラズマナノプロセス(超微細加工,MOSゲート電極,配線プロセス技術,白色太陽光LEDおよびGaNパワーデバイス加工技術)
2) プラスティック基板などへのSiやカーボンナノサイズ結晶の低温形成と折り曲げ可能なフレキシブルナノデバイス(次世代太陽電池,ディスプレイ)の開発
3) カーボンナノ材料(カーボンナノウォール, ナノチューブ)の自己組織的3次元立体構造形成と,次世代新機能デバイス(カーボンナノウォールデバイス,ハイブリッドナノカーボン太陽電池など)の開発.カーボンナノ材料と超臨界流体プロセスを駆使した革新的燃料電池などの開発
4) 原子,ラジカル,分子をモニタリングするスマートセンサーと自律型ナノ製造システムの開発
5) プラズマのナノバイオ・医療への応用技術(がん細胞除去技術、細胞増殖・制御技術、遺伝子注入技術)
- 光エレクトロニクス研究グループ
情報デバイス講座
- 機能集積デバイス研究グループ
(ホームページ:http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/miyazakilab/)
教員:宮崎 誠一 教授
研究室紹介:
エレクトロニクスの発展を支える半導体技術の高度化に貢献するために,材料科学からプロセスインテグレーション・デバイス化技術にわたる横断的な研究を推進する。特に,シリコン系薄膜太陽電池や薄膜トランジスタ,微細MOSトラジスタの高性能化を目指すと共に,光・電子融合デバイス,新機能メモリ等の新世代ナノ電子デバイスの開発に挑戦する。
1)半導体量子ドットの形成・物性制御と新機能デバイス応用
シリコン系ナノ構造をMOSデバイスへ融合することで,MOSデバイスの機能レベルでの進化と,少数電子・光子系による知能情報処理デバイスへの応用に取り組む。
2)新世代ナノ電子デバイスのための新材料探索と原子スケール界面制御
最先端分析技術を駆使して,高誘電ゲート絶縁膜や抵抗変化メモリ薄膜の材料科学を進めると共に,それらの機能薄膜の原子層制御プロセス技術の開発に取り組む。
3)高密度プラズマを活用した低温機能薄膜形成プロセス・デバイス技術
高効率薄膜太陽電池や高性能薄膜トランジスタの開発に向け,膜成長過程のその場観測・精密制御,高密度プラズマからの高速膜堆積による低コスト化プロセス技術の開発とデバイス化技術の高度化に取り組む。
- ナノ情報デバイス研究グループ
(ホームページ:http://www.semicond.nuee.nagoya-u.ac.jp/)
教員:天野 浩 教授,山口 雅史 准教授,本田 善央 助教
研究室紹介:
半導体デバイスは高度情報化社会の発展の原動力であり,また各種エネルギーの高効率利用による持続的発展可能な社会システム実現・太陽光エネルギー変換など新エネルギー源創生の基幹的役割を担うことを期待されている。本研究室では,新産業の創生,および新分野で世界を先導する人材の養成を目的とし,白色・紫外光・緑色発光ダイオード(LED)・レーザダイオード(LD)・フォトトランジスタ(PT),極限効率太陽電池,究極効率電力変換用パワートランジスタなど新機能デバイス実現を目指して,MOVPE,MBEによる窒化物半導体量子構造の結晶成長,窒化物半導体物性の探索および各種デバイスの試作と評価を行う。さらに, 半導体量子効果デバイスの創製を目指し, MBEやMOVPEと100keV電子ビームの組み合わせによる自己形成結晶成長技術,微細リソグラフィー技術ならびにフェムト秒光計測技術を用い, 微細構造, 量子井戸構造の作製と新物性の探索,新機能の創生およびその応用を目指した研究を行う。
主な研究テーマは以下の通りである。
1)MOVPE,MBEによる窒化物半導体の結晶成長および白色・紫外・緑色LED,LD,PTの試作と評価
2)化合物半導体立体量子構造の作製と電子光物性の研究
3)窒化物半導体・Siによる極限効率太陽電池・パワートランジスタの作製及び評価
4)量子井戸構造並びにナノメートル構造を用いる量子デバイス・電子波デバイスの研究
5)Si基板上集積光デバイスの作製及びその機能高度化に関する研究
- 知能デバイス研究グループ
(ホームページ:http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/nakazatolab/)
教員:中里 和郎 教授
研究室紹介:
現在の電子情報産業を支えているのがシリコンCMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 集積回路です。これまでシリコン集積回路の研究開発は汎用品(メモリ等)の高集積化を主としてきましたが,競争が激しく,国内半導体産業はおされ気味です。これからは新機能をもったデバイスを先行開発し,高付加価値で勝負していかなければなりません。当研究室は,シリコンCMOS集積回路をベースに,そこにこれまでにない機能を付加することにより,新しい電子情報デバイスを創出することを目的にしています。
シリコン・ナノデバイスの研究では量子効果や単電子効果を積極的に用いた新しいデバイスの研究,新しいデバイス・モデルの研究を行います。単分子CMOS 融合デバイスの研究では, 分子をシリコンCMOS 回路と融合することにより, 単分子メモリやユビキタス情報社会におけるセンサー・ネットワーク・ノード等の新しい電子デバイスの実現を目指します。また,分子の電気的性質をオンチップで精度良く計測する技術の開発,バイオトランジスタを用いすべて電気的に処理するバイオチップの実現を進めています。
主な研究テーマは以下の通り。
1)シリコン・ナノデバイスおよび新しいデバイス・モデルの研究
2)単分子CMOS 融合デバイスの研究
3)単分子のオンチップ計測技術の研究
4)バイオトランジスタを用いた集積システムの研究
- 知能デバイス研究グループ(S)
(ホームページ:http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/uchiyamalab/)
教員:内山 剛 准教授
研究室紹介:
産業の活性化のためには,革新的な科学技術によりこれまでにない新しい社会サービス提供することが必要とされています。特に安全,安心で便利な社会を築くための新機能情報デバイスの創出とそれを応用する新技術が求められています。われわれのグループでは,研究室独自に開発したマイクロ磁気センサ(MIマイクロセンサ)を超高感度・高機能化する研究に加えて,その応用として,ITS(Intelligent Transport System)や医療・健康分野における高度センシング技術の開発について研究を行っています。
研究テーマ
1)マイクロ磁気センサデバイスの超高感度・高機能化
2)車両通行計測器の高精度化
3)ドライバーケアセンシングシステム
4)マイクロ磁気センサによる細胞組織評価技術(iPS細胞やES細胞の機能評価技術を含む)
5)磁性ナノビーズ検出によるインテリジェント手術機器の開発
6)食品内の異物検査装置
量子デバイス講座
- 量子ナノデバイス集積研究グループ (量子工学専攻・併担講座)
(ホームページ:http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/mizutakalab/)
教員:水谷 孝 教授,大野 雄高 准教授,岸本 茂 助教
研究室紹介:
進化を続ける半導体デバイスは,近い将来,テラヘルツ・テラビットの領域へ。本研究室では,ナノ構造に現れる物理現象を用いて将来の通信・情報処理を担う革新的半導体デバイスの基盤を構築すべく,カーボンナノチューブや窒化ガリウム(GaN)を中心に,ナノ構造成長・評価技術,デバイス化技術,新規ナノ光電子デバイスの創製,およびその集積化に関する研究を行っている。
主な研究テーマは以下のとおりである。
1)極微細カーボンナノチューブトランジスタの作製技術に関する研究
2)カーボンナノチューブの精密制御成長と評価に関する研究
3)カーボンナノチューブの光物性解析と新規光電子デバイスの創製に関する研究
4)高性能GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の開発
5)高性能GaN MOSFETの開発
- 量子集積デバイスシステム研究グループ (量子工学専攻・併担講座)
(ホームページ:http://www.super.nuqe.nagoya-u.ac.jp/)
教員:藤巻 朗 教授,井上 真澄 准教授,赤池 宏之 助教,田中雅光 特任助教
研究室紹介:
超伝導はマクロな量子化現象である。これを反映して超伝導デバイスは微細構造を持たなくとも,高速性,高感度性,低電力性など従来の電子デバイスにない幾つかの特徴を有する。本グループでは,熱的極限・量子極限に迫る低電力超高速集積回路や未踏領域の計測を目指すセンシングシステム,さらにはナノテクノロジを用いた新しい機能デバイスの創製を目指して研究を行っている。
主な研究テーマは以下のとおりである。
1)単一磁束量子集積回路によるサブテラヘルツ極微電力信号処理回路
2)単一磁束量子回路のセンシングシステム応用
3)高品質ジョセフソン接合技術とその検出器応用
4)新規高温超伝導デバイス形成とサブテラヘルツ動作回路
5)磁性体-超伝導体ハイブリッドデバイスの創製
- 量子スピン情報研究グループ (量子工学専攻・併担講座)
(ホームページ:http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/iwatalab/)
教員:岩田 聡 教授,加藤 剛志 准教授
研究室紹介:
電子のもつスピン情報を利用するスピンエレクトロニクスの分野が近年注目されています。本研究室では,巨大磁気抵抗効果(GMR),スピントンネル効果(TMR),磁性人工格子,ナノ磁性体のスピン構造とその制御,スピンの高速反転過程の解析などの基礎的な研究を行うとともに,固体磁気メモリ,光磁気記録や磁気センサーなどへの応用研究に取り組んでいます。
1)スピントンネル素子の磁気抵抗特性とその磁気ランダムアクセスメモリへの応用
2)GMR, TMR素子の磁気センサーへの応用
3)フェムト秒レーザによる高速磁化反転過程の解析
4)磁性人工格子,ナノグラニュラー膜の垂直磁気異方性とその磁気記録媒体への応用
5)強磁性/反強磁性界面の交換異方性とそのスピンバルブ型磁気抵抗素子への応用
電子線応用工学・ナノ情報デバイス講座
- 電子線応用工学研究グループ (エコトピア科学研究所・協力講座)
(ホームページ:http://www.nano.esi.nagoya-u.ac.jp)
教員:丹司 敬義 教授,田中 成泰 准教授,(以上エコトピア科学研究所)
川﨑 忠寛 助教(電子情報システム専攻)
研究室紹介:
次世代の高度先端技術の発展には,その特性を原子や分子のレベルで制御した新しい機能を持つ材料の開発が不可欠です。そしてそのためには,材料の原子構造や組成,電気的・磁気的構造をナノメータ以下のスケールで正確に観察・計測する必要があります。我々の研究室では,電子線を使ってそのような極微の世界を探るための装置や新技法の開発を行っています。
主な研究テーマは次のようなものです。
1)高性能電子線ホログラフィーの開発と応用
2)電子線ホログラフィーによる燃料電池の研究
3)高分解能電子顕微鏡と電子線ホログラフィーによるによる半導体界面の研究
4)電子線誘起電流法を用いた半導体の電気的特性の解明
5)その場観察電子顕微鏡の開発
6)超高圧電子顕微鏡を用いたナノ触媒反応のその場観察と反応機構の解明
7)無収差電子顕微鏡の開発
8)立体電子顕微鏡の開発
9)電子線ホログラフィーによる微細磁気構造材料の研究
- 量子光情報研究グループ (エコトピア科学研究所・協力講座)
(ホームページ:http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/optlab/)
教員:川瀬 晃道 教授,竹家 啓 助教
研究室紹介:
先端光デバイスであるレーザーは,その出現以来大きな発展を遂げ,応用分野も超精密計測から生体計測,産業応用まで多岐にわたっている。又,近年,光とミリ波の中間の周波数を持つテラヘルツ波が大きな注目を集めている。本研究室では,新しいテラヘルツ光源やテラヘルツイメージングシステムの開発から,それらを活用した応用計測,産業応用,人体計測等に関する研究を行う。
主な研究テーマは以下の通りである。
1)広帯域波長可変テラヘルツ光源の開発
2)テラヘルツ波を用いた新しい人体センシング技術の開発
3)テラヘルツ波を用いたバイオセンサーの開発
4)高分解能テラヘルツトモグラフィーの開発
5)テラヘルツ波を用いた種々の産業応用
- 量子光情報研究グループ (S)
(ホームページ:http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/optelelab/)
教員:西澤 典彦 准教授
研究室紹介:
超短パルスレーザーは,様々な基礎研究から産業・医療まで幅広い分野で活用されており,更なる新しい応用技術の開発が期待されている.我々は,高機能な超短パルスファイバレーザー光源の開発と,それを用いた先端光計測技術,超高速非線形光学現象を用いた光制御技術の開発に取り組んでいる.
主な研究テーマは以下の通りである。
1)高次機能超短パルスファイバレーザー光源の開発に関する研究
2)カーボンナノチューブを用いた超短パルスファイバレーザーの開発
3)3次元光計測・超高分解能光断層計測技術の開発と医療・産業応用
4)超高速非線形光学効果を用いた高次機能光制御技術の研究
[ページTOPへ]
[最終更新日:2011年5月]
〒464-8603 名古屋市千種区不老町
名古屋大学電気系教室
無断複製及び転載を禁じます。
すべての著作権は名古屋大学電気系教室に帰属します。
電気系広報委員会:no_spam-webmaster@nuee.nagoya-u.ac.jp
(先頭の"no_spam-"を除いた以下の部分が電子メールアドレスです.)
|
|