【平成26年3月】
修士
◆ ナノ立方晶SiC:H/SiH積層薄膜の構造及び電気的特性に関する研究
◆ バッファ層を挿入した結晶Si/ナノ立方晶SiC:H薄膜ヘテロ接合素子の特性の検討
◆ ホットワイヤーCVDナノ立方晶SiC:H/結晶Siヘテロ接合素子の電気的特性に関する研究
学部
◆ スパッタリング法による微結晶Si：H薄膜を用いたヘテロ接合素子の膜厚依存性に関する研究
【平成25年3月】
修士
◆ ナノ結晶3C-SiC:Hを用いた結晶Siヘテロ接合素子の構造及び電気的特性の膜厚依存性
◆ 微結晶シリコン/ナノ立方晶炭化シリコン二層膜の電気的及び構造特性についての研究
学部
◆ RFスパッタリングp型水素化微結晶シリコン薄膜のデバイスへの応用
【平成24年3月】
修士
◆ ホットワイヤーCVD結晶3C-SiC:H薄膜を用いたヘテロ接合素子に関する研究
学部
◆ ナノ結晶3C-SiC:H/微結晶Si:Hヘテロ接合素子に関する研究
【平成23年3月】
修士
◆ N2を用いたホットワイヤー法によるシリコン薄膜の表面窒化〜低ワイヤー温度処理の検討〜
学部
◆ ホットワイヤーCVDシリコン薄膜及び微結晶の変遷に関する研究
【平成22年3月】
学部
◆ 太陽電池窓層応用に向けたホットワイヤーCVD法によるp型ナノ結晶3C-SiC薄膜の開発
◆ RFスパッタリング法による水素化微結晶シリコン薄膜の成長の進展とポスト酸化に関する研究
【平成21年3月】
博士
◆ RFマグネトロンスパッタリング法による半導体および超伝導体薄膜における製膜機構の解明
修士
◆ ホットワイヤーCVD法による低温成長ナノ結晶3C-SiC薄膜の高品質化およびドープ膜作成に関する研究
◆ ホットワイヤー法による微結晶シリコン膜の表面窒化および特性評価
学部
◆ RFマグネトロンスパッタリング法による水素化微結晶シリコン薄膜のポスト酸化と膜構造の関係
◆ ナノ結晶３C-SiC薄膜の膜特性の膜厚依存性とフィラメントの経時変化
【平成19年3月】
修士
◆ ホットワイヤーCVD法よるナノ結晶3C-SiC薄膜の低温形成
◆ 二段階成膜ホットワイヤーCVD法による微結晶シリコン膜の作製
学部
◆ 低温成長ナノ結晶３C-SiC薄膜の電気的特性とデバイス応用の基礎研究
◆ スパッタμc-Si:H薄膜の電気的特性の評価とデバイス応用
【平成18年3月】
修士
◆ ホットワイヤーCVD法により作製したa-SiC:H薄膜の電気的・光学的特性に関する研究
◆ RFマグネトロンスパッタリング法による不純物ドープ微結晶シリコン薄膜の作製
学部
◆ ホットワイヤーCVD法によるナノ結晶SiCの電気的・光学的特性
◆ RFマグネトロンスパッタリング法によるp型SiC薄膜の作製
＜水谷（照）研（〜平成１７年３月）＞
【平成17年3月】
修士
◆ ホットワイヤーCVD方による高圧下での微結晶シリコン薄膜の作成
学部
◆ 水素希釈下ホットワイヤーCVD法による炭化シリコン薄膜の膜特性に対するタングステン線温度の与える影響
◆ ホットワイヤーCVD法による水素化微結晶シリコン薄膜の後処理効果に関する研究
【平成16年3月】
修士
◆ RFマグネトロンスパッタリング法により作製した微結晶シリコン薄膜のガス圧依存性
◆ Layer-by-Layer成長によるスパッタ微結晶シリコン薄膜の膜堆積速度と微結晶成長の制御（鈴置研）
学部
◆ ホットワイヤーCVD法によるワイドギャップ炭化シリコン薄膜の作成とその高品質化
◆ ホットワイヤーCVD法による炭化シリコン薄膜の構造および膜特性に与えるタングステン線温度の影響に関する研究
【平成15年3月】
修士
◆ ホットワイヤーCVD法によるワイドギャップアモルファス炭化シリコン膜の作製と特性評価
学部
◆ ホットワイヤーCVD法で作製したa-Si:H薄膜のガス圧依存性
◆ ホットワイヤーCVD法による水素化アモルファス炭化シリコンの膜特性に与えるメタン流量の効果
【平成14年3月】
修士
◆ 高周波マグネトロンスパッタリング法による微結晶シリコン薄膜の膜特性に対する基板温度依存性
◆ 太陽電池用微結晶シリコンの最適構造に関する研究（鈴置研）
学部
◆ シリコン薄膜作製におけるターゲット直流バイアス電圧の効果に関する研究
【平成13年3月】
修士
◆ 高周波マグネトロンスパッタリング法による微結晶シリコン薄膜の膜特性に対する直流バイアス電圧効果
学部
◆ ホットワイヤーCVD法による水素化アモルファス炭化シリコン薄膜の作製に関する研究
【平成12年3月】
修士
◆ RFマグネトロンスパッタリング法による微結晶シリコン薄膜の膜特性に対する水素分圧比の効果（鈴置研）
学部
◆ 高い光伝導度を有する水素化アモルファス炭化シリコンの作製と膜構造