新世代ナノ電子デバイスの開発に挑戦!

情報・エレクトロニクスの発展は、半導体技術の進歩が牽引しているといっても過言ではありません。当研究室では、その半導体技術、特にシリコンナノテクノロジーの更なる高度化に貢献するために、材料科学からプロセスインテグレーション・デバイス化技術にわたる横断的な研究を推進しています。特に、シリコン系薄膜トランジスタ、微細MOSトラジスタの高性能化を目指すと共に、光・電子融合デバイス、新機能メモリ等の開発に注力しています。


 ナノ構造デバイス領域
従来の半導体デバイスの高性能化のみならず、新たな機能デバイス開発へ展開に向け、シリコン系ナノ構造をMOSデバイスへ融合することで、MOSデバイスの機能レベルでの進化と、少数電子・光子系による知能情報処理デバイスへの応用に取り組んでいます。

研究テーマ    
     ☆ゲルマニウム―シリコン系量子ドットの自己整合複合集積による物性制御と発光ダイオードへの応用
     ☆シリコン系量子ドット三次元集積による電子放出源の開発
     ☆合金化反応制御による新機能材料創成とスピン・電子融合デバイス開発


 集積化デバイス・プロセス制御領域
高分解能高電子分光分析やプローブ顕微鏡を活用した最先端分析技術を駆使して、高誘電ゲート絶縁膜や抵抗変化メモリ薄膜の材料科学を進めると共に、それらの機能薄膜の原子層制御プロセス技術の開発に取り組んでいます。

研究テーマ    
     ☆次世代ULSI用MISFETおよびGaN/界面制御技術の開発
     ☆次世代超大容量メモリデバイス用新材料探索と抵抗変化メモリデバイス開発


 界面制御・薄膜デバイス領域
新しい概念に基づくデバイス動作原理や新材料・プロセスの導入を目指して、IV族半導体二次元結晶を中心として、膜成長過程のその場観測・精密制御技術の開発とデバイス化技術の高度化に取り組んでいます。

研究テーマ    
     ☆二次元結晶および新奇電子物性材料の創成
     ☆パワーデバイス(GaNおよびSiC)用新規絶縁膜形成技術の開発