国内学会発表


2017年度

 
  1. [招待講演] 宮崎誠一,「Si-Ge系コア・シェル量子構造の高密度集積と光・電子物性制御」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-C304-3 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  2. [講演奨励賞受賞記念講演] 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「熱処理によるエピタキシャルAg/Ge(111)構造の表面平坦化とGe析出量制御」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F214-1 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  3. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-F206-17 (於早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  4. 藤森俊太郎、山田健太郎、永井僚、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 19a-P5-4 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  5. 今川拓哉、大田晃生、田岡紀之、藤村信幸、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「SiO2/Si構造の真空紫外光電子分光分析」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 18p-B301-2 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  6. 牧原克典、池田弥央、藤村信幸、大田晃生、宮崎誠一,「電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造からのエレクトロルミネッセンス」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F104-5 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  7. 大田晃生、今川拓哉、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「光電子収率分光法による熱酸化SiO2/Si構造の電子状態計測」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 17a-F206-4 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  8. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるY2O3/SiO2界面の化学結合状態および内部電位評価」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-F206-17 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  9. 永井僚、山田健太郎、藤森俊太郎、池田弥央、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一,「P添加GeコアSi量子ドットの帯電および電子輸送特性評価」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 20a-F104-6 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  10. グェンスァンチュン、田岡紀之、大田晃生、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一,「GaN(0001)面上へのHe希釈リモート酸素プラズマ支援によるSiO2 CVD ― Ar希釈リモート酸素プラズマ支援との違い」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P12-9 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  11. 高田昇治、山本泰史、田岡紀之、大田晃生、グェンスァンチュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一,「リモートプラズマによって酸化されたn-GaNのPL特性」,第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P12-8 (於 早稲田大学 西早稲田キャンパス, 2018年3月17日-20日)
  12. グェンスァンチュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一,「リモートプラズマ支援CVDによる低欠陥密度SiO2/GaN界面の形成」,第17回日本表面科学会中部支部学術講演会, 講演番号1 (於 名古屋大学, 2017年12月16日)
  13. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「高誘電率絶縁膜/SiO2界面のダイポール形成と化学構造の関係」,第17回日本表面科学会中部支部学術講演会, 講演番号6 (於 名古屋大学, 2017年12月16日)
  14. 山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一,「高密度GeコアSi量子ドットの室温EL特性評価」,第17回日本表面科学会中部支部学術講演会, 講演番号10 (於 名古屋大学, 2017年12月16日)
  15. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「二次元結晶合成に向けたAg上Ge極薄膜の形成」,電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第23回研究会), (於 東レ研修センター), P-11, 1月2018年
  16. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによる極薄high-k/SiO2ゲートスタック構造の電子状態および化学結合状態評価」,電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会), P-26 (於 東レ研修センター, 2018年1月19日-20日)
  17. 田岡紀之, 小林貴之, 中村昌幸, 佐川達郎, グェンスァンチュン, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 久保俊晴, 山田寿一, 江川孝志, 宮崎誠一, 本山愼一, 清水三聡,「ALD-Al2O3/GaN界面における伝導帯端近傍の界面準位密度の低減」,電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会), 8-2 (於 東レ研修センター, 2018年1月19日-20日)
  18. 山本泰史, 田岡紀之, 大田晃生, グェンスァンチュン, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一,「プラズマ酸化で形成したGa酸化物薄膜/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的界面特性」,電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第23回研究会), 8-3 (於 東レ研修センター, 2018年1月19日-20日)
  19. グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一, 「リモート酸素プラズマ支援CVD SiO2/GaNの化学構造及び電気特性評価」, 電子情報通信学会 電子デバイス研究会,12月1日
  20. 山本泰史、田岡紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一, 「リモート酸素プラズマによって酸化したGaNの表面構造」先進パワー半導体分科会第4回講演会, (於 名古屋国際会議場), IIA-10, 11月2017年
  21. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「高誘電率絶縁膜/SiO2積層構造の光電子分光分析-界面ダイポールと酸素密度の相関-、」 応用物理学会SC東海地区学術講演会2017, PP32, p.72 (於 名古屋大学, 2017年10月29日)
  22. グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一, 「熱処理がリモートプラズマ CVD SiO2/GaN 構造の化学結合状態及び電気特性に与える影響」, 第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), PP29, 10月29日
  23. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「熱処理によるエピタキシャルAg上へのGe二次元結晶の合成指針の構築」、第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会、 (於 名古屋大学), PP15, 10月2017年
  24. 山本泰史、田岡紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一, 「リモートプラズマ酸化したGaNの表面構造と電子状態」第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), PP30, 10月2017年
  25. 今川 拓哉、大田 晃生、田岡 紀之、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「入射エネルギー可変の真空紫外光電子分光による固体表面の価電子帯上端位置の計測」第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), PP31, 10月2017年
  26. 山田健太郎、池田弥生、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットのEL特性評価」第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), PA7, 10月2017年
  27. 中島 裕太、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一、「硬X線光電子分光法によるSi量子ドット多重集積構造のオペランド分析」第5回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会, (於 名古屋大学), A11, 10月2017年
  28. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「XPSによるHigh-k/SiO2界面のダイポール定量と酸素密度比との相関、」 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 5p-C11-4, 12-027 (於 福岡国際会議場, 2017年9月5日-8日)
  29. グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一, 「リモート酸素プラズマ支援CVD SiO2/GaNの熱安定性」, 第78回応用物理学会学術講演会, (於 福岡国際会議場), 5P-C17-2, 9月5日
  30. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御」、第78回応用物理学会秋季学術講演会, 8a-C19-7, (於 福岡国際会議場, 2017年9月5日-8日)
  31. 山本泰史、田岡紀之、大田 晃生、グェンスァン チュン、山田永、高橋言緒、池田弥央、牧原克典、清水三聡、宮崎誠一, 「リモート酸素プラズマで形成したGa酸化物/GaN構造のエネルギーバンド構造と電気的特性」2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 5p-C17-3, (福岡国際会議場, 福岡市, 福岡県, 2017年9月5日-8日)
  32. 今川 拓哉、大田 晃生、藤村 信幸、グェン スァン チュン、池田 弥央、牧原 克典、加地 徹、塩崎 宏司、宮崎 誠一、「真空紫外光電子分光によるGaNの電子親和力評価」第78回応用物理学会秋季学術講演会, (於 福岡国際会議場), c17, 9月2017年
  33. L. Peng, A. Ohta, N. X. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, N. Taoka, T. Narita,, K. Itoh, D. Kikuta, K. Shiozaki, T. Kachi, and S. Miyazaki, “Study of Wet Chemical Treatments of Epitaxial GaN(0001) Surface”, The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017,( Fukuoka Convention Center, September 2017).
  34. 牧原 克典、池田 弥央、藤村 信幸、大田 晃生、宮崎 誠一、「電子・正孔交互注入によるGeコアSi量子ドット多重集積構造の発光特性 」 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 7a-A414-2, 12-027 (於 福岡国際会議場, 2017年9月5日-8日)
  35. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「高誘電率絶縁膜の電子親和力の決定およびSiO2との界面で生じる電位変化の定量」 2017 年真空・表面科学合同講演会 第37 回表面科学学術講演会・第58 回真空に関する連合講演会, 1Dp10S, p.28 (於 横浜市立大学金沢八景キャンパス, 2017年8月17日-19日)
  36. グェンスァン チュン, 田岡紀之, 大田晃生, 山田永, 高橋言緒, 池田弥央, 牧原克典, 清水三聡, 宮崎誠一, “リモート酸素プラズマ支援CVDによる急峻SiO2/GaN界面の形成とその電気的特性”、第37回表面科学学術講演会、第58回真空に関する連合講演会 、8月19日
  37. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎誠一、「XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価、」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2017-30, 信学技報, Vol. 117, No. 101, pp. 19-24. (キャンパス・イノベーションセンター東京、港区、東京都、 2017年6月20日(火) )
  38. 大田 晃生、加藤 祐介、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価、」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2017-30, 信学技報, Vol. 117, No. 101, pp. 43-48. (キャンパス・イノベーションセンター東京、港区、東京都、 2017年6月20日(火) )
  39. 伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成、」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2017-30, 信学技報, Vol. 117, No. 101, pp. 43-48. (キャンパス・イノベーションセンター東京、港区、東京都、 2017年6月20日(火) )
  40.  


2016年度

 
  1. 洗平 昌晃、黒澤 昌志、大田 晃生、白石 賢二、「アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態、」日本物理学会 第72回年次大会(2017年), 20aD42-2 (大阪大学 豊中キャンパス、豊中市、大阪府、2017年3月17日-20日)
  2. 伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 14a-318-4, 13-043 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  3. 山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァンチュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一、「リモート酸素プラズマによるGaN表面酸化」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-315-1, 12-156 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  4. グェンスァンチュン、田岡 紀之、大田 晃生、山本 泰史、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一、「リモートプラズマ支援 CVD SiO2/GaN の界面特性」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-315-7, 12-162 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  5. 高 磊、池田 弥央、山田 健太郎、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一、「Si 細線構造への高密度 Si 量子ドット形成と発光特性」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-P12-2, 12-202 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  6. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「XPSによるHfO2の電子親和力と界面ダイポールの定量」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-413-10, 12-272 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  7. 大田 晃生、村上 秀樹、池田 弥央、牧原 克典、池永 英司、宮崎 誠一、「硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペランド分析 −電位変化および化学結合状態評価−」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-413-4, 12-265 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  8. 加藤 祐介、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「Tiナノドットを埋め込んだSiOx膜の電気抵抗変化特性−定電圧および定電流印加による特性制御−」 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-419-10, 05-261 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  9. 山田 健太郎、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮崎 誠一、「Ge コアSi 量子ドットの発光特性評価」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-E206-11, 12-425 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  10. 中島 裕太、竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一、「硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の電位分布評価」 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-E206-9, 12-423 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  11. 渡辺 浩成、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、森 大輔、寺尾 豊、宮崎 誠一、「ドライおよびN2O酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子占有欠陥評価」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17a-301-7, 13-244 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  12. [招待講演] 洗平 昌晃、黒澤 昌志、大田 晃生、白石 賢二、「絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算」第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 (科学技術交流財団 研究交流センター, 名古屋市, 愛知県, 2017年1月25日) : 招待講演
  13. [招待講演] 黒澤 昌志、大田 晃生、洗平 昌晃、財満 鎭明、「絶縁基板上におけるIV族半導体薄膜の結晶方位制御技術:二次元物質への展開」第3回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会 (科学技術交流財団 研究交流センター, 名古屋市, 愛知県, 2017年1月25日) : 招待講演
  14. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価」 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会), (於 東レ研修センター) , P-20, 1月2017年
  15. グェンチュンスァン、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価」電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会), (於 東レ研修センター) , P-25, 1月2017年
  16. 大田晃生、村上秀樹、池田弥央、牧原克典、池永英司、宮崎誠一、「HAXPES によるSi-MOS キャパシタの化学結合状態および内部電位の深さ方向分析」2016真空・表面科学合同講演会, (於 名古屋国際会議場), 2PB36, 12月2016年
  17. 洗平 昌晃、黒澤昌志、大田 晃生、白石 賢二、「アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態」日本物理学会 2016年秋季大会 (物性), (於 金沢大学), 14a-D62-7, 9月2016年
  18. 渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、森大輔、寺尾豊、宮崎誠一, 「熱酸化SiO2/4H-SiC Si面およびC面の電子占有欠陥および化学構造評価」第16回日本表面科学会中部支部学術講演会, (於 名古屋大学), 講演番号4, 12月2016年
  19. 藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一, 「HfO2/SiO2/Si構造の光電子分光分析−界面ダイポールの定量−」第16回日本表面科学会中部支部学術講演会, (於 名古屋大学), 講演番号3, 12月2016年
  20. 中島裕太、大田晃生、竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一, 「Si系量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性」2016真空・表面科学合同講演会, (於 名古屋国際会議場), P219, 12月2016年
  21. 高磊、竹内大智、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一, 「Si細線構造への高密度Si量子ドット形成」, 2016真空・表面科学合同講演会, (於 名古屋国際会議場), 1PB15, 12月2016年
  22. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「IV 族半導体上に蒸着したAg 薄膜の化学構造評価と反応制御」第36回 表面科学学術講演会,(於 名古屋国際会議場),P154,11月2016年
  23. 加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価」第36回表面科学学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 2PA30, 11月2016年
  24. グェン スァンチュン, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一, 「光電子収率分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の電子占有欠陥評価」, 第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会 (名古屋大学) 10月2016年
  25. 藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるSiO2/SiおよびHfO2/SiO2界面のダイポールの定量」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P9, 10月2016年
  26. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「SiおよびSiGe上に形成したAg表面の化学分析」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016,(於 名古屋大学),P19,10月2016年
  27. 山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一, 「XPSを用いたSiO2およびGeO2の誘電関数・光学定数の評価手法の検討」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P61, 10月2016年
  28. 加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「Ti薄膜およびTiナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Niの電気抵抗スイッチング」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P10, 10月2016年
  29. 渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一,「光電子分光分析によるSiO2/4H-SiCの電子状態評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P11, 10月2016年
  30. 竹内大智、山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造のEL特性」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 13p-A35-13, 9月2016年
  31. グェンスァン チュン,大田 晃生,牧原 克典,池田 弥央,宮崎 誠一,「リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の光電子分光分析」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 16a-B1-11, 9月2016年
  32. 藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一,「HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 15a-B9-4, 9月2016年
  33. 山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一, 「GeコアSi量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 15p-B2-5, 9月2016年
  34. 山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 15p-B9-13, 9月2016年
  35. 王亜萍、竹内大智、池田弥央、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ta酸化物ナノドットの高密度・一括形成 (II) 」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 14a-D62-8, 9月2016年
  36. 河P平雅、牧原克典、大田晃生 、池田弥央、宮崎誠一,「FePtナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導特性評価」第77回秋季応用物理学会, (於 朱鷺メッセ), 14a-D62-7, 9月2016年
  37. 渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「4H-SiC Si面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価」第77回秋季応用物理学会, (於 朱鷺メッセ), 16a-C302-4, 9月2016年
  38. グェンスァンチュン, 藤村信幸, 竹内大智, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一,「リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成」, シリコン材料・デバイス研究会(SDM), (於 キャンパス・イノベーションセンター東京), 6月2016年
  39. 藤村信幸、大田晃生、渡辺浩成、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量」電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス], (於 キャンパス・イノベーションセンター東京), SDM2016-40, 6月2016年
  40.  


2015年度

 
  1. 洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二、「絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析」日本物理学会 第71回年次大会, (於 東北学院大学), 19pPSA-38, 3月2016年
  2. 近藤圭悟、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「GeコアSi量子ドットの発光メカニズム」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 19p-P2-2, 3月2016年
  3. 山田健太郎、近藤圭悟、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「GeコアSi量子ドットにおけるGeコアサイズがPL特性に及ぼす影響」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 19p-S223-3, 3月2016年
  4. 張海、満行優介、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一、「磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 21a-S223-8, 3月2016年
  5. 満行優介、河瀬平雅、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「FePt ナノドットスタック構造における磁気伝導特性」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 19a-W834-8, 3月2016年
  6. 渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一、「ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価 (II)」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 21a-H101-2, 3月2016年
  7. 張海、満行優介、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一、「磁性AFM探針を用いたFe3Siナノドットの電子輸送特性評価」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 21a-S223-8, 3月2016年
  8. 加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだ SiOx膜の抵抗変化特性評価」2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会 (於 東京工業大学) , 21p-H111-22, 3月2016年
  9. 黒澤昌志、大田晃生、洗平昌晃、財満鎭明、「Ag誘起層交換成長法によるSi極薄膜の形成」第35回表面科学学術講演会 (於 つくば国際会議場), 2P42R, 12月2015年
  10. 洗平昌晃、黒澤昌志、大田晃生、白石賢二、「絶縁膜上のIV族系二次元結晶に関する第一原理計算」第35回表面科学学術講演会 (於 つくば国際会議場), 2P43, , 12月2015年
  11. グェンスァンチュン, 竹内大智, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面改質」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於 東レ研修センター), P-25, 1月2016年
  12. 藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於 東レ研修センター), P-25, 1月2016年
  13. 加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於 東レ研修センター), P-24, 1月2016年
  14. 渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於 東レ研修センター), P-19, 1月2016年
  15. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一, 「Si量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価」第15回日本表面科学会中部支部研究会, (於 名古屋工業大学), 18, 12月2015年
  16. 張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFe3Siナノドットの結晶構造および磁化特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), P19, 11月2015年
  17. 藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるSi系材料の電子親和力決定手法の検討」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), P17, 11月2015年
  18. 近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットからのフォトルミネッセンス特性―温度依存性」応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015, (於 名古屋大学), P18, 11月2015年
  19. 加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Tiナノドットの高密度一括形成とその埋め込みによる抵抗変化特性の向上」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), B9, 11月2015年
  20. 渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一, 「X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiCエネルギーバンドプロファイルの決定」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), P18, 11月2015年
  21. 張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFeシリサイドナノドットの構造および磁化特性評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2R-2, 9月2015年
  22. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一,「P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2D-6, 9月2015年
  23. 藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「X線光電子分光法によるSiおよびSiO2の価電子帯上端位置の決定」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2D-9, 9月2015年
  24. 近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットからの発光スペクトル―温度依存性」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2D-5, 9月2015年
  25. 満行優介、大田晃央、牧原克典、宮崎誠一,「KFMによるFePtナノドットスタック構造の局所帯電評価」第75回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場),14a-2Q-4, 9月2015年
  26. 加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ni/SiOx/Ti Nanodots/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 15a-2H-3, 9月2015年
  27. 河P平雅、満行優介、大田晃生 、牧原克典 、宮崎誠一,「外部磁場が高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性に及ぼす影響」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 14a-2Q-3, 9月2015年
  28. 渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一,「ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16-1A-1, 9月2015年
  29. 王亜萍、竹内大智、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ta酸化物ナノドットの高密度一括形成」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 14a-2Q-2, 9月2015年
  30. 加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性」電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2015-46, 6月2015年
  31. 渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価」電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2015-44, 6月2015年
  32.  


2014年度

 
  1. 大田晃生、渡邊浩成、グェンスァンチュン、牧原克典、宮崎誠一,「光電子収率分光法によるSiO2/SiC構造の電子状態計測(2)」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 13a-B4-4, 3月2015年
  2. 王亜萍、牧原克典、大田晃生、竹内大智、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるTaナノドットの高密度一括形成」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11a-A20-4, 3月2015年
  3. グェンスァンチュン、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ処理した4H-SiC表面の化学構造および電子状態分析」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 13a-B4-5, 3月2015年
  4. 壁谷悠希、満行優介、張海、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 12p-A20-7, 3月2015年
  5. 張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度一括形成と磁化特性評価」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 13a-A25-10, 3月2015年
  6. 近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一,「P添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11a-A27-12, 3月2015年
  7. 山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「不純物添加がSi量子ドット多重集積構造のEL特性に及ぼす影響」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11p-A25-12, 3月2015年
  8. 満行優介、壁谷悠希、張海、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「外部磁場がFePt合金ナノドットへの電子注入特性に及ぼす影響」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 12p-A20-8, 3月2015年
  9. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11a-A27-12, 3月2015年
  10. 張海、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドナノドットの高密度一括形成」第14回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋大学) , 20, 12月2014年
  11. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Mnナノドットを埋め込んだSiOx-Ni電極MIMダイオードの抵抗変化特性」第14回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋大学) , 20, 12月2014年
  12. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Si-rich酸化膜へのMnナノドット埋め込みが抵抗変化特性へ及ぼす影響」ゲートスタック研究会 (第20回研究会), (於 東レ研修センター), P-7, 1月2015年
  13. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), A4, 11月2014年
  14. 壁谷悠希、張海、福岡諒、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「CoPt合金ナノドット/極薄SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), A11, 11月2014年
  15. グェンスァンチュン、大田晃生、竹内大智、牧原克典、宮崎誠一,「リモートH2プラズマ処理が4H-SiC(0001)の表面マイクロラフネス及び欠陥準位密度に与える影響」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), B16, 11月2014年
  16. 近藤圭悟、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P18, 11月2014年
  17. 山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P19, 11月2014年
  18. 張海、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドドットの高密度形成」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P26, 11月2014年
  19. 満行優介、張海、牧原克典、大田晃生、徳岡良浩、加藤剛志、岩田聡、宮崎誠一,「FePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P27, 11月2014年
  20. 加藤祐介、劉冲、荒井崇、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一,「Niナノドットを電極に用いたSiOx-ReRAMの抵抗変化特性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P28, 11月2014年
  21. 荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Mnナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P29, 11月2014年
  22. 大田晃生、竹内大智、グェンスァンチュン、牧原克典、宮崎誠一,「光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 18p-A17-2, 9月2014年
  23. 山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A15-5, 9月2014年
  24. 温映輝、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるMn-Ge系ナノドットの高密度一括形成」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A6-16, 9月2014年
  25. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Mnナノドット埋め込みSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 20a-A10-3, 9月2014年
  26. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A15-4, 9月2014年
  27. 壁谷悠希、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「FePtナノドット/極薄SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A6-15, 9月2014年
  28. 浜田慎也、村上秀樹、小野貴寛、橋本邦明、大田晃生、花房宏明、東清一郎、宮崎誠一, 「Ge 基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2014-48, 6月2014年
  29. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー), SDM2014-50, 6月2014年
  30. 大田晃生、劉冲、荒井崇、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一,「ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2014-56, 6月2014年
  31.  


2013年度

 
  1. 壁谷悠希、張海、福岡諒、牧原克典、宮崎誠一、「磁性AFM探針を用いたCoPt合金ナノドットの電子輸送特性評価-外部磁場依存性」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 17a-F10-3, 3月2014年
  2. 劉冲、荒井崇、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一、「Niナノドット電極を用いたSiOx薄膜の抵抗変化特性」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 17p-PG2-2, 3月2014年
  3. 福岡諒、張海、牧原克典、大田晃生、徳岡良浩、加藤剛志、岩田聡、宮崎誠一、「FePt合金ナノドットの構造および磁化特性評価」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 18a-F11-2, 3月2014年
  4. 荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Mnナノドットを埋め込んだSiOx MIM構造の局所電気伝導解析」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 18p-PA11-4, 3月2014年
  5. 恒川直輝、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「AFM/KFMによる自己整合一次元連結Si量子ドットの局所帯電評価」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19a-D9-11, 3月2014年
  6. 温映輝、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるMnおよびMnジャーマナイドナノドットの高密度一括形成」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-10, 3月2014年
  7. 近藤圭悟、鈴木善久、牧原克典、池田弥央、小山剛志、岸田英夫、宮崎誠一、「P添加GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-11, 3月2014年
  8. 荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Mnナノドットを埋め込んだSiOx 膜の抵抗変化特性」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-E8-11, 3月2014年
  9. 張海、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度形成」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D3-12, 3月2014年
  10. 山田敬久、牧原克典、鈴木善久、池田弥央、宮崎誠一、「P/N制御Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-12, 3月2014年
  11. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価(U)」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-13, 3月2014年
  12. 牧原 克典、宮崎 誠一、「金属合金化反応制御による強磁性ナノドットの高密度・自己組織化形成」名古屋大学ナノテクノロジープラットフォーム第1回合同シンポジウム〜中部ものづくりは名大から〜, (名古屋大学), 2月2014年
  13. 大田 晃生、村上 秀樹、牧原 克典、宮崎 誠一、「光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討」ゲートスタック研究会 (第19回研究会), (於ニューウェルシティー湯河原), P-16, 1月2014年
  14. 小野 貴寛、村上 秀樹、大田 晃生、東 清一郎、宮崎 誠一、「Ge(100)基板への低温As+イオン注入による低抵抗浅接合形成」ゲートスタック研究会 (第19回研究会), (於ニューウェルシティー湯河原), P-17, 1月2014年
  15. 荒井 崇、大田 晃生、福嶋 太紀、牧原 克典、宮崎 誠一、「SiOx/TiO2積層したTi電極MIMダイオードの抵抗スイッチング」第13回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋工業大学) , 10, 12月2013年
  16. 張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度・一括形成」第13回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋工業大学) , 12, 12月2013年
  17. [チュートリアル]宮崎 誠一、「半導体―メタル 接触界面の構造について」第13回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋工業大学) , 12月2013年
  18. 山田 敬久、牧原 克典、鈴木 善久、宮崎 誠一、「B添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), A3, 11月2013年
  19. 壁谷 悠希、張 海、福岡 諒、牧原 克典、宮崎 誠一、「外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電気伝導特性に及ぼす影響」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), A9, 11月2013年
  20. 鈴木 善久、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「一次元連結Si系量子ドットの電界発光減衰特性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P1, 11月2013年
  21. 恒川 直輝、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットにおける帯電電荷の経時変化計測」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P2, 11月2013年
  22. 竹内 大智、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、可貴 裕和、林 司、「導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P3, 11月2013年
  23. 張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度・一括形成」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P21, 11月2013年
  24. 福岡 諒、張 海、牧原 克典、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度・一括形成と磁化特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P22, 11月2013年
  25. 小野 貴寛、大田 晃生、花房 宏明、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「ゲルマニウムへの低温As+イオン注入による活性化率向上」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20p-B4-8, 9月2013年
  26. 橋本 邦明、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「HfO2/TaGexOyを用いたGe-MIS構造の熱処理による化学構造変化」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 18p-P9-8, 9月2013年
  27. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20a-C9-5, 9月2013年
  28. 張海、福岡諒、壁谷悠希、牧原克典、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度形成」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20a-C11-4, 9月2013年
  29. 鈴木善久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「バイアス印加が一次元連結Si系量子ドットのPL特性に及ぼす影響」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20a-C9-3, 9月2013年
  30. 壁谷悠希、福岡諒、張海、牧原克典、宮崎誠一、「外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電子輸送特性に及ぼす影響」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 19p-C11-4, 9月2013年
  31. 福岡諒、張海、壁谷悠希、恒川直輝、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 19p-C11-3, 9月2013年
  32. 牧原克典、福岡諒、張海、壁谷悠希、大田晃生、宮崎誠一,「リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価 」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 機械振興会館),SDM2013-53,6月2013年
  33. 大田晃生、福嶋太紀、牧原克典、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 機械振興会館),SDM2013-56,6月2013年
  34.  


2012年度

 
  1. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司、「導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶/柱状Siナノ構造の電子放出特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-B8-3, 3月2013年
  2. 福岡諒、張海、壁谷悠希、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるCoPt合金ナノドットの高密度形成」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-B8-7, 3月2013年
  3. 壁谷悠希、張海、福岡諒、牧原克典、宮崎誠一、「CoPt合金ナノドットの帯磁特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-B8-8, 3月2013年
  4. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Ti電極MIMダイオードにおけるSiOx/TiO2多重積層の抵抗変化特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-F2-15, 3月2013年
  5. 盧義敏、高金、牧原克典、酒池耕平、藤田悠二、池田弥央、大田晃生、東清一郎、宮崎誠一、「Niナノドットによる初期核発生制御を活用した高結晶性Si:H/Ge:Hヘテロ結合の低温堆積」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 28a-A3-9, 3月2013年
  6. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司、「非接触AFMによるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出メカニズム解析」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-4, 3月2013年
  7. 鈴木善久、牧原克典、高見弘貴、池田弥央、宮崎誠一、「パルスバイアス印加が一次元連結 Si 系量子ドットの電界発光に及ぼす影響」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-5, 3月2013年
  8. 牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「自己組織化形成Si 系量子ドットの選択成長」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-6, 3月2013年
  9. 新美博久、 牧原克典、 池田弥央、 宮崎誠一、「縦積み連結 Si 系量子ドットの超高密度集積構造における電子輸送特性」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-9, 3月2013年
  10. 山田 敬久、牧原 克典、高見 弘貴、鈴木 善久、池田 弥央、宮崎 誠一、「多重集積したB 添加量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-10, 3月2013年
  11. 福島太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一, スパッタ形成したTiN/SiOx/TiNダイオードの電気抵抗スイッチング特性評価, ゲートスタック研究会(第18回研究会),湯河原, 2013年01月25日〜26日
  12. 小野貴寛、大田晃生、花房宏明、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, ):]線光電子分光によるAs+イオン注入したGeの化学結合状態分析, ゲートスタック研究会(第18回研究会),湯河原, 2013年01月25日〜26日
  13. 大田晃生、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, スパッタ形成したPt/SiOx/Pt構造の光電子分光分析, ゲートスタック研究会(第18回研究会),湯河原, 2013年01月25日〜26日
  14. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司, 「導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出検出」,第12回日本表面科学会中部支部研究会, (於名城大学), 23, 12月2012年
  15. 福島太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一, 「Ti系電極を用いたSiOx膜の化学構造分析と抵抗スイッチング特性評価」,応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], (於 岐阜大学), P-06, 9月2012年
  16. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司, 「導電性AFM探針による極薄Au/柱状Siナノ構造からの電子放出検出」,応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], (於 岐阜大学), P-07, 9月2012年
  17. 張海、市村正也、牧原克典、宮崎誠一, 「溶液ペーストによる無機材料を用いた太陽電池の作製」, 応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], (於 岐阜大学), P-13, 9月2012年
  18. 村上秀樹,大田晃生,芦原龍平,雨宮嘉照,田部井哲夫,横山 新,吉川公麿,宮崎誠一,東清一郎, 「As+イオン注入した4H-SiC基板の化学結合状態評価」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学),, 9月2012年
  19. 小野貴寛,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一, 「As+イオン注入したGe(100)の光電子分光分析」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 9月2012年
  20. 橋本邦明,大田晃生,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一, 「TaOx/p-Ge(100)界面のエネルギーバンドアライメント評価とAl電極ショットキーダイオードの伝導制御」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学)大学, 9月2012年
  21. 大田晃生,Siti Kudnie Sahari,池田弥央,村上秀樹,東清一郎,宮崎誠一, 「ゲルマニウムドライ酸化における基板面方位依存性」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学) , 9月2012年
  22. 高金、牧原克典、池田弥央、福嶋太紀、宮崎誠一,「NiナノドットがGe:H薄膜堆積及び電気伝導特性に及ぼす影響」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 12a-F7-7, 9月2012年
  23. 高金、牧原克典、高見弘貴、竹内大智、酒池耕平、林 将平、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一,「導電性AFM探針によるNiナノドット上に形成した高結晶性Ge:H薄膜の局所伝導評価」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 12a-F7-8, 9月2012年
  24. 張海、市村正也、牧原克典、宮崎誠一,「溶液ペーストによるCuO/ZnOヘテロ構造太陽電池の作成」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13a-H8-18, 9月2012年
  25. 恒川直輝、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「AFM/KFMによる一次元連結Si系量子ドットの帯電電荷分布計測」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-12, 9月2012年
  26. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司,「導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出検出」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-14, 9月2012年
  27. 鈴木善久、牧原克典、高見弘貴、池田弥央、宮崎誠一,「パルスバイアス印加による一次元連結Si系量子ドットの電界発光評価」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-16, 9月2012年
  28. 高見弘貴、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「電圧パルス幅が一次元連結Si系量子ドットダイオード構造のEL特性に及ぼす影響」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-18, 9月2012年
  29. 福嶋太紀、太田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ti系電極を用いたSiリッチ酸化層の抵抗変化特性評価」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 14a-C13-6, 9月2012年
  30. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-1,6月2012年
  31. 池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-3,6月2012年
  32. 村上秀樹、三嶋健斗、大田晃生、橋本邦明、東清一郎、宮崎誠一,「TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-7,6月2012年
  33. 大田晃生、松井真史、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-12,6月2012年
  34. 小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-14,6月2012年
  35. 牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「[招待講演]一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用」,シリコン材料・デバイス研究会(SDM)/電子デバイス研究会(ED)/電子部品・材料研究会(CPM) [結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)],(於 豊橋、豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),ED2012-17,5月2012年
  36. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林 司,「柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価」,シリコン材料・デバイス研究会(SDM)/電子デバイス研究会(ED)/電子部品・材料研究会(CPM) [結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)],(於 豊橋、豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),ED2012-36,5月2012年
  37.  


2011年度

 
  1. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ptナノドット電極を用いたSiOx膜の抵抗変化特性評価」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16p-F6-12, 3月2012年
  2. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Pt/SiOx/TiNダイオード構造の抵抗変化特性評価」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16p-F6-11, 3月2012年
  3. 高見弘貴、牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一,「一次元連結Si系量子ドットのEL特性評価」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-5, 3月2012年
  4. 高金、牧原克典、酒池耕平、林将平、出木秀典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一,「GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜堆積―Niナノドットを用いた結晶核発生制御―」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-B6-5, 3月2012年
  5. 牧原克典、山根雅人、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一,奨励賞受賞記念講演:「熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPt およびPt シリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-B3-1, 3月2012年
  6. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司,「導電性AFM 探針による極薄Au/柱状Si ナノ構造の局所電気伝導評価」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-A1-4, 3月2012年
  7. 牧原克典、恒川直輝、池田弥央、宮崎誠一,「AFM/KFM による一次元連結・高密度Si 系量子ドットの帯電状態の経時変化計測」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-8, 3月2012年
  8. 牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「一次元縦積み連結Si 系量子ドットの室温共鳴トンネル伝導」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-7, 3月2012年
  9. 池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「Si 量子ドット/NiSi ナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける光励起電子のパルス電圧応答」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-GP6-11, 3月2012年
  10. 大田晃生、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「Pt/SiOx/Pt 構造における抵抗変化特性」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16p-F6-10, 3月2012年
  11. 近藤博基、安田幸司、牧原克典、宮崎誠一、平松美根男、関根誠、堀勝,「走査プローブ顕微鏡によるカーボンナノウォールの初期成長過程の解明」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-A3-11, 3月2012年
  12. 大塚慎太郎、古屋沙絵子、清水智弘、新宮原正三、牧原克典、宮崎誠一、渡辺忠孝、高野良紀、高瀬浩一,「酸化アルミニウムを用いた抵抗変化メモリのスイッチング電圧のばらつき抑制」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-A3-11, 3月2012年
  13. 大田晃生、Siti Kudnie Sahari、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「ゲルマニウムドライ酸化における温度依存性」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-A5-4, 3月2012年
  14. 小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「高濃度As+イオン注入ゲルマニウム層における化学結合状態評価」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-A6-9, 3月2012年
  15. 松井真史、大田晃生、村上秀樹、小野貴寛、橋本邦明、東清一郎、宮崎誠一,「極薄層挿入によるAl/p-Ge接合のショットキー障壁制御」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-3, 3月2012年
  16. 大田 晃生、シティクデニィサハリ、池田 弥央、松井 真史、三嶋 健人、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「Ge熱酸化-酸化温度が熱酸化膜構造に及ぼす影響、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), pp.93-96 (東レ総合研修センター, 三島市, 静岡県, 日本, 2012年1月20日-21日)
  17. 大田 晃生、後藤 優太、西垣 慎吾、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「RFスパッタで形成したSiリッチ酸化薄膜の化学構造分析と抵抗変化特性評価、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), P-30, pp.221-224 (東レ総合研修センター, 三島市, 静岡県, 日本, 2012年1月20日-21日)
  18. 三嶋 健斗、村上 秀樹、大田 晃生、橋本 邦明、東 清一郎、宮崎 誠一、「HfO2/Ge界面へのTaOx層挿入による界面反応制御、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), P-5, pp.121-124 (東レ総合研修センター, 三島市, 静岡県, 日本, 2012年1月20日-21日)
  19. 松井 真史、大田 晃生、村上 秀樹、小野 貴寛、東 清一郎、宮崎 誠一、「熱処理による金属/GeO2界面化学構造変化−X線光電子分光分析、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第17回研究会), P-17, pp.169-172 (東レ総合研修センター, 三島市, 静岡県, 日本, 2012年1月20日-21日)
  20. 宮崎誠一, 超低消費電力化デバイス開発に向けた材料・プロセス研究, SPring-8コンファレンス2011, 東京ステーションコンファレンス, 2011年11月01日〜02日
  21. 牧原克典、池田弥央、山根雅人、東清一郎、宮崎誠一, 「プラズマジェット急速熱処理による高密度Ptナノドット形成とフローティングゲートメモリ応用」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2p-ZQ-3, 9月2011年
  22. 牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一, 「KFMによる微結晶ゲルマニウム薄膜の局所帯電評価」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1p-J-9, 9月2011年
  23. 高金、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司, 「導電性AFMによる柱状Siナノ構造における電気伝導特性評価」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2a-J-2, 9月2011年
  24. 高見弘貴、牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一, 「一次元連結・高密度Si系量子ドットにおけるEL発光」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2a-J-3, 9月2011年
  25. Siti Kudnie Sahari、大田晃生、松井真史、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「Evaluation of Chemical Bonding Features of Thermally-Grown Ge Oxide/Ge(100) System」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1a-Q-6, 9月2011年
  26. 三嶋健斗、村上秀樹、大田晃生、Siti Kudnie Sahari、藤岡知宏、東清一郎、宮崎誠一, 「ALD及びLayer-by-Layer法による極薄Ta酸化膜の形成とGe(100)基板における界面酸化評価」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1a-Q-13, 9月2011年
  27. 村上秀樹、藤岡知宏、大田晃生、三嶋健斗、Siti Kudnie Sahari、東清一郎、宮崎誠一, 「Ge基板上への Layer-by-layer法によるTiOx形成と界面反応制御」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1a-Q-14, 9月2011年
  28. 大田晃生、後藤優太、西垣慎吾、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「RFスパッタにより形成したSiOx薄膜の抵抗変化特性評価」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 31p-ZK-8, 8月2011年
  29. 大田晃生、森大樹、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一、「Hf系高誘電率絶縁膜のX線光電子分光分析」, 応用物理学会中・四国支部2011年度支部学術講演会, (於 鳥取、鳥取大学), Ca2-3, p.55, 2011年7月30日
  30. 村上秀樹、藤岡知宏、大田晃生、三嶋健斗、東清一郎、宮崎誠一,「Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会,(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2011-9,7月2011年
  31. 松井真史、藤岡知宏、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会,(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2011-12,7月2011年
  32. 大田晃生、後藤優太、西垣慎吾、Guobin Wei、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 7月度合同研究会,(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2011-9,7月2011年
  33.  


2010年度

 
  1. 牧原克典、出木秀典、森澤直也、池田弥央、宮崎誠一, 「高密度自己整合集積したSi系量子ドットのエレクトロルミネッセンス」,第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 24p-KM-11, 3月2011年
  2. 牧原克典、山根雅人、森澤直也、松本和也、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「熱プラズマジェットミリ秒熱処理による高密度Ptナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用」,第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 24p-KM-9, 3月2011年
  3. 牧原克典、森澤直也、藤岡知宏、松本達弥、林将平、岡田竜弥、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ処理によるPt/a-Ge:Hの合金化反応制御」,第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 24a-P2-20, 3月2011年
  4. 山根雅人、池田弥央、森澤直也、松原良平、西田悠亮、松本和也、林将平、牧原克典、宮崎誠一、東清一郎, 「自己整合一次元連結Si量子ドットの形成」,「熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPtシリサイドナノドットの形成」,第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 24p-KM-10, 3月2011年
  5. 大塚慎太郎、古屋紗絵子、清水智弘、新宮原正三、牧原克典、宮崎誠一、渡辺忠孝、高野良紀、高瀬浩一, 「凹凸構造を持った抵抗変化メモリの電流―電圧特性」,第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 25a-BZ-7, 3月2011年
  6. 後藤優太, 大田晃生, 西垣慎吾, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一, 「Pt/SiOx/Pt キャパシタ構造の抵抗変化特性評価(U)」,第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 25a-BZ-3, 3月2011年
  7. G. Wei, H. Murakami, T. Fujioka, A. Ohta, Y. Goto, S. Higashi and S. Miyazaki, 「Impact of Insertion of Ultrathin TaOx Layer at the Pt/Tio2 Interface on Resistive Switching Characteristics」,第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 25a-BZ-5, 3月2011年
  8. 大田晃生, 後藤優太, 三嶋健斗, Goubin Wei, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎 誠一, 「Ru添加したTiYxOyの抵抗変化特性評価」,第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 25a-BZ-6, 3月2011年
  9. 藤岡知宏, 大田晃生, 三嶋健斗, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一, 「HfO2/Ge界面へのTiOx挿入による界面反応制御」,第58回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27a-KW-11, 3月2011年
  10. 三嶋 健斗、後藤 優太、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一、宮崎 誠一、「ルテニウムの化学結合および電子状態評価、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第16回研究会), P-13, p.39 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス , 目黒区, 東京都, 2011年1月21日-23日)
  11. 松井 真史、藤岡 知宏、大田 晃生、村上 秀樹、東 清一郎、宮崎 誠一、「X線光電子分光法による金属/GeO2界面の化学結合状態分析、」ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- (第16回研究会), P-15, p.41 (於 東京工業大学 大岡山キャンパス , 目黒区, 東京都, 2011年1月21日-23日)
  12. 大田晃生、後藤優太、モハマド ファイルズ カマルザン、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「TiO2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会,(於 東京、東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所),SDM2010-38,6月2010年
  13. 藤岡知宏、板東竜也、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎 誠一,「Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス]シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会,(於 東京、東京大学駒場リサーチキャンパス生産技術研究所),SDM2010-47,6月2010年
  14. 大田晃生、藤岡知宏、後藤優太、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「Ge-MIS構造における界面化学結合状態の光電子分光分析」,第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 15p-ZA-7, 9月2010年
  15. 牧原克典、池田弥央、大田晃生、川浪彰、宮崎誠一, 「自己整合一次元連結Si量子ドットの形成」,第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 14p-ZD-8, 9月2010年
  16. 松本竜弥、東清一郎、牧原克典、赤澤宗樹、宮崎誠一, 「微小融液滴下による疑似エピタキシャルGe / Siの形成」,第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 16p-ZD-4, 9月2010年
  17. 池田弥央、中西翔、森澤直也、川浪彰、牧原克典、宮崎誠一,「PtSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける多段階電子注入特性」,第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 17p-ZE-2, 9月2010年
  18. 三嶋健斗、大田晃生、後藤優太、藤岡知宏、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「ルテニウム酸化物の化学結合および電子状態評価」,第71回秋季応用物理学会,(於 長崎大学),14a-ZD-6,9月2010年
  19. 藤岡知宏、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「有機金属原料を用いたALDによるGe上へのTi酸化膜の形成」,第71回秋季応用物理学会,(於 長崎大学),15p-ZA-15,9月2010年
  20. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一,「マイクロ熱プラズマジェット結晶化Si膜を用いたTFTの電気特性評価」,第71回秋季応用物理学会,(於 長崎大学),15p-ZD-16,9月2010年
  21. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一,「マイクロ熱プラズマジェット結晶化によるSi結晶粒位置制御」,第71回秋季応用物理学会,(於 長崎大学),15p-ZD-17,9月2010年
  22. 松本和也、東清一郎、宮崎誠一,「マイクロ秒急速熱処理によるSiウェハ表面の高効率不純物活性化」,第71回秋季応用物理学会,(於 長崎大学),16a-ZD-1,9月2010年
  23. 後藤優太、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「Pt/SiO2/Ptキャパシタ構造の抵抗変化特性評価」,第71回秋季応用物理学会,(於 長崎大学),17p-NE-5,9月2010年
  24. 赤澤宗樹、東清一郎、松本竜弥、宮崎誠一,「振動伝搬を利用した微小シリコン融液滴下技術の開発」,2010年度支部学術講演会,(於 高知大学),Ca1-2,7月2010年
  25. 松井真史、藤岡知宏、坂東竜也、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「金属/GeO2および金属/Ge(100)ショットキ界面の光電子分光分析」,2010年度支部学術講演会,(於 高知大学),Da1-1,7月2010年
  26. 松井真史、藤岡知宏、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「X線光電子分光法による金属/GeO2界面の化学結合状態分析」,第16回ゲートスタック研究会,(於 東京工業大学),1月2011年
  27. 三嶋健斗、後藤優太、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「ルテニウムの化学結合および電子状態評価」,第16回ゲートスタック研究会,(於 東京工業大学),1月2011年
  28.  


2009年度

 
  1. 松本和也、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「高密度熱プラズマジェット照射急速熱処理による極浅接合中の高効率不純物活性化」, 第57回春季応用物理学会, 18p-D-4, 神奈川, 3月2010年
  2. 広重康夫、東清一郎、林将平、西田悠亮、宮崎誠一, 「大気圧熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるゲート絶縁膜の信頼性向上」, 第57回春季応用物理学会, 18p-D-9, 神奈川, 3月2010年
  3. 林将平、東清一郎、広重康夫、村上秀樹、宮崎誠一, 「大気圧マイクロ熱プラズマジェットを用いたSi膜の高速横方向結晶成長とTFTの電気特性評価」, 第57回春季応用物理学会, 18p-D-13, 神奈川, 3月2010年
  4. 藤岡知宏、板東竜也、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「光電子分光法によるGe MISおよびショットキ接合界面の化学結合状態分析」, 第57回春季応用物理学会, 18p-P9-1, 神奈川, 3月2010年
  5. 貫目大介、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「MgO/HfO2/SiO2スタック構造の光電子分光分析」, 第57回春季応用物理学会, 19a-P11-5, 神奈川, 3月2010年
  6. 林将平、東清一郎、広重康夫、村上秀樹、宮崎誠一, 「大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェットを用いた溶融領域の高速走査による高結晶性Si膜の形成とTFT応用」, 第57回春季応用物理学会, 19p-ZB-16, 神奈川, 3月2010年
  7. 筒井啓喜、岡田竜弥、東清一郎、広重康夫、松本和也、宮崎誠一、野口隆, 「リモート水素プラズマ処理における石英基板表面温度の非接触測定」, 第57回春季応用物理学会, 20a-ZB-2, 神奈川, 3月2010年
  8. 大田晃生、モハマド ファイルズ カマルザン、後藤優太、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「TiYxOy膜の化学結合状態分析および抵抗変化特性評価」, 第57回春季応用物理学会, 20a-TQ-4, 神奈川, 3月2010年
  9. 牧原克典、池田弥央、大田晃生、川浪彰、宮崎誠一, 「Si熱酸化膜上へのGe量子ドットの高密度形成」, 第57回春季応用物理学会, 19a-C-4, 神奈川, 3月2010年
  10. 川浪 彰、牧原克典、池田弥央、芦原龍平、宮崎誠一, 「Coナノドットの帯電および帯磁評価」,第57回春季応用物理学会, 19a-C-5, 神奈川, 3月2010年
  11. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, 「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートの光応答特性」,第57回春季応用物理学会, 17p-B-1, 神奈川, 3月2010年
  12. 芦原龍平, 牧原克典、川浪彰、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるPtAlナノドットの形成」,第57回春季応用物理学会, 19a-C-3, 神奈川, 3月2010年
  13. 宮崎裕介、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一,「Pt/a-Ge:Hのリモート水素プラズマ処理によるPtGe薄膜形成」,第57回春季応用物理学会, 17a-D-9, 神奈川, 3月2010年
  14. 大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、櫻庭政夫、室田淳一, 「SiO2/Si/SiGe0.5/Siヘテロ構造の価電子帯オフセット評価」,第57回春季応用物理学会, 18p-C-6, 神奈川, 3月2010年
  15. 尉国浜、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一, 「The Effect of Anneal Ambient on Resistive Switching Properties with Pt/TiO2/Pt Structure」,第57回春季応用物理学会, 17p-B-8, 神奈川, 3月2010年
  16. Siti Kudnie Sahari、村上秀樹、藤岡知宏、坂東竜也、大田晃生、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一,「Temporal Change in the Native Oxidation of Chemically-cleaned Ge(100) Surfaces」, 第57回春季応用物理学会, 18p-P9-2, 神奈川, 3月2010年
  17. 村口正和、高田幸宏、櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、重田育照、遠藤哲郎, 「2次元電子ガス―量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察」,日本物理学会第65回年次大会, 21aHV-13, 岡山, 3月2010年
  18. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「マイクロ熱プラズマジェット照射超高速ゾーンメルティングによるa-Si膜の結晶化」, 第27回プラズマプロセシング研究会, 横浜, 2月2010年, pp. 75-76, B4-02.
  19. 広重康夫、東清一郎、宮崎祐介、松本和也、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成」, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 奈良, 12月2009年
  20. 広重康夫、東清一郎、岡田竜弥、松本和也、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成」, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会, 京都, 11月2009年, 3P48
  21. 松本和也、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理中の加熱・冷却速度精密制御と不純物活性化への影響」, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会, 京都, 11月2009年, 3O02
  22. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の横方向結晶成長」, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会, 京都, 11月2009年, 2P03
  23. 松本竜弥、東清一郎、宮崎誠一, 「Siマイクロ融液プロセスによる水素終端Si表面での結晶成長制御」, 薄膜材料デバイス研究会第6回研究集会, 京都, 11月2009年, 3P08
  24. 林将平、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の溶融結晶化」, 第3回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール, 静岡, 9月2009年, ポスター番号28
  25. 松本和也、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理時の加熱・冷却速度が不純物活性化に及ぼす影響」, 第3回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール, 静岡, 9月2009年, ポスター番号29
  26. 川浪 彰、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「表面前処理がリモート水素プラズマ支援金属マイグレーションに及ぼす影響」, 第70回秋季応用物理学会, 9p-TB-9, 富山, 9月2009年
  27. 川浪 彰、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ支援によるCoおよびCoシリサイドナノドット形成」, 第70回秋季応用物理学会, 9p-TB-8, 富山, 9月2009年
  28. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, 「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層FG-MOS構造における光誘起電荷移動」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-TG-11, 富山, 9月2009年
  29. 中西 翔、池田弥央、森澤直也、牧原克典、川浪彰、東清一郎、宮崎誠一, 「NiSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける電荷注入・放出特性」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-TA-8, 富山, 9月2009年
  30. 宮崎佑介、牧原克典、川浪彰、岡田竜也、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ支援による表面Pt被覆したa-Ge薄膜の局所結晶化」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-TG-10, 富山, 9月2009年
  31. 貫目大介、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「HfO2層へ熱拡散したMg原子の化学結合状態分析」, 第70回秋季応用物理学会, 8a-TA-6, 富山, 9月2009年
  32. 森大樹、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「X線光電子分光法によるPt/Bi-layer High-k/SiO2スタック構造の内部ポテンシャル評価」, 第70回秋季応用物理学会, 8p-TA-15, 富山, 9月2009年
  33. 後藤優太、貫目大介、大田晃生、尉国浜、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「X線光電子分光法によるTiO2/Pt界面の化学結合状態分析」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-H-4, 富山, 9月2009年
  34. 林将平、東清一郎、広重康夫、松本和也、宮崎誠一, 「大気圧DCアーク放電マイクロ熱プラズマジェット照射によるa-Si膜の結晶化」, 第70回秋季応用物理学会, 9a-TG-5, 富山, 9月2009年
  35. 松本和也、東清一郎、村上秀樹、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒急速熱処理中の加熱・冷却速度制御と不純物活性化」, 第70回秋季応用物理学会, 9p-TG-4, 富山, 9月2009年
  36. 広重康夫、東清一郎、岡田竜弥、松本和也、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO2膜及びSiO2/Si界面の形成」,第70回秋季応用物理学会, 9p-TG-9, 富山, 9月2009年
  37. 広重康夫、東清一郎、岡田竜弥、松本和也、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理による低温形成SiO2膜の高品質化」, 第70回秋季応用物理学会, 10p-N-13, 富山, 9月2009年
  38. 森大樹、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「Pt/Bi-layer High-k/SiO2スタック構造のバックサイドX線光電子分光分析」, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学会講演会, 広島, 8月2009年, Ca2-3
  39. 松本竜弥、東清一郎、木庭直浩、宮崎誠一, 「Siマイクロ融液プロセスによる水素終端Si表面上での結晶成長制御」, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学会講演会, 広島, 8月2009年, Cp1-3
  40. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, 「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける電荷注入特性」, 応用物理学会中国四国支部 日本物理学会中国支部・四国支部 日本物理教育学会中国四国支部 2009年度支部学会講演会, 広島, 8月2009年, Cp1-5
  41. 林将平、東清一郎、菅川賢治、加久博隆、宮崎誠一, 「熱プラズマジェット結晶化μc-Si膜を用いたTFTの電気特性評価」, 第22回プラズマ材料科学シンポジウム, 東京, 6月2009年, p. 83, A4-3.
  42. 大田晃生、貫目大介、東清一郎、宮崎誠一, 「極薄LaOxからHfO2/SiO2層へのLa原子の拡散」,シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 東京, 6月2009年
  43. 後藤優太、貫目大介、大田晃生、尉国浜、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, TiO2/Pt界面の化学結合および電子状態評価」, シリコン材料・デバイス(SDM)研究会, 東京, 6月2009年
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