宮�ｱ 誠一(みやざき せいいち)

名古屋大学大学院 工学研究科 教授 (2010.6 - 2024.3)；副研究科長 (2017.4 - 2019.3)、研究科長・学部長 (2021.4 - 2024.3)
名古屋大学　シンシンクロトロン光研究センター　センター長 (2019.4 - 2022.3)
名古屋大学　未来材料・システム研究所　未来エレクトロニクス集積研究センター 兼務 (2017.4　- 2024.3)
産業技術総合研究所 窒化物半導体先進デバイスＯＩＬ 客員研究員 (2017.4 - 2024.3)
広島大学 ナノデバイス研究所 客員教授　(2022.4 - 2024.3)
広島大学 ナノデバイス・バイオ融合科学研究所　客員教授 (2010.8 - 2022.3)
南京大学　電子科学与工程学院　兼職教授 (2010.10 - 2013.10, 2014.12 - 2017.11)
筑波大学　大学院数理物質科学研究科　客員教授 (2011.9 - 2015.3)
公益社団法人　応用物理学会　フェロー (2009.9.8)

・所在地
〒464-8603
愛知県名古屋市千種区不老町
名古屋大学
大学院工学研究科
電子工学専攻

・教員室
IB電子情報館 北棟１F　109

・TEL: 052-789-3588

・FAX: 052-789-3168

・E-mail: miyazaki@*** (御手数ですが***をnuee.nagoya-u.ac.jpに変換して下さい)

生年月

• 1959年１月生
  

学歴

• 広島大学工学部第二類卒業(1981.3)
• 広島大学大学院工学研究科材料工学専攻博士課程前期修了(1983.3)
• 広島大学大学院工学研究科材料工学専攻博士課程後期修了・博士号取得(1986.3)

職歴

• 広島大学 工学部 助手(1986.4 - 1992.3)
• Erlangen-Nuerberg大学（文部省長期在外研究員(1994 - 1995)）
• 広島大学 工学部 助教授(1992.4 - 2001.3)
• 広島大学 大学院先端物質科学研究科 助教授(2001.4- 2002.3)
• 広島大学 大学院先端物質科学研究科 教授(2002.4 - 2010.5)
• 名古屋大学 大学院工学研究科 教授(2010.6 - 2024.3)
• 名古屋大学 大学院工学研究科 副研究科長(2017.4 - 2019.3)
• 名古屋大学 教育研究評議会 評議員(2018.4 - 2019.3)
• 名古屋大学 シンクロトロン光研究センター長(2019.4 - 2022.3)
• 名古屋大学 大学院工学研究科長(2021.4 - 2024.3)

専門分野

• 固体物理学，半導体工学，集積化デバイス・プロセス

研究内容

• 極微細MOSトランジスタおよび量子機能デバイスに関する研究
• 半導体ナノ構造の形成と量子物性制御に関する研究
• 半導体表面・界面の物性制御に関する研究
• 極薄多層膜構造による新電子材料の開発
• 高効率太陽電池および高性能薄膜トランジスタ開発のためのシリコン系薄膜の研究

主な研究活動

学術論文（最近代表20件）

1. S. Miyazaki and K. Makihara, “Formation and Characterization of Fe-Silicide Nanodots for Optoelectronic Application”, ECS Trans., 112 (1) pp. 131-137 (2023) (Invited).
2. K. Makihara, Y. Yamamoto, Y. Imai, N. Taoka, M. A. Schubert, B. Tillack, and S. Miyazaki, “Room Temperature Light Emission from Superatom-like Ge-core/Si-shell Quantum Dots”, Nanomaterials, 13(9), 1475/8pages (2023).
3. Y. Imai, R. Tsuji, K Makihara, N. Taoka, A. Ohta, and S. Miyazaki, “Alignment control of self-assembling Si quantum dots”, Materials Science in Semiconductor Processing 162, 107526/4pages (2023).
4. S. Nishimura, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Formation of Ultra-thin NiGe Film with Single Crystalline Phase and Smooth Surface”, Jpn. J. Appl. Phys. 62, SC1027/6pages (2022).
5. H. Furuhata, K. Makihara, Y. Shimura, S. Fujimori, Y. Imai, A. Ohta, N. Taoka, and S. Miyazaki, "Study on Silicidation Reaction of Fe-NDs with SiH₄", Applied Physics Express 15, 055503/4pages (2022).
6. S. Miyazaki, Y. Imai, and K. Makihara, “Characterization of Light Emission Properties of Impurity Doped Ge/Si Core-Shell Quantum Dots”, ECS Trans. 109, pp. 335-341 (2022) (Invited).
7. J. Yuhara, H. Muto, M. Araidai, M. Kobayashi, A. Ohta, S. Miyazaki, S. Takakura, M. Nakatake, and G. L. Lay, “Single germanene phase formed by segregation through Al(111) thin films on Ge(111),” 2D Materials, 8(4), 045039/10pages (2021).
8. A. Ohta, K. Yamada, H. Sugawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal”, Jpn. J. Appl. Phys. 60, SBBK05/6pages (2021).
9. A. Ohta, T. Imagawa, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki,“Energy band diagram for SiO₂/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy”, Jpn. J. Appl. Phys. 60, SA, SAAC02/6pages (2020).
10. M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, N. Taoka, T. Simizu, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki,“Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface”, Jpn. J. Appl. Phys. 59, SGGK15/6pages (2020).
11. S. Miyazaki, and A. Ohta, "Photoemission-based Characterization of Gate Dielectrics and Stack Interfaces", ECS Trans., 92 (4) 11-19 (2019) (Invited).
12. S. Fujimori, R. Nagai, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, "Effect of H₂-dilution in Si-cap formation on photoluminescence intensity of Si quantum dots with Ge core", Jpn. J. Appl. Phys., 58, SIIA01/4pages (2019).
13. N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu and S. Miyazaki, "Interface properties of SiO₂/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He", Jpn. J. Appl. Phys., 57, 06KA01/7pages (2018).
14. K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, "Segregated SiGe ultrathin layer formation and surface planarization on epitaxial Ag(111) by annealing of Ag/SiGe(111) with different Ge/(Si+Ge) compositions", Jpn. J. of Appl. Phys., 57, 04FJ05/6pages (2018).
15. K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, K. Yamada, A. Ohta, and S. Miyazaki, "Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection", Appl. Phys. Express, 11, 011305/4pages (2018).
16. S. Miyazaki, N. X. Truyen, A. Ohta and T. Yamamoto, "Photoemission Study of Gate dielectrics on Gallim Nitride", ECS Trans., 79(1), pp. 119-127 (2017) (Invited).
17. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki, "Impact of Phosphorus Doping to Multiple-Stacked Si Quantum Dots on Electron Emission Properties", Materials Science in Semiconductor Processing, 70, pp. 183-187 (2017).
18. N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, "Photoemission Study on Electrical Dipole at SiO₂/Si and HfO₂/SiO₂ Interfaces", Jpn. J. Appl. Phys., 56, No.4S, 04CB04/6pages (2017).
19. S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda, “Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots”, Technical Digest of Int. Electron Devices Meeting 2016, pp. 826-830 (2016) (Invited).
20. H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, "Formation and characterization of high-density FeSi nanodots on SiO₂ induced by remote H₂ plasma", Jpn, J. Appl. Phys., 55, 01AE20/4pages (2016).

国際会議における招待講演【85件】

1. S. Miyazaki, and K. Makihara, “Formation and Characterization of Fe-Silicide Nanodots for Optoelectronic Application”, Semiconductor Process Integration 13, Symp. G02 in The 244th Electrochemical Society (ECS) Meeting (Gothenburg, Sweden, Oct. 8-12, 2023) G02-1542.
2. S. Miyazaki,“Formation and Characterization of Impurity-Doped Ge/Si Core-Shell Quantum Dots”, THERMEC’2023-Int. Conf. on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Viena, Austria, July 3-7, 2023) Session: J8 Interfaces, GB, IGBE 2.
3. S. Miyazaki, K. Makihara, and Y. Imai, “Formation and luminescence studies of Ge/Si core-shell quantum dots”, 2023 Intern. Conf. on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs TFT 8) (Otaru, May 14-18, 2023) Session: Semiconductor Materials.
4. S. Miyazaki, Y. Imai, and K. Makihara, "Characterization of Light Emission Properties of Impurity Doped Ge/Si Core-Shell Quantum Dots", Symp. G03 in The 242nd Electrochemical Society (ECS) Meeting (On-demand, Atranta, Oct. 9-13, 2022) G03-1234.
5. S. Miyazaki,“Photoemission-based Characterization of Interface Dipoles and Defect States for Gate Dielectrics”, 11th International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials (Thermec'2020/2021), (On-demand, June 1-5, 2021) F1 June01-15.
6. S. Miyazaki,“Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light/Electron Emission Devices”, The 13th International Conference and Expo on Nanotechnology & Nanomaterials (iNanotech 2021) (On-line, July 12-13, 2021) DAY2-Planary Session 5.
7. S. Miyazaki, and K. Makihara, “Impact of Boron Doping and H₂ Annealing on Light Emission from Ge/Si Core-Shell Quantum Dots”, Semiconductor Process Integration 12, Symp. G02 in The 240th Electrochemical Society (ECS) Meeting (On-line, Oct. 10-14, 2021) G02-0924.
8. S. Miyazaki, “Photoemission-based Characterization of Interface Dipoles and Defect States for Gate Dielectrics”, 11th International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials (THERMEC'2020/2021), Virtual Conference (On-demand: From June 1 for 6 months) F1 June01-15.
9. S. Miyazaki, and A. Ohta, “Photoemission Study of Chemically-Cleaned GaN Surfaces and GaN-SiO₂ Interfaces Formed by Remote Plasma CVD”, Material Research Meeting 2019 (MRM 2019) (Yokohama, Dec. 10-14, 2019) D-4-12-I06.
10. S. Miyazaki, “Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light Emission”, 3rd Int. Conf. on Photonic Research: InterPhotonics 2019 (Antalya, Turkey, Nov. 4-9, 2019) phoenix 2 Mon-PM-6.
11. S. Miyazaki, “Study on Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots”, World Congress on Lasers, Optics and Photonics (Barcelona, Spain, Sept. 23-25, 2019) Session: Diamond based Photonics and Silicon Photonics.
12. S. Miyazaki, “Fabrication and Characterization of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light and Electron Emissions”, World Chemistry Forum 2019 (WCF-2019) (Barcelona, Spain, May 22-24, 2019) Forum 2-7: Nano-Fabrication, Characterization and Nanoengineering, p.145.
13. S. Miyazaki, and A. Ohta, “Photoemission Characterization of Interface Dipoles and Electronic Defect States for Gate Dielectrics”, ULSIC vs TFT: The 7th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs TFT 7) (Kyoto, May 19 to 23, 2019), Device Physics I-2.
14. S. Miyazaki, “Light Emission from Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots”, 7th Global Nanotechnology Congress and Expo: Nanotechnology 2019 (Kuala Lumpur, Malaysia, Dec. 2-4, 2019) Session: Qunatum Dots.
15. S. Miyazaki, and A. Ohta, “Photoemission Study of Gate Dielectrics and Stack Interfaces”, 2018 International Conference of Solid State of Device and Materials (SSDM 2018) (Tokyo, September 19-23, 2018) E-3-01.
16. S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda, and A. Ohta, “Formation and Characterization of Si/Ge Quantum Dots for Optoelectronic Application”, International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials (Thermec'2018) (Paris, France, July 9-13, 2018) H6-5.
17. [Plenary] S. Miyazaki, “Challenges in Si-Based Nanotechnology:Fabrication and Characterization of Multistack Si/Ge Quantum Dots for Novel Functional Devices”, The 5th International Conference on Advanced Materials Science and Technology 2017 (ICAMST 2017) (Makassar, Indonesia, Sept. 19-20, 2017) P-001.
18. S. Miyazaki, K. Yamada, Y. Nakashima, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda, “Fabrication of Multiple Stack Si/Ge Quantum Dots for Light/Electron Emission Devices”, The 1st International Semiconductor Conference for Global Challenges (ISCGS-2017)　(Nanjing, China, July 17-19, 2017) Session 1-2.
19. S. Miyazaki, K. Yamada, M. Ikeda, and K. Makihara, “Study of Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core”, Frontiers in Materials Processing Applications, Research and Technology (FiMPART'17) (Bordeaux, France, July 9-12, 2017) D2 OP1998.
20. S. Miyazaki, A. Ohta, and N. Fujimura, “Characterization of Interfacial Dipoles at Dielectric Stacks by XPS Analysis”, The 232nd Electrochemical Society (ECS) Meeing (National Harbor MD, Oct. 1-5, 2017) D01-841.
21. S. Miyazaki, K. Yamada, K. Makihara, and M. Ikeda, “Processing and Characterization of High Density Si/Ge Quantum Dots for Electroluminescent Devices”, The 232nd Electrochemical Society (ECS) Meeting (National Harbor MD, Oct. 1-5, 2017) G03-1128.
22. S. Miyazaki, N. Truyen, and A. Ohta, “Photoemission Study of Gate Dielectrics on Gallim Nitride”, The 6th International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC vs TFT 6)(Schloss Hernstein, Hernstein, Austria, May 21-25, 2017) Session 2D & Novel devices.
23. [Plenary] S. Miyazaki, “High Density Formation of and Light Emission from Silicon Quantum Dots with Ge Core”,11th Workshop on Si-based Optoelectronic Materials and Devices (Nanjing, China, June 16-19, 2016) Plenary 1.
24. S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda, “Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots”, Internatinal Electron Devices Meeting 2016 (IEDM 2016) (San Francisco CA, Dec. 3-7, 2016) Session 33.2, pp. 826-830.
25. S. Miyazaki, D. Takeuchi, M. Ikeda, and K. Makihara, “Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Functional Devices”, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) (Tsukuba, Sep. 27-29, 2016), D-5-01.
26. S. Miyazaki, “Characterization of Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core”, Intern. Conf. on Processing and Manufacturing of Advanced Materials 2016 (THERMEC'2016) (Granz, Austria, May 29-June 3, 2016) H2-2.
27. S. Miyazaki, “Magnetoelectronic Transport and Resistive Switching in Double Stack FePt Nanodots on Ultrathin SiO₂/c-Si”, JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", (Julich, Germany, November 24-26, 2016) S4.3.
28. S. Miyazaki, "High Density Formation and Light Emission Properties of Silicon Quantum Dots with Ge Core",The 2nd Annual World Congress of Smart Materials-2016, (Singapore, March 4-6, 2016) Focus 101-13.
29. S. Miyazaki, “High-Resolution Photoemission Study of High-k Dielectric Bilayer Stack on Ge(100)”, The 228th Electrochemical Society (ECS) Meeting (Phenix, USA, Oct. 11-15, 2015) G04-1090.
30. S. Miyazaki, “High Density Formation and Characterization of CoPt and FePt Nanodots on SiO₂”, International Conference on Frontiers in Materials Processing Applications Research & Technology (FiMPART'15), (Hyderabad, India, June 12-15, 2015) C1.6.
31. S. Miyazaki, “Study on Light Emission from Si Quantum Dots with Ge Core”, The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9) (Montreal, May 18-22, 2015) S2.3-1.
32. [Plenary] S. Miyazaki, “Materials and Interfaces Characterization for Advanced Ge-Channel Devices: Soft and Hard X-ray Photoemission Measurements”, The 1st Material Research Society of Indonesia (MRS-Id) Meeting (Bali, Indonesia, Sept. 26-28, 2014) Plenary 5.
33. S. Miyazaki, and A Ohta, “Photoemission Study of High-k Dielectrics Stack on Ge(100) - Determination of Energy Bandgaps and Band Alignments”, JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Leuven, Belgium, Nov. 12-13, 2014) 2.1.
34. S. Miyazaki, and A. Ohta, “XPS study of Energy Band Alignment of High-k Dielectric Gate Stack on Ge”, 2014 MRS Spring Meetings, (Boston MA, April 21-25, 2014) BB 8.05.
35. S. Miyazaki, “Optoelectronic Response of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots Floating Gate”, 2013 Energy Materials Nanotechnology Fall Meeting (EMN2013) (Orlando FL, Dec. 7-10, 2013) A62.
36. S. Miyazaki, “Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Embedded in Gate Dielectric for Optoelectronic Application”, International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials 2013 (THERMEC'2013) (Las Vegas NV, Dec. 2-6, 2013) Session L2-3, 817
37. S. Miyazaki, “Study on Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate Mos Devices for Their Optoelectronic Application”, The 224th Electrochemical Society (ECS) Meeting (San Francisco CA, Oct. 27-Nov. 1, 2013) E12-2235
38. S. Miyazaki, K. Makihara, and M. Ikeda, “Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Devices”, JSPS Core-to Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Albany NW, June 8, 2012) Session 4-1.
39. S. Miyazaki, “Formation of Metal-Semiconductor Hybrid Nanodots and Its Application to Functional Floating Gate”, BIT's 1st Annual World Congress of Nano-S&T-2011 (Dairen, China, Oct.23-26, 2011) Track 2-3, p.256.
40. S. Miyazaki, “Formation and Characterization of Silicon-Quantum-Dots/Metal-Silicide- Nanodots Hybrid Stack and its Application to Floating Gate Functional Devices”, The 220th Electrochemical Society (ECS) Meeting, (Boston, MA, Oct. 9-14, 2011) E9-2157.
41. S. Miyazaki, “Formation of Hybrid Nanodots Floating Gate for Functional Memories”, International Conference on Processing & Manufactturing of Advanced Materials (Themec’2011) (Quebec, Canada, Aug. 1-5, 2011) NANO-1-7.
42. [Keynote]S. Miyazaki, “Characterization of La- and Mg-Diffused HfO₂/SiO₂ Stack Structures of for Next Generation Gate Dielectrics”, 7th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM7) (Cairns, Australia, Aug. 2-6, 2011) Symp. G.
43. S. Miyazaki, “Application of Remote Hydrogen Plasma to Selective Processing for Ge-based Devices -Crystallization, Etching and Metallization”, The 4th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2011) (Takayama, March 10-12, 2011) I-05.
44. S. Miyazaki, “Fabrication and Characterization of Hybrid Nanodots for Floating Gate Application”, International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), (Shanghai, China, Nov. 1- 4, 2010) I07_10.
45. S. Miyazaki, N. Morisawa, S. Nakanishi, K. Makihara, and M. Ikeda, “Formation of Hybrid Nanodots Floating Gate for Functional Memories -Charge Strage Characteristics and Optical Response-”, The 5th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2010) (Sendai, Jan. 29-30, 2010) I-17, pp. 77-78.
46. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, and R. Matsumoto, “Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin Gate Oxide Induced by H₂-plasma Treatment and Its Application to Floating Gate Memories”, The 4th International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2008) (Sendai, Sep. 25-27, 2008) Z-01, pp. 53-54.
47. S. Miyazaki, “Formation of Si Quantum Dots/Silicide Nanodots Stack Structure and Its Memory Application”, The 1st International Workshop on Si based nano-electronics and photonics (SiNEP-09) (Vigo, Spain, Sept. 20-23, 2009) SESSION 4, pp. 79-80.
48. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, and R. Matsumoto, “Formation of High Density Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO₂ for Floating Gate Memory Application”, International Conference on Processing and Manufacturing of Advanced Materials, Pricessing, Fabrication, Proreties, Applications (THERMEC’2009) (Berlin, Germany, Augst 25-29) SESSION E5, p. 115.
49. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, R. Matsumoto, and N. Morisawa, “Fabrication of Metal Silicide Nanodots and Hybrid Stacked Structure in Combination with Silicon Quantum Dots for Floating Gate Application”, The 3rd Asian Physucs Symposium (APS 2009) (Bandung, Indonesia, July 22-23, 2009) IN03, pp. 13- 17.
50. S. Miyazaki, K. Makihara, and M. Ikeda, “Formation and Characterization of Hybrid Nanodot Stack Structure for Floating Gate Application”, The 6th International Conference on Silicon Epitaxiy and Heterostructures (ICSI-6) (Los Angeles, CA, May 17-22, 2009) Session 2A.
51. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, and R. Matsumoto, “Plasma-enhanced Self-assembling Formation of Metallic Nanodots on Ultrathin SiO₂ for Floating Gate Application”, International Union Material Research Society (IUMRS) - International Conference in Asia (Nagoya, Dec. 9-13, 2008) QI-8, p. 131.
52. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe, and R. Matsumoto, “Formation of metal and silicide nanodots on ultathin gate oxide induced by H₂-plasma”, The 17th World Interfinish Congress & Exposition with the 9th International Conference on Advanced Surface Engineerring (9th ICASE) (Busan, Korea, June 16-19, 2008) IN-07.
53. S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima, and Y. Nara, “Photoemission Study of Metal/HfSiON Gate Stack”, The 213th Electrochemical Society (ECS) Meeting (Phoenix AZ, May, 18-22, 2008) E3-703.
54. S. Miyazaki, H. Yoshinaga, A. Ohta, Y. Akasaka, K. Shiraishi, K. Yamada, S. Inumiya, M. Kadoshima, and Y. Nara, “Photoemission Study of Metal/High-k Dielectric Gate Stack”, The 38th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) (Arlington VA, Dec. 6-8, 2007) 3.1.
55. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, “Electron Charging and Discharging Characteristics of Si-Based Quantum Dots and Their Application of Floating Gate MOS Memories”, The 3rd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2007) (Sendai, Nov. 8-9, 2007) I-16, pp. 73-74.
56. S. Miyazaki, “Self-Assembling Formation of Si-Based Quantum Dots and Control of Their Electronic Charged States for Multivalued MOS Memories”, The 10th International Conference on Advanced Materials − International Union of Materials Research Societies, (Bangalore, India, Oct. 8-13, 2007) V-Inv-08, pp. V-5-V-6.
57. S. Miyazaki, M. Ikeda, and K. Makihara, “Characterization of Electoronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application”, The 212th Electrochemical Society (ECS) Meeting (Washington DC, Oct. 7-12, 2007) E9-1276.
58. S. Miyazaki, M. Ikeda, and K. Makihara, “Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories”, The 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5) (Marseille, France, May 20-25, 2007) S2-I17, pp. 87-88.
59. S. Miyazaki, A. Ohta, Pei, S, Inumiya, Y. Nara and K. Yamada, “Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100)”, The 210th Electrochemical Society (ECS) Meeting (Cancun, Mexico, Oct. 29-Nov. 3, 2006) E4-1104.
60. S. Miyazaki, K. Makihara, and M. Ikeda, “Characterization of Electronic Charged States of Si-based Quantum Dots for Multi-valued MOS Memories”, The 8th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT), (Shanghai, China, Oct. 23-26, 2006) C3.14, pp. 736-739.
61. S. Miyazaki, K. Makihara, and M. Ikeda, “Control of Electronic Charged States of Si-based Quantum Dots for Floating Gate Application”, The 2nd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2006) (Sendai, Oct. 2-3, 2006) I-10, pp. 49-50.
62. S. Miyazaki, A. Ohta, S. Inumiya, and Y. Nara, “Influences of Nitrogen Incorporation on Electronic Structure and Electrical Properties of Ultrathin Hafnium Silicate”, The European Materials Research Society (E-MRS) 2006 Spring Meeting (Nice, France, May 29 to June 2, 2006) L-4a.
63. S. Miyazaki, M. Ikeda, and K. Makihara, “Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories”, The 209th Electrochemical Society (ECS) Meeting, (Denver CO, May 7-12, 2006) I1-390.
64. S. Miyazaki, “Control of Discrete Charged States in Si-Based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate Memories”, The 4th International Symposium Surface Science and Nanotechnology (ISSS-4), (Omiya, Nov. 14 - 17, 2005) Th-A6(I), p. 540.
65. S. Miyazaki, “Self-Assembling Formation of Si-based Quantum Dots and Control of Their Electric Charged States for Multi-valued Memories”, SPIE Conference on Nanofabrication: Technologies, Devices, and Applications II (SA111) at Optics East (Boston MA, Oct.23-26, 2005) No. OE05-SA111-41.
66. S. Miyazaki, “Electron Charging and Discharging Characteristics of Si-based Quantum Dots Floating Gate”, The Second International Symposium on Point Defects and Nonstoichiometry (ISPN-2) (Kaohsiung, Taiwan, Oct 3-5, 2005) Th-A1-1, p. 19.
67. S. Miyazaki, “Control of Charged States of Silicon-Based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate MOS Memories”, First International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2005) (Sendai, May 27-28, 2005) V-2, pp. 39-40.
68. S. Miyazaki, “High Rate Growth of Crystalline Si and Ge Films from Inductively-Coupled Plasma”, SREN 2005 International Conference on Solar Renewable Energy News, Low Energy Buildings, Research of Historical Artifacts (Florence, Italy, April 2-8, 2005) Section 1-1.
69. S. Miyazaki, “Characterization of Charged States of Silicon-based Quantum Dots and Its Application to Floating Gate MOS Memories”, International Union of Materials Research Societies (IUMRS)-The 7th International Conference in Asia (ICA-7) (Hsinchu, Taiwan, Nov. 16-18, 2004) F-I-08, p. 208.
70. S. Miyazaki, “Electrical Charging Characteristics of Silicon Dots Floating Gates in MOS Devices”, The 7th China-Japan Symposium on Thin Films (Chengdu Sichuan, China, Sept. 20-22, 2004) 3, pp. 7-10.
71. S. Miyazaki, “Charging/Discharging Characteristics of Silicon Quantum Dots and Their Application to Memory Devices”, The 2004 Joint Conference of The 7th International Conference on Advanced Surface Enginnering (ASE2004) and The 2nd International Conference on Surface and Interface Science and Engineering (FSISE 2004) (Guangzhou, China, May 14-16, 2004) No. 270 p. 138.
72. S. Miyazaki, “Photoemission Study of High-k Gate Dielectric/Si(100) Heterostructures - Chemical Bonding Features and Energy Band Alignment”, American Vacuum Society (AVS) 50th International Symposium and Exhibition (Baltimore MD, Nov. 3, 2003) DI-MoM7.
73. S. Miyazaki, “Self-Assembling of Si Quantum Dots and Their Application to Memory Devices”, International Conference on Polycrystalline Semiconductors (Nara, Sept. 10-13, 2002) 105, p. 56.
74. S. Miyazaki, “Self-Assembling of Si quantum Dots and Their Application to Memory Devices”, The 2nd Vacuum & Surface Sciences Conference of Asia and Australia (VASSCAA-2) (Hong Kong, Aug. 26-30, 2002) Mo7.
75. S. Miyazaki, H. Takahashi, M. Sagara, and M. Hirose, “Growth and Characterization of Amorphous and Microcrystalline Silicon-Germanium Films”, 2002 Material Research Society Spring Meeting (San Francisco CA, April 1-5, 2002) A18.1.
76. S. Miyazaki, and H. Murakami, “Characterization of Deposition Process of Microcrystalline Silicon-Germanium Films: In-situ Infrared Attenuated Total Reflection and Ex-situ Raman Scattering Studies”, The 5th SANKEN International Symposium (Osaka, March 14, 2002) P1.13, pp. 65-66.
77. S. Miyazaki, “Characterization of Deposition Processes of Silicon-Germanium Films by Using In-Situ Infrared Attenuated-Total-Reflection and Surface-Sensitive Raman Scattering Spectroscopy”, Frontiers of Surface Engineering 2001: The 2001 Joint International Conference (Nagoya, Oct. 28 - Nov. 1, 2001) ID-01, p. 16.
78. S. Miyazaki, “Characterization of Ultrathin Gate Dielectrics on Silicon by Photoelectron Spectroscopy”, Int. Workshop on Device Technology - Alternatives on to SiO₂ as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics (Porto Alegre, Brasil, Sept. 3-5, 2001) Tu5.
79. S. Miyazaki, “Electronic Structures of High-k Gate Dielectrics”, Frontier Science Research Conference in Material Science & Technology Series: Sci. & Technol. of Silicon Materials (La Jolla CA, Aug. 13-15, 2001) Session I, Bulletin of the Stefan Univ. Vol.13.
80. S. Miyazaki, “Characterization of High-k Gate Dielectric/Silicon Interfaces”, The 8th Internatinal Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (Sapporo, June 10-15, 2001) Tu3-4, p. 190.
81. S. Miyazaki, “Photoemission Study of Energy Band Alignments and Gap State Density Distributions for High-k Gate Dielectrics”, The 28th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (Lake Buena Vista FL, Jan. 7-11, 2001) We1620.
82. S. Miyazaki, and M. Hirose, “Photoemission Study of Energy Band Alignment and Gap State Density Distribution for High-k Gate Dielectrics”, Internernaional Conference on Characterization and Metrology for ULSI Technology (Gaithersburg MD, June 26-29, 2000) S2.2.
83. S. Miyazaki, and M. Hirose, “Insights into Surface Reactions During Plasma-Enhanced CVD of a-Si1-xGeｘ:H Films From FT-IR-ATR and Raman Scattering”, The 11th Symposium of Material Research Society of Japan (MRS-J) (Kawasaki, Dec. 16-17, 1999) 2-8-K10.
84. S. Miyazaki, T. Tamura, T. Murayama, A. Khono, and M. Hirose, “Electronic States of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces and SiO₂/Si Interfaces”, JRCAT International Workshop on Science and Technology of Hydrogen-Terminated Silicon Surfaces (Tukuba, Nov. 4-6, 1997) Ses.6.3, pp. 35-36.
85. S. Miyazaki, K. Shiba, K. Sakamoto, and M. Hirose, “Photoluminescence Studies on Thermally-Oxidized Porous Silicon”, The 183rd Electrochemical Society (ECS) Meeting (Honolulu HI, May 16-21, 1993) No.146.

国内学会・会合における招待講演【80件】

1. [チュートリアル]宮�ｱ 誠一, 薄膜評価法−組成・状態評価, 日本学術振興会　R025先進薄膜界面機能創成委員会, リトリート学習会, ハイブリッド, 東京, 2023年7月21〜22日.
2. 宮�ｱ 誠一、大田 晃生, 絶縁膜/GaN 界面の化学・電子状態評価−光電子分光分析からの知見, 2022年 第83回応用物理学会秋季学術講演会, 東北大学, 仙台, 2022年9月20日-23日, 21p-M206-5.
3. [チュートリアル]宮�ｱ 誠一, 薄膜評価法−組成・状態評価, 日本学術振興会　R025先進薄膜界面機能創成委員会, リトリート学習会, オンライン, 2022年7月29〜30日.
4. [チュートリアル]宮�ｱ 誠一, 薄膜評価法−組成・状態評価, 日本学術振興会　R025先進薄膜界面機能創成委員会, リトリート学習会, オンライン, 2021年3月5〜6日.
5. [チュートリアル]宮�ｱ 誠一, 薄膜評価法−組成・状態評価, 日本学術振興会　薄膜第131委員会, 薄膜工学セミナー2019, キャンパスイノベーションセンター東京, 2019年7月5〜6日.
6. 宮�ｱ 誠一, 電子デバイス・材料開発に向けたナノスケールスタック構造・界面の光電子分光分析, 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―（第24回）, 東レ研修センター, 2019年1月24日-26日.
7. [チュートリアル]宮�ｱ誠一, 組成・状態分析, 薄膜工学セミナー2018, キャンパスイノベーションセンター東京, 2018年7月20〜21日.
8. 宮�ｱ 誠一, Si-Geスーパーアトム構造の高密度集積と光・電子物性制御, 第1回「ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会」, 科学技術交流財団 研究交流センター, 2018年6月11日.
9. 宮崎誠一, Si-Ge系コア・シェル量子構造の高密度集積と光・電子物性制御, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 早稲田大学　西早稲田キャンパス, 2018年3月17 〜20日, 18p-C304-3.
10. 宮崎誠一, GaN−MOSデバイス開発に向けたゲート絶縁膜及び界面の光電子分光, 先進パワー半導体分科会 第4回講演会, 名古屋国際会議場, 2017年11月1〜2日, OIV-1.
11. [チュートリアル]宮�ｱ誠一, 組成・状態分析, 薄膜工学セミナー2017, キャンパスイノベーションセンター東京, 2017年7月28〜29日.
12. [チュートリアル]宮�ｱ誠一, 組成・状態分析 , 薄膜工学セミナー2016, キャンパスイノベーションセンター東京, 2016年6月3〜4日.
13. [チュートリアル]宮崎誠一, X線光電子分による薄膜おび界面評価, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第5回 基礎講座「最先端薄膜評価技術−半導体と電気化学を結ぶ表面・界面評価技術−」, キャンパスイノベーションセンター東京, 2015年10月3日.
14. [チュートリアル]宮�ｱ誠一, CVD 1（シリコン系）, 第32回薄膜スクール, サンパーク犬山, 2015年7月1〜3日.
15. [基調講演]宮�ｱ誠一, 金属学会 第2回エレクトロニクス薄膜材料研究会, 名古屋大学, 2014年9月25日.
16. [チュートリアル]宮�ｱ誠一, CVD 1（シリコン系）, 第31回薄膜スクール, 独立行政法人　産業技術総合研究所　福島再生可能エネルギー研究所, 2014年7月3〜4日.
17. [チュートリアル]宮崎 誠一, 半導体―メタル　接触界面の構造について, 第13回日本表面科学会中部支部研究会, 名古屋工業大学, 2013年12月21.
18. [チュートリアル]宮�ｱ誠一, CVD 1（シリコン系）, 第30回薄膜スクール, たがわ龍泉閣, 能美市, 2013年7月3〜5日.
19. 宮崎誠一, ナノ構造制御で展開する電子デバイス開発−機能進化・高度化への挑戦, 薄膜材料デバイス研究会, 第9回研究集会「薄膜デバイスの未来」,なら100年会館, 奈良, 2012年11月2 〜3日, 2T01, pp.1-26.
20. [チュートリアル]宮崎誠一, 化学気相成長法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第29回 薄膜スクール, 秋保温泉左勘, 仙台, 2012年7月4日〜6日.
21. [チュートリアル]宮崎誠一, 化学気相成長法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第28回 薄膜スクール, 松風園, 蒲郡, 2011年7月20日〜22日.
22. 宮崎誠一, シリコン技術, 30th Electronic Materials Symposium, ランプセッション「エレクトロニクスを支える電子材料　〜２０２０年への展望〜」, ラフォーレ琵琶湖, 2011年6月29日〜7月1日.
23. 宮崎誠一, High-k Gate 技術について, TEL Advanced Technorogy Forrum 2010, 東京エレクトロン株式会社 山梨事業所, 山梨, 2010年8月17日.
24. 宮崎誠一, アカデミックロードマップ-シリコン技術, セミコン・ジャパン2010, 幕張メッセ, 横浜, 2010年12月2日, 応用物理学会アカデミックロードマップ特設ステージ.
25. 宮崎誠一, ナノ構造制御の課題, 2010年秋季 第71回応用物理学学術講演会, 長崎大学, 長崎, 2010年9月14日〜17日), 16p-ZE-5「シリコンテクノロジーの未来像を徹底的に考える-Never Ending Silicon Technology」.
26. [チュートリアル]宮崎誠一, 化学気相成長法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第27回 薄膜スクール, キャンパスイノベーションセンター東京, 2010年7月1〜2日.
27. 宮崎誠一, プラズマによる薄膜形成技術, 第20回プラズマエレクトロニクス講習会, 慶応義塾大学（日吉キャンパス), 横浜, 2009年10月29〜30日, pp.37-47.
28. 宮崎誠一, 低炭素社会の実現に向けた先端基盤技術−太陽光発電を中心として−,　第12回「フレッシュ理科教室」−楽しい理科授業のための教材研修ワークショップ―, 広島国際大学広島キャンパス国際教育センター, 広島, 2009年8月11日, 特別講演, pp. 1- 9.
29. 宮崎誠一, メタル/高誘電率絶縁膜ゲートスタックにおける内部電位評価−メタルゲート仕事関数変化の起源, 2009年秋季 第70回応用物理学学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月8日〜11日, 9a-TC-5.
30. 宮崎誠一, 「シリコンテクノロジーの挑戦―材料・プロセス・デバイスの新展開」について, 2009年秋季 第70回応用物理学学術講演会, 富山大学, 富山, 2009年9月8日〜11日, 8p-TE-1.
31. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第26回 薄膜スクール, キャンパスイノベーションセンター東京, 2009年7月7日〜8日.
32. [チュートリアル]宮崎 誠一, X線光電子分光による表面・界面評価, 薄膜第131委員会, 第4回基礎講座「薄膜評価技術」, キャンパスイノベーションセンター東京, 2008年10月24日, pp. 13-22.
33. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第25回 薄膜スクール, 秋保温泉左勘, 仙台, 2008年7月10日〜11日.
34. 宮崎 誠一, シリコン表面および極薄ゲート絶縁膜の欠陥評価, 日本大学 津田沼キャンパス、表面技術協会第117回講演大会, 2008年3月12日〜14日.
35. 宮崎 誠一, 金属/High-k ゲート絶縁膜界面の光電子分光分析-化学結合状態と実効仕事関数評価, ゲート絶縁膜の物理-より深い議論を通じて、次への展開を探る-, 高知, 2007年12月26日, pp. 1-10.
36. [チュートリアル]宮崎 誠一, X線光電子分光による表面・界面評価, 薄膜第131委員会, 第3回基礎講座「薄膜評価技術」, キャンパスイノベーションセンター東京, 2007年10月18日, pp. 13-22.
37. 宮崎 誠一, Si/絶縁膜(high-k/SiO₂)の界面状態評価と電気特性, 第34回アモルファスセミナー, 蔵王, 2007年9月27日〜29日.
38. 宮崎 誠一, Si量子ドットを用いた浮遊ゲートメモリー, 応用物理学会 平成19年薄膜・表面物理分科会セミナー, 早稲田大学, 2007年7月17日〜18日, p.27-36.
39. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第24回 薄膜スクール, 浜名湖ロイヤルホテル, 浜松市, 2007年7月11日〜13日
40. 宮崎 誠一, 硬Ｘ線光電子分公法による極薄Hf系酸化膜の化学結合状態および電子状態評価, シリコンナノエレクトロニクス研究と放射光, 兵庫県佐用郡, 2006年11月13日.
41. 宮崎 誠一, 量子ドット形成とデバイス応用, 薄膜材料デバイス研究会 第3回研究集会「薄膜デバイスの新展開」, pp. 50-57, あすなら会議場, 奈良, 2006年11月10日〜11日.
42. [チュートリアル]宮崎誠一, X線光電子分光による薄膜おび界面評価, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第3回 基礎講座, キャンパスイノベーションセンター東京, 2006年10月17日.
43. 宮崎 誠一, メタルゲート/絶縁膜界面の化学構造分析と実効仕事関数評価, 第６７回応用物理学会学術講演会, 立命館大学, 2006年8月29日〜9月1日.
44. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第23回 薄膜スクール, 大磯プリンスホテル, 2006年6月28〜30日.
45. [チュートリアル]宮崎 誠一, ULSI薄膜プロセスの基礎物理, 半導体界面制御技術第154委員会 講習会, 東京, 2005年11月10日, pp. 13-25.
46. 宮崎 誠一, ゲート絶縁膜およびMOS界面の化学構造および電子状態分析, 第34回薄膜・表面物理基礎講座(JSAP No.AP052348), 東京, 2005年11月10日〜11日, pp. 25-34.
47. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第22回 薄膜スクール, なにわ一水, 松江市, 2005年7月13日〜15日
48. 宮崎 誠一, シリコン系量子ドットの荷電状態制御とフローティングMOSデバイスへの応用, 応用物理学会, 応用電子物性分科会研究例会「ナノシリコンの最近の進展−量子サイズシリコンの新しい可能性」, 東京理科大学理窓会館, 2005年5月27日, pp. 65-70.
49. 宮崎 誠一, シリコン量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用, 未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会 第72回研究会, 東京, 2005年5月13日, pp. 23-32.
50. 宮崎 誠一, Si系量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートMOSデバイスへの応用, 第52回応用物理学関係連合講演会, シンポジウム「シリコンナノエレクトロニクスの新展開−ポストスケーリングテクノロジー−」, 埼玉大学, 2005年3月29日〜4月1日, 30p-S-4.
51. 宮崎 誠一, Hf系高誘電率絶縁膜ゲートスタックにおける界面反応制御, 第65回応用物理学会学術講演会, 東北学院大学, 2004年9月2日, p. 39.
52. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第21回薄膜スクール, 秋保温泉左勘, 仙台, 2004年7月7‐9日.
53. 宮崎 誠一, 高誘電率絶縁膜/Si界面の基礎物性, 第51回応用物理学会学術講演会、シンポジウム「High-kゲート絶縁膜−現状と課題−」, 東京工科大学, 2004年3月28日, p. 2.
54. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第20回薄膜スクール, 名鉄犬山ホテル, 犬山, 2003年7月2‐4日.
55. 宮崎 誠一, 高誘電率ゲート絶縁膜の光電子分光分析−エネルギーバンドアライメント評価および高感度欠陥計測−, 特定研究「超機能化グローバル・インターフェイス・インテグレーション研究」テーマ「グローバル・インテグレーションのための新材料とプロセス技術」, 名古屋大学, 2003年5月26日.
56. 宮崎 誠一, シリコンナノデバイス・プロセス技術ーテラビット情報ナノエレクトロニクスへの展開ー, 名古屋大学電気系２１世紀 COE シンポジウム プラズマが拓くナノ情報デバイスの世界的拠点形成に向けて, 名古屋大学, 2003年3月3日, pp. 1-7.
57. 宮崎 誠一, 半導体ナノメートルドットの形成と機能メモリデバイス応用, 平成14年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会「サブサーフェス制御知能プラズマプロセスに関する研究」, 東北大学, 2002年10月5日, pp. 115-123.
58. [チュートリアル]宮崎誠一, 化学気相堆積法(CVD), 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第19回薄膜スクール, 筑波山　江戸屋, 2002年7月3‐5日, pp. 83-100.
59. 宮崎 誠一, Si量子ドットの自己組織化形成とメモリーデバイス応用, 平成13年度第1回研究科フォーラム「シラン系CVDプロセスの基礎から応用まで」, 北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科, 2002年3月15日, pp. 77-88.
60. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD:化学気相堆積法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第18回薄膜スクール, 2001年7月4‐6日, 淡路国際会議場, pp. 85-101.
61. 宮崎 誠一, ゲート絶縁膜技術（高誘電率ゲート絶縁膜）, 第28回応用物理学会スクールB「サブ100nmCMOSトランジスタ技術の動向と展望」, 明治大学, 2001年3月30日, pp. 35-47.
62. 宮崎 誠一, MOSLSIゲート酸化膜, 第48回応用物理学会関係連合学術講演会, シンポジウム「高性能ポリシリコンTFTの現状と将来展望−ゲート酸化膜形成」,明治大学, 2001年3月29日, p. 87.
63. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD成膜の物理−シリコン系薄膜形成を中心として, 第32回CVD研究会, 愛知厚生年金会館, 2000年12月13日, 基礎講座:pp.1-16.
64. 宮崎誠一, 糸川寛志, 小笠原優, 廣瀬全孝, 高誘電率ゲート絶縁膜を用いたMIS構造におけるエネルギーバンドプロファイルの決定と界面電子状態計測, 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第23回研究会「ゲート絶縁膜技術及びデバイス・プロセス技術」, 東京工業大学, 2000年11月1日, pp. 58-63.
65. 宮崎誠一, 減圧CVDによるシリコン量子ドットの自己組織化形成,（社）電子情報技術産業協会 量子相関エレクトロニクス専門委員会, 広島大学, 2000年10月16日.
66. 宮崎誠一, シリコン･極薄ゲート酸化膜界面, 第61回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「半導体界面形成−原子レベルの表面･界面制御を目指して」, 北海道工業大学, 2000年9月5日, 5p-L-6, p. 40.
67. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD法による薄膜形成技術と反応制御, 技術情報協会 エレクトロニクス･材料技術セミナー, 五反田・ゆうぽうと, 2000年8月22日, No.008402, pp. 1-16.
68. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD:化学気相堆積法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第17回薄膜スクール, 秋保温泉左勘, 仙台, 2000年7月12〜14日, pp. 89-104.
69. 宮崎誠一, シリコンナノ結晶の自己組織化形成と次世代フロ−ティングMOSメモリ応用, 名古屋大学若手研究プロジェクトシンポジウム−次世代デバイス創製のためのナノドット形成プロセス−, 名古屋大学VBL, 1999年12月1日, p. 2.1.
70. 宮崎誠一, シリコン量子ドットの自己組織化形成とフローティングMOSメモリデバイスへの応用, （財）新世代研究所 半導体量子効果研究科会, 宮島, 1999年10月18日.
71. 宮崎誠一, CVDによるSiナノクリスタルの成長と発光特性, 化学工学会　’99CVD特別研究会「シリコンナノクリスタルの成長方法と発光特性」, 1999年10月15日, 東京大学・工学部, pp. 6.1-7.
72. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン量子ドットの自己組織化形成とフローティングゲートMOSメモリの応用, 1999年電子情報通信学会ソサイエティ大会, シンポジウム「自己組織化プロセスとデバイス応用」, 日本大学, 1999年9月9日, SC‐8‐4.
73. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン量子ドットの自己組織化形成と量子機能制御, 第60回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「新しいシリコン系材料の創製と応用」, 甲南大学, 1999年9月2日, 2p-ZM-3, p. 29.
74. 宮崎誠一, 極微細構造制御とシリコンデバイス, フロンティアプロセス99−プラズマプロセスの今後の展望, プラズマプロセスパナシアの会主催 超先端電子技術開発機構（ASET）共催, 湘南国際村センター内会議場, 1999年7月30日, p. 1.
75. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD‐化学気相堆積法, 日本学術振興会 薄膜第131委員会　第16回薄膜スクール, 岐阜観光ホテル十八楼, 岐阜, 1999年6月30日〜7月2日, pp. 95-111.
76. 宮崎誠一, シリコン表面･界面の欠陥準位と水素による不活性化, 応用物理学会 結晶工学分科会 第110回研究会「水素と結晶工学」, 学習院大学, 1999年6月3日, pp. 27-34.
77. 宮崎誠一, 江藤和宣, 廣瀬全孝, 自己組織化形成シリコン量子ドットからの発光特性, 応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会 第8回研究会「光るシリコン−プロセス･素子技術の進展会」, 東京農工大学, 1999年4月23日, pp. 54-6054.
78. 宮崎誠一, 膜堆積過程における化学結合状態およびネットワーク構造の変化, 応用物理学会 薄膜表面物理分科会 1998年度第3回研究会「プラズマCVD表面反応はどこまで理解･制御されているか？」, 機械振興会館, 1998年11月26日, pp. 4.1-5.
79. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第15回薄膜スクール, 伊東ホテルニュー岡部, 伊東, 1998年7月1〜3日, pp. 95-111.
80. [チュートリアル]宮崎誠一, CVD, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第14回薄膜スクール, 琵琶湖ホテル, 大津, 1997年7月2〜4日, pp. 59-71.
81. 宮崎誠一, 福田雅俊, 柴和利, 中川和之, 廣瀬全孝, 香野淳, Si量子ドットの自己組織化形成と室温量子物性, 電子情報通信学会 電子デバイス研究専門委員会, 単電子デバイス特別ワークショップ, 広島アステールプラザ, 1997年3月14日, 信学技報, ED96‐221, pp. 39-48.
82. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, 極薄シリコン酸化膜の構造と電子状態, 第57回応用物理学会学術講演会, シンポジウム「シリコン自然酸化膜から極薄酸化膜の形成と物理（Ｉ）」, 九州産業大学, 1996年9月9日, 9ｐ-E‐4, p. 1236.
83. [チュートリアル]宮崎誠一, 薄膜の伝導機能, 日本学術振興会 薄膜第131委員会 第13回薄膜スクール, 和風ペンジョンひまわり苑, 那須塩原, 1996年6月26〜28日, pp. 43-53.
84. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, 化学洗浄したSi表面の構造および電子状態評価, 第43回応用物理学会関連学術講演会, シンポジウム「水洗浄によるSi清浄･完全表面の形成を目指して」, 東洋大学, 1996年3月26日, 28p‐k‐7, p. 1403.

著書、和雑誌（学会誌等）解説等

1. 宮崎 誠一, 2020版薄膜作製応用ハンドブック（NTS、2020) 分担執筆：第2篇　薄膜の作製と加工, 第3章　CVD法　第2節　プラズマCVD法１．「総論（原理・特徴、装置）」　pp.408-411； 第3編　薄膜・表面・界面の分析・評価　第1章　薄膜・表面・界面の分析手法　第8節　「光電子分光法（XPS、UPS)」 pp.782-795； 第3編　薄膜・表面・界面の分析・評価　第2章　薄膜分析・評価対象各論　第5節　「化学結合状態」　pp.867-874, ISBN978-4-86043-631-5
2. 宮崎 誠一, 薄膜工学［第3版］金原粲 監修、 吉田 貞史・近藤高志 編著（丸善出版、2016）分担執筆：第3章 3.3 「組成・状態分析」 pp. 145-165, ISBN978-4-621-30098-5 C3042.
3. 宮崎 誠一, 化学便覧　応用化学編［第7版］（日本化学会編, 丸善出版（株）、2014）分担執筆：II 基礎的化学技術/材料, 第7章　電子・光材料プロセス技術 7.3.2 「CVD技術」 pp. 84-89, ISBN978-4-621-08759-6
4. 宮崎 誠一, 薄膜工学［第2版］金原粲 監修、 吉田 貞史・近藤高志 編著, （丸善出版、2011）分担執筆：第2章 2.3「化学気相成長法」 pp. 64-86, ISBN978-4-621-08414-4.
5. 宮崎 誠一, マイクロ・ナノ領域の超精密技術（オーム社、2011）分担執筆：第３章 「Si 系（極微細化の観点を中心にして）」 pp. 152-160, ISBN-13: 978-4274210051.
6. 宮崎誠一, 応用物理分野のアカデミック・ロードマップ「シリコン技術」 分担執筆：応用物理, Vol.79, No. 8 (2010) pp. 691-693.
7. S. Miyazaki and H.Tabata, Thechnology Evolution for Silicon Nano-Electronics (Trans Tech Pub., 2011) ISBN-13: 978-3-03785-351-0; M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Tkada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki , S. Nomura, K. Shiraishi and T. Endo, "Collective Electron Tunnneling Model in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Structure", Key Engineering Materials, Vol. 470 (2011) pp.48-53; N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, "Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structure", ibid. pp. 135-139
8. 宮崎 誠一, 究極のかたちをつくる（日刊工業新聞社、2009）分担執筆：第1章 「ナノサイズのかたちをつくる」 pp. 13-28, ISBN978-4-526-06277-3 C3043
9. 宮崎 誠一, 実用薄膜プロセス―機能創製・応用展開―（技術教育出版社、2009）分担執筆：第1編 創製技術 第5章 「CVD」 pp. 68-90, ISBN978-4-907837-18-1 C3058
10. 東　清一郎, 宮崎　誠一, 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化, プラズマ・核融合学会誌, Vol. 85, No. 3 (2009), pp. 119-123.
11. 宮崎 誠一, 次世代半導体メモリの最新技術（シーエムシー出版、2009）分担執筆：第6章 「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」 pp. 265-277, ISBN978-4-88231-992-4　C3054; 普及版（2013) ISBN-13: 978-4781307350
12. S. Miyazaki, Advances in Electronic Materials, Eds. E. Kasper, H.-J. Muessing and H. G. Grimmeiss (Trans Tech Pub., 2009) Nitrogen Incorporation: Infuluence on Electrical Parameters of HfSiON, Mat. Sci. Forum, Vol. 608, pp. 91-109, ISBN-13: 978-0-87849-347-0
13. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimonoe and R. Matsumoto, Smart Materials for Smart Devices and Structures, Eds. M. Leonowicz and D. Oleszak (Trans Tech Pub., 2009) Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO₂ for Floating Gate Application, Solid State Phenomena, Vol. 154, pp. 95-100, ISBN-13: 978-3-908451-70-9
14. 宮崎 誠一, 薄膜ハンドブック（Ohmsha, 2008）分担執筆: 第II編, 第1章 1.3.4 「CVD」, ISBN-13: 978-4274205194
15. 東 清一郎, 加久 博隆, 岡田 竜弥, DC熱プラズマジェットを用いた超急速熱処理による非晶質シリコン膜の結晶化とそのTFT応用, 応用物理, Vol.75, No.7 (2006) 研究紹介 pp.882-886.
16. 宮崎 誠一, 自己組織化シリコン系量子ドットを用いた次世代・機能メモリ開発, 月刊マテリアルステージ, Vol. 5, No. 3 (2005) pp. 18-24.
17. 宮崎 誠一, ゲート絶縁膜およびＭＯＳ界面の化学構造および電子状態分析, 第34回薄膜・表面物理基礎講座(JSAP No.AP052348), 2005, pp. 25-34.
18. 宮崎 誠一, シリコン系量子ドットのフローティングゲートＭＯＳデバイス応用, 表面技術, Vol. 56, No. 12, 2005.
19. 宮崎 誠一, シリコン系量子ドットの荷電状態制御とフローティングゲートＭＯＳデバイスへの応用, 応用電子物性分科会誌, Vol. 11, No. 2 (2005) pp. 65-70.
20. 鳥居 和功, 白石 賢二, 宮崎 誠一, 山田 啓作, HfO₂系high-kゲート絶縁膜の信頼性劣化機構モデル, 応用物理, Vol. 74, No. 9 (2005) pp. 1211-1216.
21. 宮崎 誠一, 表面科学の基礎と応用（エヌ・ティー・エス, 2004) 分担執筆: 第3編, 第1章 第2節 「Siの熱酸化機構、Si表面の熱酸化、Si酸化膜の構造、極薄Si酸化膜およびSi/SiO₂界面の分析」 pp.879-889, ISBN-13: 978-4860430511
22. 宮崎 誠一, 薄膜工学, 金原粲 監修, 白木 靖寛 ・吉田 貞史 編著,（丸善、2003） 分担執筆：第2章 2.3 「化学気相成長法」 pp.95-118, ISBN-13: 978-4621071434
23. 廣瀬 全考, 宮崎 誠一, 人工格子の基礎（シーエムシー出版, 2003）分担執筆：第3章 「アモルファス半導体人工格子」 pp.143-156, ISBN-13: 978-4882317869
24. 宮崎 誠一, 21世紀版 薄膜作製応用ハンドブック（エヌ・ティー・エス, 2003）分担執筆：第2章 第3節 「プラズマCVD法」 pp. 384-393, ISBN-13: 978-4860430191
25. 宮崎 誠一, シリコン量子ドットの自己組織化形成とメモリデバイス応用, マテリアル インテグレーション, Vol. 5, No. 15 (2002) pp. 53-60.
26. 香野 淳, 池田 弥央, 村上 秀樹, 宮崎 誠一, 廣瀬全孝, シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発, 応用物理, Vol. 71, No. 7 (2002) pp. 864-868. 　
27. 宮崎誠一, CVDの物理, 応用物理, Vol. 69, No. 6 (2000) pp. 689-694.
28. 宮崎誠一, 高誘電率ゲート絶縁膜, ナノ構造観測分析技術調査研究報告書II (電子情報技術産業協会, 2000.3) 2.2.2, pp. 10-29.
29. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン量子ドットの自己組織化形成と発光特性, 応用物理, Vol. 67, No. 7 (1998) pp. 807-811.
30. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコン表面の状態−シリコン表面の平坦化とシリコン／酸化膜界面の構造, クリーンテクノロジー, Vol. 16, No. 1 (1996) pp. 21-25.
31. 廣瀬全孝, 宮崎誠一, 高流動性プラズマCVDによる薄膜形成, 応用物理, Vol. 63, No. 11 (1994) pp. 1118-1122.
32. 廣瀬全孝, 高倉優, 八坂龍広, 宮崎誠一, 水素終端Si表面の自然酸化, 表面科学, Vol. 13, No. 6 (1992) pp. 324-331.
33. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, アモルファスシリコンとその合金-界面, 固体物理, Vol. 27, No. 11 (1992) pp. 803-812.
34. 宮崎誠一, 柴和利, 坂本邦秀, 廣瀬全孝, 高温熱酸化したポーラスシリコンからの高効率可視光ルミネッセンス, 固体物理, Vol. 27, No. 11 (1992) pp. 871-873.
35. 宮崎誠一, 廣瀬全孝, 水素結合は不要：局在準位を介しての発光の可能性, 応用物理, Vol. 61, No. 12 (1992) pp. 1275-1277.
36. 八坂龍広, 宮崎誠一, 廣瀬全孝, シリコンウエハの自然酸化, 日本結晶学会誌, Vol. 33, (1991) pp. 182-187.
37. 宮崎誠一, 次世代ULSIプロセス技術, 廣瀬全孝他編（リアライズ社, 2000)　分担執筆：12.1 表面・界面分析, pp. 571-586; 12.2.3 XPS・ATRによる酸化膜中不純物の化学状態, pp. 602-608; 12.4.1 FT-IR-ATRによるCVD，エッチング反応計測, pp. 637-642, ISBN4-89808-020-0 C 3055
38. 宮崎誠一, ウェーハ表面完全性の創製・評価技術, 津屋英樹編（サイエンスフォーラム, 1998）分担執筆：第4章 第2節 「洗浄法によるウェーハ表面の平坦化」 pp. 152-159, ISBN-13: 978-4916164148
39. 宮崎誠一, 電子デバイス活用辞典, 電子デバイス活用辞典編集委員会編（工業調査会, 1994）分担執筆：半導体および分析技術関連の用語解説, ISBN4-7693-1130-3 C305
40. 廣瀬全孝, 八坂龍広, 宮崎誠一, 半導体研究「超LSI技術16」　第36巻, 西澤潤一編（工業調査会, 1992）分担執筆：第9章　「シリコン自然酸化膜の成長機構」 pp. 263-283, ISBN-13: 978-4769310976
41. 宮崎誠一, プラズマ材料科学ハンドブック, 日本学術振興会, プラズマ材料科学第153委員会編（オーム社, 1992）分担執筆：固体表面の解析法−オージェ電子分光、真空紫外/X線光電子分光、電子エネルギー損失分光, pp.737-738; ラザフォード後方散乱, pp.741-742; 走査トンネル顕微鏡, p.746, ISBN-13: 978-4274022326
42. S. Miyazaki and M. Hirose, Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices: Optoelectronic Devices, Ed. J. Kanicki (Artech House，Boston, 1991) Chapter 5: Amorphous Superlattice and Multilayer Structures: Some Aspects of Physics and Applications, pp. 167-194, ISBN-13:　978-0890063798
43. M. Hirose and S. Miyazaki, Jpn. Annual Reviews in Electronics, Computers & Telecommunications, Vol. 22, Amorphous Semiconductor Technologies and Devices, Ed. by Y. Hamakawa (OHMSA, Ltd. and North-Holland, 1987) Quantum Well Devices in a-SiN/a-Si Superlattice, pp. 147-155.
44. M. Hirose, Y. Ihara and S. Miyazaki, Disordered Semiconductors, Eds. by M. A. Kastner, G. A. Thomas and S. R. Ovshinsky, (Plenum Press, New York, 1987) Resonant Tunneling Through Quantized States in a-Si:H, pp. 511-518.
45. M. Hirose, S. Miyazaki and N. Murayama, Tetrahedrally-Bonded Amorphous Semiconductors, Eds. by D. A. Adler and H. Fritzsche, (Plenum Press, New York, 1985) Luminescence of Amorphous Silicon Superlattices, pp.441-455.
46. 廣瀬全孝, 宮崎誠一, 人工格子, 権田俊一監修（CMC出版, 1985）分担執筆：第4章　「アモルファス半導体超格子」 pp. 143-156.

その他の寄稿、インタビュー記事、講演

1. 宮崎 誠一, 学部長インタビュー　「工学部」, 蛍雪時代, pp. 100-101 (旺文社, 2023.6).
2. 宮崎 誠一, 工学系人材育成に対するニーズと課題, 工学教育, Vol.70, No. 6, pp. 85-86 (（公社）日本工学教育協会, 2022)．
3. 宮崎 誠一, 工学教育へ高まる期待, 工学教育, Vol.70, No. 5. p.１(（公社）日本工学教育協会, 2022) 工教言．
4. 宮崎 誠一, 名古屋大学 大学院工学研究科における産学連携教育の実績と取り組み, 日本工学教育協会年次大会特別セッション／東海工学教育協会 地区大会行事 産学官連携を通した実践的工学教育〜事例紹介とディスカッション〜(名古屋工業大学, 2018.8.31）.
5. 宮崎 誠一, Material Research Society Fall Meeting　参加報告, 電子工業月報, No. 439, pp.33-43 (（社）日本電子工業振興協会, 1999.5):ISSN 0913-6940.
6. 宮崎 誠一, European - Material Research Society 参加報告, 電子工業月報, No. 407, pp.34-38 (（社）日本電子工業振興協会, 1996.9):ISSN 0913-6940.

特許【２８件】

1. 「窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置」、韓国出願番号：10-2009-7019956、発明者：宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、廣田良浩、出願人：国立大学法人 広島大学、東京エレクトロン株式会社
2. 「窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置」、特開2009-270706、発明者：宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、廣田良浩、出願人：国立大学法人 広島大学、東京エレクトロン株式会社
3. 「窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置」、出願番号：97110781 (TW)、発明者：宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、廣田良浩、出願人：国立大学法人 広島大学、東京エレクトロン株式会社
4. 「スパッタリング装置および製造方法」、出願番号：2008-077056、発明者：東清一郎、宮崎誠一、広重康夫、岡田竜弥、出願人：国立大学法人 広島大学
5. 「酸化ゲルマニウムの製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法」出願番号：2008-273140、発明者：村上秀樹、宮崎誠一、出願人：国立大学法人 広島大学
6. 「窒化珪素膜および不揮発性半導体メモリ装置」、出願番号：PCT/JP2008/055679、発明者：宮崎誠一、鴻野真之、西田辰夫、中西敏雄、廣田良浩、出願人：国立大学法人 広島大学、東京エレクトロン株式会社
7. 「プラズマ装置および結晶製造方法」、出願番号：PCT/JP2008/002068、発明者：東清一郎、宮崎誠一、加久博隆、出願人：国立大学法人 広島大学
8. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、特開2008-270705、特願2007-236635、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
9. 「半導体素子」、特開2008-288346、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、村上秀樹、出願人：国立大学法人 広島大学
10. 「バイオセンサーおよびその製造方法」、特願2008-77082、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、村上秀樹、出願人：国立大学法人 広島大学
11. 「発光素子およびその製造方法」、特願2008-70602、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
12. 「発光素子およびその製造方法」、出願番号：12/212,406(US)、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
13. 「半導体製造装置、ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法」、特願2008-330524、発明者：牧原克典、宮崎誠一、出願人：国立大学法人 広島大学
14. 「金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法」、特願2008-330536、発明者：牧原克典、宮崎誠一、池田弥央、島ノ江和広、出願人：国立大学法人 広島大学
15. 「結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法」、特願2008-77922、発明者：岡田竜弥、牧原克典、宮崎誠一、出願人：国立大学法人 広島大学
16. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、特願2008-538611、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
17. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、出願番号：PCT/JP2008/000740、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
18. 「測定装置および測定方法」、特願2008-552633、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
19. 「測定装置および測定方法」、出願番号：PCT/JP2008/002067、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
20. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、出願番号：PCT/JP2007/001361、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
21. 「半導体素子」、出願番号：PCT/JP2007/001360、発明者：牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、村上秀樹、出願人：国立大学法人 広島大学
22. 「MOS電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子、これらを利用した光電子集積チップおよびデータ処理装置」、特開2005-032564、発明者：宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
23. 「量子ドット電界効果トランジスタ、それを用いたメモリ素子及び光センサ及びそれらの集積回路」、特開2005-277263、発明者：宮崎誠一、東清一郎、出願人：国立大学法人 広島大学
24. 「半導体装置の製造方法」、特開2005-79306、発明者：有門経敏、北島洋、鳥居和功、山田啓作、宮崎誠一、出願人：(株)半導体先端テクノロジーズ
25. 「半導体装置およびその製造方法」、特開2005-79309、発明者：有門経敏、川原孝昭、鳥居和功、北島洋、宮崎誠一、出願人：(株)半導体先端テクノロジーズロジーズ
26. 「光電変換膜とその作製方法」、特開：2001-7381、発明者：平野喜之、佐藤史郎、斎藤信雄、廣瀬全孝、宮崎誠一、出願人：日本放送協会
27. 「量子構造体を用いた半導体記憶装置」、特開平11-087544、発明者：廣瀬全孝、宮崎誠一、香野淳、出願人：広島大学長
28. 「プラズマＣＶＤ装置」、特開平05-029229、発明者：宮崎誠一、廣瀬全孝、林俊雄、出願人：日本真空技術株式会社

主な研究テーマ

科学研究費補助金(代表者）

• 基盤研究(A)「ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発」（令和3〜5年度）
• 基盤研究(S)「Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御」（平成27〜30年度）
• 基盤研究(A)「シリコン系スーパーアトムの超高密度配列と量子物性制御」（平成24〜26年度）
• 基盤研究(A)「Ge-Si 系量子ドットの自己整合複合集積による物性制御とエレクトロルミネッセンス」（平成21〜23年度）
• 基盤研究(A)「シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成」（平成18〜20年度）
• 特定領域研究「シリコンナノエレクトロ二クスの新展開」（平成18〜21年度、領域代表者：財満鎭明（名古屋大））
  　　　計画研究「シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発」
• 萌芽研究「PN制御シリコン系ナノ結晶集積構造におけるキャリア輸送とエレクトロルミネッセンス」（平成17〜18年度）
• 基盤研究(A)「自己組織化シリコン系量子ドットにおけるスーパーアトム構造の創成と電子状態制御」（平成15〜17年度）

研究プロジェクト（分担テーマ推進代表者）

• 文部科学省　革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術開発事業（パワーデバイス領域）」（令和3年〜令和7年度、受託者：天野浩、須田淳（名古屋大学））
  　　　課題C, C-1「価電子帯付近の界面準位の評価方法の確立と各種絶縁膜の比較」
• 文部科学省　科学技術振興調整費「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」（平成28〜令和2年度、拠点リーダー：天野浩（名古屋大学））
  　　　分担テーマ「絶縁膜/GaN界面制御に関わる技術開発」：パワーデバイス・システム領域（領域責任者：加地徹（名古屋大学））
• 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構 「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／GaNパワーデバイス等の実用化加速技術開発/GaN物性を最大限に発揮させる最適なパワーデバイス構造の確立とその工業的な製造プロセスに繋がる絶縁膜形成技術の研究開発」(平成29〜令和元年度、研究開発責任者：清水三聡（産総研））
  　　　分担テーマ「GaN MOSデバイスに適した絶縁膜/GaN, 金属/GaN界面構造の明確化と形成」
• 国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構　「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／窒化ガリウムパワーデバイスの実用化促進等に関する先導研究／新規絶縁膜形成技術の探索」 (平成27〜28年度、業務管理者：天野浩（名古屋大学））
  　　　分担テーマ「GaN/絶縁膜界面形成技術および評価」
• 文部科学省　科学技術振興調整費「半導体・バイオ融合集積化技術の構築」（平成18〜20年度、拠点リーダー：岩田穆（広島大学））
  　　　分担テーマ「テラビットメモリ材料・デバイス技術」
• 文部科学省　21世紀ＣＯＥプログラム「テラビット情報ナノエレクトロ二クス」（平成14〜18年度、拠点リーダー：岩田穆（広島大学））
  　　　分担テーマ「量子ドット機能デバイスに関する研究」

共同研究・受託研究

　
• 「SiH₄-CVDによる金属ナノドットのシリサイド化反応制御に関する研究」（令和3-令和5年度）
  　　　東北大学電気通信研究所、共同研究プロジェクト
　
• 「光電子収率分光（PYS）によるSiO₂/SiC界面の欠陥評価」（平成28-令和2年度）
  　　　富士電機株式会社
　
• 「Si-Ge系量子ドットの規則配列と電子輸送制御に関する研究」（平成31-令和2年度）
  　　　東北大学電気通信研究所、共同研究プロジェクト
　
• 「光電子分光法によるＧａＮ表界面の高感度電子状態計測と酸化膜界面設計の研究」（平成28-30年度）
  　　　トヨタ自動車株式会社、トヨタ先端技術共同研究
　
• 「Si-Ge系ナノ構造制御による室温エレクトロルミネッセンス」（平成28-30年度）
  　　　東北大学電気通信研究所、共同研究プロジェクト
　
• 「IV族半導体―金属合金化反応制御による強磁性ナノドットの高密度自己組織化形成と磁気的特性」（平成25-27年度）
  　　　東北大学電気通信研究所、共同研究プロジェクト
　
• 「GaN/SiC構造の光電子分光分析」（平成25-令和28年度）
  　　　株式会社デンソー
　
• 「ＤＲＡＭ用キャパシタ材料に関する研究」（平成25-26年度）
  　　　エルピーダメモリ株式会社
　
• 「ゲルマニウム系量子ドットの形成および価電子制御とナノスケール機能メモリ応用」（平成22-24年度）
  　　　東北大学電気通信研究所、共同研究プロジェクト
　
• 「最先端光電子分光分析やプローブ顕微鏡を活用した誘電体ナノ構造評価」（平成24年度）
  　　　日新電機株式会社
　
• 「Ｓｉ系ナノ構造に関する基礎データ特性評価」（平成22‐23年度）
  　　　日新電機株式会社
　
• 「IV 族半導体量子ドットの価電子制御とMOS メモリへの応用」（平成19-21年度）
  　　　東北大学電気通信研究所、共同研究プロジェクト

受賞歴

• 応用物理学会 東海支部 貢献賞, (公社）応用物理学会 東海支部, 2024.1.6
• Best Presentation Award in the area of Nanomaterials, ISPlasma 2021/IC-PLANTS 2021 Organizing and Program Committees 2021.3.11
• Outstanding Reviewer Awards 2018 for Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2019.3.13
• MNC 2017 Award for Outstanding Paper, MNC Organizing Committee, 2018.11.14
• IWDTF2017 Best Paper Award, IWDTF2017 Organizing Committee, 2017.11.22
• 感謝状, (社）応用物理学会, 2017.3.6 （理事, 第54期・第55期）
• Certificate for Concurrent Professorship at Nanjing University, Nanjing University, 2014.12.3
• 感謝状, (社）応用物理学会, 2013.3.14 （理事, 第50期・第51期）
• Best Poster Presentation Award, ISPlasma 2012 Organizing and Program Committees, 2012.3.8
• 皇章, 広島大学体育会同窓会, 2012.2.4
• 表彰状, (独）日本学術振興会, 2011.9.30 （科学研究費助成事業　第一段審査）
• 感謝状, (社）応用物理学会, 2011.3.29 （評議員, 2008‐2010年度）
• 感謝状, (社）応用物理学会, 2011.3.17 （シリコンテクノロジー分科会　幹事長, 第11期、第12期）　
• Certificate for Concurrent Professorship at Nanjing University, Nanjing University, 2010.9.30
• 応用物理学会 中国四国支部 貢献賞, (社）応用物理学会 中国四国支部, 2010.7.30
• 感謝状, (社）広島工業会, 2010.5.31
• 応用物理学会フェロー表彰, (社）応用物理学会, 2009.9.8
• APS Certificate to Invited Speaker (Planary Talk), 3rd Asian Physics Symp. (APS), 2009.7.23
• Invited Presentation Award, Interfinish 2008 World Congress and Exposition, 2008.6.18
• MRS Certificate of Appreciation to Symposium Organizer in 2008 Spring Meeting, Materials Research Society, 2008.4.9
• MRS Certificate of Appreciation to Symposium Organizer in 2007 Spring Meeting, Materials Research Society, 2007.4.17
• 広島工業会表彰, (社）広島工業会, 2006.8.3
• Selete Award 2004, Achievement Award
  　High-k ネット、広島大学大学院 先端物質科学研究科 宮崎研究室, 半導体先端テクノロジーズ, 2004.05.26
• 感謝状, (社）応用物理学会, 2004.1.31 (代議員, 第40期‐第42期）
• Jpn. J. Appl. Phys. Editorial Contribution Award, JJAP, 2003.4.16
• 客員教授聘書, 河北大学, 2002.3.10
• 井上研究奨励賞, 井上科学振興財団, 1987.2.4

所属学会

• 公社）応用物理学会
• 一社）電子情報通信学会
• 公社）日本表面真空学会
• 一社）日本MRS
• 公社）日本工学教育協会
• Materials Research Society
• The Electrochemical Society

学会役員・委員

公益社団法人　応用物理学会：

一般社団法人　電子情報通信学会：

• シリコン材料・デバイス研究専門委員会 専門委員 (1998.5−2024.3): SDM6月度研究会担当、顧問(2024.4〜)

公益社団法人　日本表面真空学会：

• 中部支部 役員 (2018.5−2024.3) 　
• 旧）日本表面科学会　中部支部 役員 (2011.5−2018.5)

Electrochemical Society：

• ECS Japan Section, Member-at-large (2012.8−2016.12), 2nd Vice Chair (2017.1−2018.12), 1st Vice Chair (2019.1−2020.12), Chair (2020.1−2021.12), Councilor (2022.1−2024.12)

電気学会：

• システム集積プロセス調査専門委員会委員 (2003.3−2006.3)
• グローバルインテグレーションプロセス調査専門委員会委員（2000.3−2003.3)
• プロセス・インテグレーション調査専門委員会委員 (1997.3−2000.3)

公益社団法人　日本工学教育協会:

• 理事 (2022.6.15−2024.6)
• 事業企画委員会委員 (2018.6−2019.6)

日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム（JSR)組織委員会:

• JSR2020組織委員/副実行委員長/プログラム委員　(開催日：2020年1月10-12日、開催地：名古屋）
• JSR2021組織委員 (開催日：2021年1月8-10日、開催形態：オンライン)
• JSR2022組織委員 (開催日：2022年1月7-9日、開催形態：オンライン)

公益社団法人　立松財団：

• 選考委員 (2018.3.9−2024.3.31）
• 理事 (2021.4.1−2024.3.31）

一般社団法人　八大学工学系連合会：

• 理事 (2021.4.23−2024.3.31）

公益社団法人　科学技術交流財団：

• 主幹研究員（2019.4−2024.3.31)
• あいちシンクロトロン光センター運営委員会委員（2019.4−2024.3.31)
• 企画運営委員会委員・委員長（2021.6.2−2024.3.31)

公益社団法人　名古屋産業科学研究所：

• 中部TLO企画運営委員会委員長（2021.4.14−2024.3.31)
• 中部ハイテクセンター企画運営委員会委員（2021.5.1−2024.3.31)
• 理事（2021.5.10−2024.3.31)

公益社団法人　中部科学技術センター：

• 中部イノベネット運営委員・委員長（2021.4.28−2024.3.31)
• 中部公設試験研究機関研究者表彰　選考委員（2021.5.19−2024.3.31)
• 中部科学技術センター学術奨励事業　選考委員（2021.5.19−2024.3.31)
• 中部科学技術センター顕彰　選考委員（2021.5.19−2024.3.31)

公益社団法人　日比科学技術財団：

• 理事（2021.5.20−2024.3.31)

公益社団法人　永井科学技術財団：

• 評議員（2021.6.1−2024.3.31)

公益社団法人　中部電気利用基礎研究振興財団：

• 評議員（2021.6.11−2024.3.31)

一般社団法人　愛知県発明協会：

• 参与（2021.6.22−2024.6)

中部原子力懇談会：

• 参与（2021.4.23−2024.3.31)

東海工学教育協会：

• 会長（2022.6.13−2024.3.31)

学術論文編集委員

• e-Journal of Surf. Sci. and Nanotechnology, Ed. Board Member (2003〜 present)
• Nanomaterials, MDPI, Editorial Board Member (2020〜 present)
• ECS Trans. Vol. 109, No.4 (2022), Vol. 98, No. 5 (2020), Vol. 85, No.16 (2018), Vol.75, No.8 (2016), Vol.64, No. 6 (2014), Ed. Member
• IEICE Trans. on Electronics; E106-C, No. 10 (2023),　E105-C, No. 10 (2022), E103-C, No. 6 (2020), E102-C, No. 6 (2019), E101-C, No. 5 (2018), E100-C, No. 5 (2017), E99-C, No. 5 (2016), E98-C, No. 5 (2015), E97-C, No. 5 (2014), E96-C, No. 5 (2013), E95-C, No.5 (2012), E94-C, No.5 (2011), E93-C, No.5 (2010), E92-C, No.5 (2009), E91-C, No.5 (2008), E90-C, No.5 (2007), E89-C, No.5 (2006): Special Section on Fundamental and Applicationof Advanced Semiconductor Devices, Ed. Commitee Member
• Article collections on Control of Semiconductor Interfaces @ Materials Science in Semiconductor Processing, (2020), Editor
• Materials Science in Semiconductor Processing, Vol. 70 (2017), Guest Editor
• Thin Solid Films, Vol 557, 30 (2014), Managing Gest Editor
• J. Non-Cryst. Solids, Vol.358, Issue 17 (2012) : Special Issue for Proc. of the 24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS 24) Guest Editor (Head of Guest Editors)
• Key Engineering Materials, Vol.470 "Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics", (2011) Editor
• Jpn. J. Appl. Phys. 50, No.4B (2011), 49, No.4B (2010), 48, No.4B (2009), 47, No.4B (2008), 46. No.4B (2007), 45. No.4B (2006), 44. No.4B (2005), 43. No.4B(2004), 42. No.4B (2003): Special Issue for Int. Conf. on Solid State Devices and Material, Ed. Commitee Member
• Jpn. J. Appl. Phys. 50, No.1 (2011): Selected Topics in Applied Physics: Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics, Guest Editor
• IEICE Trans. on Electronics: Special Issue 2005-4EC, Ed. Commitee Member
• IEICE Trans. on Electronics E87-C, No.1 (2004): Special Section on High-k Gate Dielectrics, Guest Editor
• Jpn. J. Appl. Phys. 40, No.4B (2001): Special Issue for 2000 Int. Conf. on Solid State Devices and Material, Ed. Commitee Chairperson
• Jpn. J. Appl. Phys. Assoc. Editor (1998 − 2002)

社会での活動

日本学術振興会 産学協力研究委員会:

• R025先進薄膜界面機能創成委員会 委員 (2020.6〜　)
• アモルファス・ナノ材料第147委員会 委員 (2008 − 2024.3)
• 協力会評議員 (2018.5 − 2020.9)
• 半導体界面制御技術第154委員会 委員長 (2013.4 − 2020.6), 企画幹事長 (2008.4 − 2013.3), 企画副幹事長 (2004.4 − 2008.3), 企画幹事（2001.4 − 2013.3)
• 薄膜第131委員会 企画委員 (1993 − 2020.6), 庶務幹事 (1999.4 − 2004.3)
• プラズマ材料科学第153委員会 委員 (1998 − 2003.3)

国際会議プログラム委員

• 6th International Conference on Electronics, Communications and Control Engineering (ICECC 2023; Fukuoka, 2022) Co-chair
• 19th Int. Conf. on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology (19th-GADEST, Mondsee, Austria, Sept. 11-17,2021)
• Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/Int. Conf. on Plasma-Nano Technology (ISPlasma/IC-PLANTS; 2014 − 2018, 2020 〜 )
• Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices (AWAD; 2000 〜 ) 2012(Chair)
• Int. Symp on Dry Process (DPS; 2005 − 2009, 2011 〜 )
• Int. Workshop on New Group IV Semiconductor an Nanoelectronics (Sendai, 2005 〜 )
• 1st joint Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) (1st Joint ISTDM/ICSI Conf., Potsdam, 2018) Co-chair
• European Mat. Res. Soc. Fall Meeting:　Symp. I　"Integration of Novel Materials and Devices on Silicon for Future Technologies" (Warsaw, 2016)
• Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI; 4th 2005, 5th 2007, 6th 2009, 7th 2011 (Co-chair), 8th 2013 (Chair))
• Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces-for Next Generation ULSI Process Integrations-(ISCSI; 5th 2007, 6th 2013)
• Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma，4th 2012, 5th 2013)
• Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM; 1997 − 2012) 2011 (Vice-Chair), 2012 (Chair)
• Int. Conf. on Plasma Nanotechnology & Science (IC-PLANTS; 2008 − 2012)
• 24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24, Nara, 2011)
• Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM, 4th 2008, 5th 2010, 6th 2012, 8th 2016)
• 1st Int. Workshop on Si based nano-electronics and -photonics (SINEP-09; Vigo, 2009)
• Int. Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK; 2005 − 2010)
• European Mat. Res. Soc. Spring Meeting:　Symp. L　"Characterization of High-k Dielectric Materials" (Nice, 2006)
• Int. Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF; 1999, 2004, 2006) Vice-chair
• Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW; 1999 − 2005)
• 4th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-4; Tokyo, 2002)
• Int. Workshop on Gate Insulator (IWGI; 2001, 2003)
• 8th Int. Conf. on the Formation of Semiconductor Interface (ICFSI-8; Sapporo, 2001)
• Int. Conf. on Rapid Thermal Processing for Future Semiconductor Devices (RTP; Ise shima, 2001)
• 3rd. Int. Symp. on Surface Science for Micro- and Nano-Device Fablication (ISSS-3; Tokyo, 1999)
• Int. Joint Conf. on Si Epi. and Heterostructure (IJC-Si; Zao, 1999)
• Mat. Res. Soc. Spring Meeting: Symp. A "Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology" (San Fransicso, 1997, 1998)

国際会議・シンポジウム　オーガナイザ

• 2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2023; Nagoya, Sept. 5-8, 2022) Organizing Committee Chair
• 2022 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 2022; Makuhari Messe, Chiba, Sept. 26-29, 2022) Organizing Committee Vice-chair
• 8th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII; Sendai, Nov. 27-30, 2019) Organizing Committee Chair
• 11th Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/12th Int. Conf. on Plasma-Nano Technology (ISPlasma 2019/IC-PLANT 2019; Nagoya, March 17-21, 2019) Organizing Committee Chair
• 10th Anniversary Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/11th Int. Conf. on Plasma-Nano Technology (ISPlasma 2018/IC-PLANT 2018; Nagoya, March 4-8, 2018) Organizing Committee Vice-Chair
• 14th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14,Sendai, Oct.21-15, 2018) Organizing Committee Chair
• 7th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII; Nagoya, June 7-16, 2016) Organizing Committee Chair
• Symp. Z, "Material Science and Process Technologies for Advanced Nano-Electronic Devices" (Nagoya, Dec. 9-13, 2008) The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA, 2008) Symp. Organizer
• Symp. "A: Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology" (San Francisco, April 9-13, 2007; 2008), Mat. Res. Soc. Spring Meeting, Symp. Organizer from Japan
• The Special Joint Symp. on "Evolution and Outlook of Oxide Nonvolatile Memories" (Tokyo, Dec. 11, 2005), Mat. Res. Soc. Japan, Symp. Organizer

国際会議実行委員

• 8th Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/9th Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Sicence (ISPlasma 2016/IC-PLANTS2016, Nagoya, 2016) Executive Committee Chair
• 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016, Hakodate, 2016) Steering Committee Co-chair
• Int. Symp on Dry Process Symp. (DPS: 2009 (Busan), 2010 (Tokyo), 2011 (Kyoto)) Steering Committee Vice-chair (2009, 2011) Chair (2010)
• 2008 Int. Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF-08，Kawasaki, 2008)
• 7th Int. Conf. on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-7, Nara, 2003)
• 1998 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM 1998, Hiroshima, 1998)
• 5th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces-for Next Generation ULSI Process Integrations- (ISCSI-V, Tokyo, 2007) Vice-chair

国際会議組織運営委員

• Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM; 2014 〜　) Vice-chair (2022), Chair (2023)
• Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials/Int. Conf. on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma/IC-PLANTS, 2014 〜　) Vice-Chair (2018), Chair (2019)
• SiGe, Ge, & Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium in ECS (2008 (Hawaii), 2010 (Las Vegas), 2012 (Hawaii), 2014 (Cancun), 2016 (Honolulu), 2018 (Cancun), 2020 (Honolulu), 2022 (Atlanta), 2024 (Honolulu)) Surfaces & Interfaces Committee Chair(2008-2022)
• Int. Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF; 2011 (Tokyo), 2013 (Tokyo), 2015 (Tokyo), 2017 (Nara), 2019 (Tokyo), 2021 (Tokyo), 2023 (Kanazawa)) Chair (2011)
• Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI; -V 2007 (Tokyo), -VI 2013 (Fukuoka), -VII 2016 (Nagoya), -VIII 2019 (Sendai)) Chair (2016, 2019)
• Int. Symp. on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma; Nagoya, 2nd 2010, 3rd 2011, 4th 2012, 5th 2013)
• 15th Int. Conf. on Thin Films (ICTF-15; Kyoto, 2011) & Session Chair
• 24th Int. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (ICANS24; Nara, 2011) & Publication Chair: JNCS Guest Editor

国際会議諮問委員

• Int. SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM)/Int. Conf. on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI) (Joint ISTDM/ICSI Conf.; 1st 2018 (Potsdam), 2nd 2019 (Madison WI), 3rd 2023 (Como, Italy))
• 9th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IX; Nagoya, 2022)
• 8th Int．Conf．on Reactive Plasmas (ICRP-8; Fukuoka, 2014)
• Int．Conf．on Polycrystalline Semiconductors (POLYSE; Potsdam, 2004)

その他

　
• 大阪大学　大学院工学研究科　グローバル若手研究者フロンティア研究拠点　若手育成委員会委員 (2020 − 2023年度）
• 東京医科歯科大学　生体材料工学研究所 生体医歯工学共同研究拠点運営委員会委員 (2019 − 2023年度)
• 名古屋大学　高等研究院　院友 (2014 − 2019年度, 2019.6 〜　)
• 名古屋大学　大学院工学研究科　付属プラズマナノ工学センター　副センター長 (2015/2016年度)
• 名古屋大学　大学院工学研究科　教務委員会　副委員長 (2013/2014年度), 委員長 (2015/2016年度)
• 名古屋大学　G30自動車工学プログラム　プログラム委員会　副委員長 (2013.10 − 2014.9), 委員長 (2014.10 − 2015.9)
• 公益財団法人　名古屋産業科学研究所　非常勤所員（2013.9 − 2017.9)
• 名古屋大学　大学院工学研究科　電子情報システム専攻　副専攻長 (2012年度)
• 広島大学　工学部　第二類　副類主任 (2008年度)
• 広島大学　工学部　入試委員長 (2006年度)
• 広島大学　工学部　第二類　類主任 (2003年度)
• 広島大学　体育会　体操部部長 (1998.7 − 2010.5)

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