[English]

牧原 克典(まきはら かつのり)

名古屋大学大学院 工学研究科 准教授


〒464-8603 
名古屋市千種区不老町
名古屋大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 情報デバイス講座 機能集積デバイス研究グループ
部屋: IB電子情報館 北棟1F 105号室
E-mail: makihara@***
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生年

職歴

専門分野

研究内容

学術論文

  1. K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, Magnetoelectronic transport of double stack FePt nanodots, Appl. Phys. Lett., accepted.
  2. N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Photoemission Study on Electrical Dipole at SiO2/Si and HfO2/SiO2 Interfaces, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.56, No.4S, 04CB04(6pages) (2017).
  3. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki, Impact of Phosphorus Doping to Multiple-Stacked Si Quantum Dots on Electron Emission Properties, Materials Science in Semiconductor Processing, in press.
  4. A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy,” Microelectronic Engineering, vol. 178, no. 25, 2017, pp. 85-88 (May, 2017).doi.org/10.1016/j.mee.2017.05.001
  5. A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, and S. Miyazaki, “Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diode as Evaluated from HAXPES Analysis,” Microelectronic Engineering, vol. 178, no. 25, 2017, pp. 80-84 (May, 2017).doi.org/10.1016/j.mee.2017.05.002
  6. Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki, “Low Temperature Formation of Crystalline Si:H/Ge:H Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation,” Japanese Journal of Applied Physics, vol. 56, no. 6S1, 2017, 06GG07 (4page) (May, 2017) doi.org/10.7567/JJAP.56.06GG07
  7. Y. Kato, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors,” IEICE TRANSACTIONS on Electronics, vol. E100-C, no .5, 2017, pp.468-474 (May. 2017) doi: 10.1587/transele.E100.C.468
  8. N. X. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, Effects of remote hydrogen plasma on chemical bonding features and electronic states of 4H-SiC(0001) surface, Jpn. J. of Appl. Phys., 56, 01AF01/5pages (2016).
  9. N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, Evaluation of Valence Band Top and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS, Jpn. J. of Appl. Phys., 55, 08PC06/5pages (2016).
  10. T. Arai, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, Impact of Embedded Mn Nanodots on Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides as Measured in Ni-Electrodes MIM Diodes, Jpn. J. of Appl. Phys., 55, 06GH07/5pages (2016).
  11. S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda, Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots, Technical Digest of Int. Electron Devices Meeting 2016, 826-830 (2016).
  12. Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “High-density formation of Ta nanodot induced by remote hydrogen plasma”, Jpn, J. Appl. Phys., Vol. 56, 2017, 01AE01.
  13. K. Yamada, K. Kondo, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, “Effect of Ge Core Size on Photoluminescence from Si Quantum Dots with Ge Core”, ECS Trans., Vil. 75, No. 8, 2016, pp. 695-700.
  14. T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons”, ECS Trans., Vo. 75, No. 8, 2016, pp. 777-783.
  15. K. Makihara, T. Kato, Y. Kabeya, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, D. Oshima, S. Iwata, Y. Darma, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Nano spin-diodes using FePt-NDs with huge on/off current ratio at room temperature”, Scientific Reports, Vol. 6, 2016, pp. 33409 (7 pages).
  16. T. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Study on electroluminescence from multiply-stacking valency controlled Si quantum dots”, Thin Solid Films, Vol. 602, 2016, pp. 48-51.
  17. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Evaluation of field emission properties from multiple-stacked Si quantum dots”, Thin Solid Films, Vol. 602, 2016, pp. 68-71.
  18. H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Formation and characterization of high-density FeSi nanodots on SiO2 induced by remote H2 plasma”, Jpn, J. Appl. Phys., Vol. 55, 2016, 01AE20.
  19. H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Photoemission Study on Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure”, ECS Trans., Vol. 69, No. 10, 2015, pp. 179-186.
  20. Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Resistive Switching Characteristics of Si-Rich Oxides with Embedding Ti Nanodots”, ECS Trans., Vol. 69, No. 10, 20115, pp. 291-298.
  21. S. Kajita, A. Ohta, T. Ishida, K. Makihara, T. Yoshida and N. Ohno, , “Increase in the work function of W/WO3 by helium plasma irradiation”, Jpn, J. Appl. Phys., Vol. 54, 2015,126201.
  22. A. Ohta, H. Murakami, K. Makihara and S. Miyazaki, “Progress in determination method for ultrathin Si-based oxide bandgaps from analysis of energy loss signals for photoelectrons”, Jpn, J. Appl. Phys., Vol. 54, 2015,06FH08.
  23. A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Electronic defect states in thermally-grown SiO2/4H-SiC structure measured by total photoelectron yield spectroscopy”, Microelectronic Engineering, Vol. 147, No. 1, 2015, pp. 264-268. IEICE Trans. on Electronics, Vol. E97-C, No. 5, 2014, pp. 393-396.
  24. R. Fukuoka, K. Makihara, H. Zhang, A. Ohta, T. Kato, S. Iwata, M. Ikeda and S. Miyazaki,“High Density Formation of FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of their Magnetic Properties”, Trans. Mat. Res. Sco. Japan, Vol. 40, No. 4, 2015, pp. 347-350.
  25. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Characterization of Electron Emission from High Density Self-Aligned Si-Based Quantum Dots by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy”, ECS Trans., Vol. 64, No. 6, 2014, pp. 923-928.
  26. K. Makihara, K. Kondo, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, “Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core”, ECS Trans., Vol. 64, No. 6, 2014, pp. 365-370.
  27. A. Ohta, H. Murakami, K. Hashimoto, K. Makihara and S. Miyazaki, “Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack”, ECS Trans., Vol. 64, No. 6, 2014, pp. 241-248.
  28. K. Makihara, M. Ikeda, T. Okada, and S. Miyazaki, “Application of remote hydrogen plasma to selective processing for Ge-based devices: Crystallization, etching, and metallization”, Jpn. J. Appl. Phys., in press.
  29. S. Otsuka, T. Shimizu, S. Shingubara, K. Makihara, S. Miyazaki, A. Yamasaki, Y. Tanimoto and K. Takase, “Effect of electric field concentration using nanopeak structures on the current-voltage characteristics of resistive switching memory”, AIP Advances, Vol. 4, 2014, 087110 (7 pages).
  30. K. Makihara,M. Ikeda and S. Miyazaki, “Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots”, IEICE Trans. on Electronics, Vol. E97-C, No. 5, 2014, pp. 393-396.
  31. D. Takeuchi,K. Makihara,M. Ikeda,S. Miyazaki,H. Kaki and T. Hayashi,“High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy”, IEICE Trans. on Electronics, Vol. E97-C, No. 5, 2014, pp. 397-400.
  32. A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide ReRAMs with Ti-based Electrodes”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 52, 2013, 11NJ06 (5 pages).
  33. K. Makihara, J. Gao, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Deki, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazak, “Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP -Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 52, 2013, 11NA04 (3 pages).
  34. S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara, “Study on Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application”, ECS Trans., Vol. 58, No. 9, 2013, pp. 231-237.
  35. A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes”, ECS Trans., Vol. 58, No. 9, 2013, pp. 293-300.
  36. S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara, “Study on Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application”, ECS Trans., Vol. 58, No. 9, 2013, pp. 231-237.
  37. N. Tsunekawa K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Temporal Changes of Charge Distribution in High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots as Evaluated by AFM/KFM”, Trans. of MRS-J., Vol. 38, No. 3, 2013, pp. 393-396.
  38. H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara and S. Miyazaki, “High Density Formation of Iron Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma”, Advanced Materials Research Vols. 750-752, 2013, pp. 1011-1015.
  39. M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Photoexcited Carrier Transfer in a NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures”, IEICE Trans. on Electronics, Vol. E96-C, No. 5, 2013, pp. 694-698.
  40. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi, “Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy”, IEICE Trans. on Electronics, Vol. E96-C, No. 5, 2013, pp. 718-721.
  41. M. Fukushima, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Characterization of Resistive Switching of Pt/Si- rich Oxide/TiN System”, IEICE Trans. on Electronics, Vol. E96-C, No. 5, 2013, pp. 708-713.
  42. A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakamis, S. Higashi and S. Miyazaki, “Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior”, IEICE Trans. on Electronics”, Vol. E96-C, No. 5, 2013, pp. 702-707.
  43. A. Ohta. K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba and J. Murota, “X-ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures”, Vol. E96-C, No. 5, 2013, pp. 680-685.
  44. H. Takami, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Characterization of Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 52, No. 4, 2013, 04CG08 (4pages).
  45. K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, Study of Electron Transport Characteristics Through Self-Aligned Si-Based Quantum Dots, J. Appl. Phys., Vol. 112, 2012, 104301 (5pages)
  46. K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes”, ECS Trans., Vol. 50, No. 9, 2012, pp. 459-464.
  47. K. Makihara, H. Deki, M Ikeda and S, Miyazaki, “Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy”, J. Non-Cry. Solids, Vol. 358, Issue 17, 2012, pp. 2086-2089.
  48. K. Makihara, H. Deki, M Ikeda and S, Miyazaki, “Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 4, 2012, 04DG08 (5 pages).
  49. K. Makihara, K. Matsumoto, M. Yamane, T. Okada, N. Morisawa, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of High Density Pt Nanodots on SiO2 Induced by Millisecond Rapid Thermal Annealing using Thermal Plasma Jet for Floating Gate Memory”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 50, No. 8, 2011, 08KE06 (4pages)
  50. S. K. Sahari, H. Murakami, T. Fujioka, T. Bando, A. Ohta, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki, “Study on Native Oxidation of Ge (111) and (100) Surfaces”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 50, No. 4, 2011, 04DA12 (4 pages)
  51. M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, S. Nomura, K. Shiraishi and T. Endoh, “Collective Tunneling Model in Charge Trap Type NVM Cell”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 50, No. 4, 2011, 04DD04 (4 pages).
  52. G. Wei, Y. Goto, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure”, IEICE, Vol. 94-C, No. 5, 2011, pp. 699-704.
  53. A. Ohta, D. Kanme, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities”, IEICE, V Vol. 94-C, No. 5, 2011, pp. 717-723.
  54. M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta and T. Endoh, “Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor”, IEICE, V Vol. 94-C, No. 5, 2011, pp. 730-736.
  55. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima and S. Miyazaki, “High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2”, Solid State Electronics, Vol. 60, 2011, pp. 65-69.
  56. N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures”, Key Engineering Materials, Vol. 470, 2011, pp. 135-139.
  57. K. Makihara, M. Ikeda, H. Deki, A. Ohta and S. Miyazaki, “Self-Align Formation of Si Quantum Dots”, ECS Trans., Vol. 33, No. 6, 2010, pp. 661-667.
  58. T. Matsumoto, S. Higashi, K. Makihara, M. Akazawa and Seiichi Miyazaki, “Formation of Pseudo-Expitaxial Ge Films on Si(100) by Droplet of Ge Microliquid”, ECS Trans., Vol. 33, No. 6, 2010, pp. 165-170.
  59. M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Takada, Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, and Y. Shigeta, “Importance of Electronic State of Two-Dimensional Electron Gas for Electron Injection Process in Nano-Electronic Devices”, Physica E, Vol. 42, Issue 10, 2010, pp. 2602–2605.
  60. A. Kawanami, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Formation of Cobalt and Cobalt-silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.49, 2010, 08JA04 (4 pages).
  61. K. Makihara and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.49, No.2, 2010, 065002 (4 pages).
  62. K. Makihara, M. Ikeda, A. Kawanami and S. Miyazaki, “Random Telegraph Signals in Two-Dimensional Array of Si Quantum Dots”, Trans. of IEICE, Vol.E93-C, No.5, 2010, pp. 569-572.
  63. N. Morisawa, M. Ikeda, S. Nakanishi, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki, “Light Induced Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid FG in MOS Structures”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 49, 2010, 04DJ04 (4pages).
  64. T. Okada, S. Higashi, H. Kaku, K. Makihara, H. Furukawa, Y. Hiroshige and S. Miyazaki, “Effect of Chemical Composition of SiOx Films on Rapid Formation of Si Nanocrystals Induced by Thermal Plasma Jet Irradiation”, Physica Status Solidi C, Vol. 7, No. 3-4, 2010, pp. 732-734.
  65. Y. Sakurai, Y. Takada, J-I Iwata, K. Shiraishi, S. Nomura, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, “Electron Tunneling between Si Quantum dots and Tow Dimensional Electron Gas under Optical Excitation at Low Temperatures”, ECS Trans., Vol. 28, No. 1, 2010, pp. 369-374.
  66. K. Makihara, K. Shimanoe, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation Mechanism of Metal nanodots Induced by Remote Plasma Exposure”, Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 12, No. 3, 2010, pp. 626-630.
  67. Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, “Anomalous temperature dependence of electron tunneling between a two-dimensional electron gas and Si dots”, Physica E, Vol. 42, Issue 4, 2010, pp. 918–921.
  68. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto, “Formation of High Density Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Memory Application”, J. of Materials Science Forum Vol. 638-642, 2010, pp 1725-1730.
  69. S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda, “Formation and Characterization of Hybrid Nanodot Stack Structure for Floating Gate Application”, Thin Solid Films, Vol. 518, 2010, pp. S30-S34.
  70. Y. Sakurai, J. Iwata, M. Muraguchi, Y. Shigeta, Y. Takada, S. Nomura, T. Endoh, S. Saito, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Temperature Dependence of Electron Tunneling between Two Dimensional Electron Gas and Si Quantum Dots”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 49, No. 1, 2010, 014001 (4pages).
  71. J. Xu, K. Makihara, H. Deki and S. Miyazaki, “Electroluminescence from Si Quantum Dots/SiO2 Multilayers with Ultrathin Oxide Layers due to Bipolar Injection”, Solid State Communications, Vol. 149, 2009, pp. 739-742.
  72. S. Mahboob, K. Makihara, A. Ohta, S. Higashi, Y. Hata, A. Kuroda and S. Miyazaki, “Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Si-tagged Protein A on HF-last Si(100) and Thermally Grown SiO2 Surface”, ECS Trans., Vol. 19, No. 22, 2009, pp. 35-43.
  73. Y. Sakurai, S. Nomura, Y. Takada, J. Iwata, K. Shiraishi, M. Muraguchi, T. Endoh, Y. Shigeta, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Physics of Nano-contact Between Si Quantum Dots and Inversion Layer”, ECS Trans., Vol. 25, No. 7, 2009, pp. 463-469.
  74. S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, “Charge Storage Characteristics of Hybrid Nanodots Floating Gate”, ECS Trans., Vol. 25, No. 7, 2009, pp. 433-439.
  75. K. Makihara, K. Shimanoe, M. Ikeda, A. Ohta, S. Higashi and S. Miyazaki, “Electronic Charged States of Pt-silicide Nanodots as Evaluated by Using an AFM/Kelvin Probe Technique”, Trans. of MRS-J., Vol. 34, No. 2, 2009, pp. 309-312.
  76. S. Miyazaki, M. Ikeda, K. Makihara, K. Shimanoe and R. Matsumoto, “Formation of Metal Silicide Nanodots on Ultrathin SiO2 for Floating Gate Application”, Solid State Phenomena Vol. 154, 2009, pp. 95-100.
  77. K. Shimanoe, K. Makihara, M. Ikeda, R. Matsumoto, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Treatment and Its Application to Floating Gate MOS Memories”, IEICE Trans. on Electronics, Vol. E92-C, No. 5, 2009, pp. 616-619.
  78. Y. Sakurai, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara and S.Miyazaki, “Temperature Dependence of Capacitance of Si Quantum Dot Floating Gate MOS Capacitor”, J. Phys.: Cond. Mat., Vol.150, 2009, p. 022071.
  79. K. Makihara, K. Shimanoe, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Self-Assembling Formation of Ninanodots on SiO2 Induced by Remote H2-plasma Treatment and Their Electrical Charging Characteristics”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.47, No.4, 2008, pp. 3099-3102.
  80. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM”, IEICE Trans. on Electronics, Vol. E91-C, No. 5, 2008, pp. 712-715.
  81. K. Makihara, A. Kawanami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Nucleation Control for High Density Formation of Si-based Quantum Dots on Ultrathin SiO2”, ECS Trans., Vol.16, No.10, 2008, pp. 255-260.
  82. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics”, Thin Solid Films, Vol.517, No. 1, 2008, pp. 306-308.
  83. S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, “Control of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application”, Thin Solid Films, Vol. 517, No. 1, 2008, pp. 41-44.
  84. T. Hosoi, K. Sano, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki and K. Shibahara, “Interface Properties and Effective Work Function of Sb-Predoped Fully Silicided NiSi Gate, Surface and Interface Analysis”, Vol. 40 (2008) pp. 1126-1130.
  85. T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi and S. Miyazaki, “Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4”, Thin Solid Films, Vol.517, No. 1, 2008, pp. 216-218.
  86. J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots, Solid State Phenomena”, Vol.121-123, 2007, pp. 557-560.
  87. R. Nishihara, K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of Nickel Silicide Nanodots Using AFM/Kelvin Probe Technique”, Materials Science Forum, Vol.561-565, 2007, pp.1213-1216.
  88. S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara, “Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots for Floating Gate Application”, ECS Trans., Vol.11, No.6, 2007, p.233-243.
  89. A. Ohta, Y. Munetaka, A. Tsugou, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki, S. Inumiya and Y. Nara, “Characterization of chemical bonding features and defect state density in HfSiOxNy/SiO2 gate stack”, Microelec. Eng., Vol.84, 2007, pp. 2386-2389.
  90. T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi and S. Miyazaki, “High Rate Growth of Highly-Crystallized Ge Films on Quartz from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4 + H2”, Materials Science Forum, Vol.561-565, 2007, pp.1209-1212.
  91. K. Makihara, J. Xu, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe”, Thin Solid Films, Vol.508, No.1-2, 2006, pp. 186-189.
  92. J. Nishitani, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique”, Thin Solid Films, Vol.508, No.1-2, 2006, pp. 190-194.
  93. K. Makihara, M. Ikeda, T. Nagai, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices”, Trans. of MRS-J, Vol.31, No.1, 2006, pp. 133-136.
  94. S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara, “Characterization of Electronic Charged States of Si-Based Quantum Dots and Their Application to Floating Gate Memories”, ECS Trans., Vol.2, No.1, 2006, p.157-164.
  95. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Study of Charged States of Si Quantum Dots with Ge Core”, ECS Trans., Vol.3, No.7, 2006, pp. 257-262.
  96. T. Sakata, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki, “Growth of Crystallized Ge Films from VHF-Inductively Coupled Plasma of H2-Diluted GeH4”, Thin Solid Films, Vol.515, No.12, 2006, pp.4971-4974.
  97. K. Makihara, H. Deki, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment”, Appl. Surf. Sci., Vol.244, No.1-4, 2005, pp. 75-78.
  98. Y. Okamoto, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of Microcrystalline Germanium (mc-Ge:H) Films From Inductively-Coupled Plasma CVD”, Appl. Surf. Sci., Vol.244, No.1-4, 2005, pp. 12-15.
  99. K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on SiO2 by a Conductive AFM Probe Technique”, IEICE Trans. on Electronics, Vol. E88-C, No. 4, 2005, pp. 705-708.
  100. K. Makihara, Y. Okamoto, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Electrical Characterization of Ge Microcrystallites by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe”, Thin Solid Films, Vol.457, 2004, pp. 103-108.
  101. K. Takase, T. Shimizu, K. Makihara, Y. Takahashi, Y. Takano, K. Sekizawa, Y. Kuroiwa, S. Aoyagi, and A. Utsumi, “Structural Defects effect on Ferromagnetism of Layered Oxysulfide (La1-xCaxO)Cu1-xNixS”, Physica B, Vol.329-333, part2, 2003, pp. 961-962.
  102. K. Takase, T. Shimizu, K. Makihara, H. Sato, H. Negishi, Y. Takahashi, Y. Takano, K. Sekizawa, Y. Kuroiwa, S. Aoyagi, A. Utsumi, A. Wada, A. Ino, H. Namatame, M. Taniguchi, “Electrical Resistivity and Photoemission Spectra of Layered Oxysulfide (La1-xCaxO)Cu1-xNixS”, Physica B, Vol.329-333, part2, 2003, pp. 898-899.
  103. K. Takase, M. Koyano, T. Shimizu, K. Makihara, Y. Takahashi, Y. Takano, and K. Sekizawa, “Electrical Resistivity and Photoluminescence Spectrum of Layered Oxysulfide (LaO)CuS”, Solid State Commun., Vol.123, 2002, pp. 531-534.

国際会議発表

  1. N. X. Truyen, N. Taoka, A. Ohta, K. Makihara, H. Yamada, T. Takahashi, M. Ikeda, M. Shimizu, and S. Miyazaki, “Abrupt SiO2/GaN Interface Properties Formed by Remote Plasma Assisted CVD”, 2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 2B-3 (Gyeongju, Korea, July 3-5, 2017)
  2. K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, “Magnetoelectronic Transport of Double Stack FePt Nanodots”, 2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 8A-3 (Gyeongju, Korea, July 3-5, 2017)
  3. H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S, Miyazaki, “Fabrication and Magnetoelectronic Transport Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2”, The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures, (Coventry, UK, 14 -19th May 2017).
  4. Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, “Evaluation of Potential Distribution in Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy”, The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures, (Coventry, UK, 14 -19th May 2017).
  5. K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, “Characterization of Electroluminescence from Si-QDs with Ge Core”, The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and heterostructures, (Coventry, UK, 14 -19th May 2017).
  6. A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Evaluation of Energy Distribution of Filled Defects of Si Oxide Thin Films from Total Photoelectron Yield Spectroscopy,” 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017), P2 (Seminaris SeeHotel Potsdam, Potsdam, Germany, June 27-30, 2017)
  7. A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, K. Makihara, E. Ikenaga, S. Miyazaki, “Potential Changes and Chemical Bonding Features for Si-MOS Diodes as Evaluated from HAXPES Analysis,” 20th Conference on Insulating Films on Semiconductors (INFOS2017), P1 (Seminaris SeeHotel Potsdam, Potsdam, Germany, June 27-30, 2017)
  8. S. Miyazaki, K. Yamada, M. Ikeda, and K. Makihara, “High Density Formation of and Light Emission from Si-Quantum Dots with Ge core”, MRS spring Meeting (April 17-21, 2017, Phoenix, Arizona), ED6.9.02
  9. <[Invited] S. Miyazaki, K. Makihara, A. Ohta, and M. Ikeda, Processing and Characterization of Si/Ge Quantum Dots, Tech. Dig. of Int. Electron Devices Meeting 2016 (IEDM), 826-830 (2016).
  10. [Invited] S. Miyazaki, D. Takeuchi, M. Ikeda, and K. Makihara, “Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Functional Devices”, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Sep. 27-29, 2016), D-5-01.
  11. [Invited] A. Ohta, T. Yamamoto, N. Truyen, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of Oxide Thin Films and Wide Bandgap Semiconductors”, 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", I-07 (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan, February 13-14, 2017).
  12. D. R. Purba, K. Makihara, A. Rusydi, S. Miyazaki, and Y. Darma, “Effects of Hydrogen Plasma Treatment on Optical Properties of LSAT ((LaAlO3)0.3-(Sr2AlTaO6)0.7”, The 2nd Materials Research Society of Indonesia (MRS-Id) Meeting (24-26 October 2016, Bandung, Indonesia).
  13. A. Ohta, N. Truyen, N. Fujimura, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Total Photoelectron Yield Spectroscopy of Electronic States of GaN Surface”, 8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)/9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016), 03aC05O (Chubu University, Kasugai, Aichi, Japan, March 1-5, 2017).
  14. N. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “PYS Study on Energy Distributions of Defect States in Remote O2 Plasma Enhanced CVD SiO2/GaN Structure”, 8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)/9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016), 04aC08O (Chubu University, Kasugai, Aichi, Japan, March 1-5, 2017).
  15. K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111)”, 8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)/9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016), 03P60 (Chubu University, Kasugai, Aichi, Japan, March 1-5, 2017).
  16. Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Formation of Mn-germanide Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma”, 8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2016)/9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS2016), 03P82 (Chubu University, Kasugai, Aichi, Japan, March 1-5, 2017).
  17. M. Ikeda, L. Gao, K. Yamada, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki, “Formation of Si-based Quantum Dots on Sub-micron patterned Si Substrates”, 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", O-07(Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan, February 13-14, 2017).
  18. N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Potential Change and Electrical Dipole at Ultrathin Oxide/Semiconductor Interfaces as Evaluated by XPS”, 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", O-09, (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan, February 13-14, 2017).
  19. N. Truyen, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki, “Characterization of Remote Plasma CVD SiO2 on GaN(0001)”, 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", O-10 (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan, February 13-14, 2017).
  20. K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface formed on Group-IV Semiconductors”, 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", P-11 (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan, February 13-14, 2017).
  21. Y. Nakashima, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, “Characterization of Field Electron Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots”, 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", P-13 (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan, February 13-14, 2017).
  22. T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Evaluation of Dielectric Function of Oxide Thin Films from Photoemission Measurements”, 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", P-08 (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan, February 13-14, 2017).
  23. K. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Luminescence Studies of High Density Si Quantum Dots with Ge core”, 10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", P-08 (Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication Tohoku University, Sendai, Miyagi, Japan, February 13-10, 2017).
  24. T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “XPS Study on Dielectric Function of Thermally-grown SiO2”, JSPS Meeting 2016: Workshop on “Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration”, (Julich, Germany, November 24-26, 2016).
  25. N. Fujimura, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Characterization of Electrical Dipole Formed at HfO2/SiO2 and SiO2/Si Interfaces Using by XPS”, JSPS Meeting 2016 : Workshop on “Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration” (Julich, Germany, Nov. 24-26, 2016), pp. 56-57.
  26. Y. Wang, D. Takeuchi, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “High Density Formation of Ta/Ta-Oxide Core-Shell Nanodots”, 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016) (Kyoto, November, 2016), 11P-11-57.
  27. Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki, “Low Temperature Formation of Crystalline Si:H/Ge:H Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation”, 29th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2016) (Kyoto, November, 2016), 10C-4-3.
  28. K. Yamada, K. Kondo, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Effect of Ge Core Size on Photoluminescence from Si Quantum Dots with Ge Core”, 230th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), (Honolulu, HI, Oct. 2-7, 2016), 27.4
  29. T. Yamamoto, A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Evaluation of Dielectric Function of Thermally-grown SiO2 and GeO2 from Energy Loss Signals for XPS Core-line Photoelectrons”, 230th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), (Honolulu, USA, Oct. 2-7, 2016), G05-20-5.
  30. N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Evaluation of Potential Change and Electrical Dipole in HfO2/SiO2/Si Structure”, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Sep. 27-29, 2016), O-4-02.
  31. K. Makihara, T. Kawase, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, “Magnetotransport Properties of FePt Alloy-NDs Stacked Structures”, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Sep. 27-29, 2016), D-6-02.
  32. [Invited] S. Miyazaki, D. Takeuchi, M. Ikeda, and K. Makihara, “Formation and Characterization of Si Quantum Dots with Ge Core for Functional Devices”, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (Tsukuba, Sep. 27-29, 2016), D-5-01.
  33. H. Zhang, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, and S. Miyazaki, “Formation of Fe3Si-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by H2-plasma Treatment and Their Magnetic-Field Dependent Electron Transport Properties”, Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-SILICIDE2016) (Fukuoka, July, 2016), 17-AM-III-3.
  34. Yusuke Kato, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, and Seiichi Miyazaki, “Embedding of Ti Nanodots into SiOx and Its Impact on Resistance Switching Behaviors”, 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2016), (Hakodate, Japan, July 4-6, 2016), B3-4.
  35. T. Kawase, Y. Mitsuyuki, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Electron Transport Properties of High Density FePt-NDs Stacked Structures”, 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th International SiGe Technology and Device Meeting joint meeting (ISCSI-VII/ISTDM 2016) (Nagoya, June., 2016), WA2-B-3.
  36. H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Determination of Energy Band Profile of Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure Using XPS”, 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th International SiGe Technology and Device Meeting joint meeting (ISCSI-VII/ISTDM 2016) (Nagoya, June., 2016), SA1-B-4.
  37. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki, “Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Emission Properties”, 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces and 8th International SiGe Technology and Device Meeting joint meeting (ISCSI-VII/ISTDM 2016) (Nagoya, June., 2016), WA2-B-2
  38. K. Makihara, Y. Kabeya, A. Ohta, T. Kato, A. Iwata and S. Miyazaki, “Formation and Characterization of High Density FePt Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen”, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), Sappro, September 27 - 30, 2015, G-3-6.
  39. T. Arai, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Impact of Embedded Mn-Nanodots on Resistive Switching Properties of Si-rich Oxides”, 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), Toyama, November 10-13, 2015, 11B-3-4.
  40. Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki, “Formation of Mn-Ge Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma”, 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), Toyama, November 10-13, 2015, 13P-11-48.
  41. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, S. Miyazaki, “Study of Electron Field Emission from Multiply-Stacking Si Quantum Dots”, 9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2016), O-09.
  42. N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Determination of Electron Affinity of Si-based Materials using by X-ray Photoelectron Spectroscopy”, 9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2016), O-08.
  43. Y. Kato, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “High Density Ti Nanodots Formation and Improvement of ReRAM Characteristics by Embedding Ti Nanodots”, 9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar" Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2016), P-14.
  44. T. Kawase, Y. Mitsuyuki, A. Ohta, K. Makihara, T. Kato, S. Iwata and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of FePt-NDs Stacked Structures by Kelvin Force Microscopy”, 9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan.,2016), P-15.
  45. H. Watanabe, A. Ohta, N, Fujimura, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Evaluation of Electronic States of Thermally-grown SiO2/4H-SiC”, 9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2016), P-13.
  46. Y. Wang, D. Takeuchi, M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki, “Impact of Ge Capping Layer on Ta Nanodots Formation Induced by Remote Hydrogen Plasma”, 9th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2016), P-12.
  47. H. Zhang, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “High Density Formation of Fe-silicide Nanodots Induced by Remote H2 Plasma and Characterization of Their Crystalline Structure and Magnetic Properties”, The 37th International Symposium on Dry Process (DPS2015), (Awaji Island, Nov., 5-6, 2015), E-1.
  48. N. Fujimura, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Evaluation of Valence Band Maximum and Electron Affinity of SiO2 and Si-based Semiconductors Using XPS”, 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF), (Tokyo, Nov. 2 - 4, 2015), S4-3.
  49. Y. Kato, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Formation of High Density Ti Nanodots and Evaluation of Resistive Switching Properties of SiOx-ReRAMs with Ti Nanodots”, 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF), (Tokyo, Nov. 2 - 4, 2015), P-12.
  50. H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Photoemission Study on Chemical Bonding Features of Thermally-grown SiO2/4H-SiC Structure”, 2015 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices (IWDTF), (Tokyo, Nov. 2-4, 2015), P-17.
  51. Y. Kato, T. Arai, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, "Resistive Switching Characteristics of Si-rich Oxides with Embedding Ti Nanodots", 228th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), (Phenix, USA, Oct. 11-16, 2015), 1106.
  52. H. Watanabe, A. Ohta, K. Makihara, and S. Miyazaki, “Photoemission Study on Chemical Bonding Features and Electronic Defect States of Thermally-Grown SiO2/4H-SiC Structure”, 228th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), (Phenix, USA, Oct. 11-16, 2015), 16-a-1.
  53. H. Zhang, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “High Density Formation of Fe3Si-nanodots on ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma”, The 17th Annual Conference and 6thInternational Conference of the Chinese Society of Micro-Nano Technology(CSMNT2015), Shanghai, China Oct.,11-14, 2015), 96818.
  54. Y. Wang, D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, and S. Miyazaki, “High Density Formation of Ta Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma”, 68th Annual Gaseous Electronics Conferences/9th International Conference on Reactive Plasmas/33rd Symposium on Plasma Processing. (Honolulu, Hawaii, USA, Oct., 2015), QR2-3.
  55. H. Zhang, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “High Density Formation of Fe silicide-nanodots on SiO2 Induced by Remote H2-plasma”, The 21st Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & The Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials (Korea, Oct., 3-5, 2015).
  56. T. Nguyen, A. Ohta, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara and S. Miyazaki, “Impact of Remote H2 Plasma on Surface and Electronic Structures of 4H-SiC(0001)”, The 21st Korea-Japan Workshop on Advanced Plasma Processes and Diagnostics & The Workshop for NU-SKKU Joint Institute for Plasma-Nano Materials (Korea, Oct., 3-5, 2015).
  57. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki, “Characterization of Field Emission Properties from Multiply-Stacking Si Quantum Dots”, JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", (Marseille, France, July, 2015).
  58. Y. Mitsuyuki, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki, “Impact of Magnetic-Field Application on Electron Transport Through FePt-NDs Stacked Structures”,JSPS International Core-to-Core Program Workshop, “Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration” (Marseille, France, July., 2015).
  59. K. Kondo, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki, “Effect of P-doping on Photoluminescence Properties of Si Quantum Dots with Ge Core”, 2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2015), (Jeju, Korea, June 29-July 1, 2015), 8A-3.
  60. Y. Mitsuyuki, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki, “Electron Transport Properties of High Density FePt-NDs Stacked Structures”, 2015 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2015) (Jeju, Korea, June 29-July 1, 2015).
  61. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Impact of Phosphorus Doping to Multiply-Stacking Si Quantum Dots on Electron Field Emission Properties”, The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-9), (Montreal, Canada, May 17 - 22, 2015).
  62. H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki, “Formation and Characterization of High Density FeSi Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma” 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nano materials / 8th International Conference on Plasmas-Nano Technology & Science (ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015), (Nagoya, Mar., 26-31, 2015), C1-P-84L.
  63. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, ”Characterization of Electron Field Emission from High Density Self-Aligned Si-Based Quantum Dots”, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nano materials / 8th International Conference on Plasmas-Nano Technology & Science (ISPlasma2015 / IC-PLANTS2015), (Nagoya, Mar., 26-31, 2015), C1-P-85L.
  64. T. Yamada, K. Makihara, M. Ikada and S. Miyazaki, “Characterization of Electroluminescence from Multiply-Stack of Doped Si Quantum Dots”, 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2015), O-02.
  65. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikada and S. Miyazaki, “Characterization of Electron Field Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots”, 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2015), O-03.
  66. A. Ohta, H. Murakami, K. Makihara and S. Miyazaki, “Impact of Post Metallization Annealing on Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack”, 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2015), O-07.
  67. H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikada and S. Miyazaki, “High Density Formation of Fe-Silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma”, 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2015), O-13.
  68. Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki, “High Density Formation of Mn-Ge Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma”, 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2015), P-03.
  69. Y. Kabeya, H. Zhang, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Impact of Magnetic-Field Application on Electron Transport Through FePt Alloy Nanodots”, 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2015), P-05.
  70. Y. Mitsuyuki, Y. Kabeya, K. Makihara, T. Kato, S. Iwata and S. Miyazaki, “Formation and Characterization of High Density FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma”, 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2015), P-06.
  71. T. Nguyen, A. Ohta, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara and S. Miyazaki, “Impact of Remote Hydrogen Plasma on Micro-roughness and Electronic States at 4H-SiC(0001) Surface”, 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2015), P-08.
  72. K. Kondo, K. Makihara and S. Miyazaki, “Photoluminescence Properties of Si Quantum Dots with Ge Core”, 8th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Jan., 2015), P-09.
  73. [Invited]K. Makihara and S. Miyazaki, “Plasma-enhanced Self-assembling Formation of High-density Metallic Nanodots on Ultrathin SiO2”, Nagoya University (NU) & Sungkyunkwan University (SKKU) Joint Symposium 2014, Suwon, Korea, November 26-27.
  74. [Invited]K. Makihara, T. Yamada, K. Kondo and S. Miyazaki, “Luminescence Studies of High Density Si-based Quantum Dots”, JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Leuven, Belgium, November 12-13, 2014, 4.3.
  75. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Study of Electron Field Emission from High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots”, JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Leuven, Belgium, November 12-13, 2014, P5.1.
  76. H. Zhang, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “High Density Formation of Fe-Silicide Nanodots on SiO2 Induced by Remote H2 Plasma”, 27th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), Fukuoka, November 4-7, 2014, 5C-2-4.
  77. A. Ohta, H. Murakami, K. Hashimoto, K. Makihara and S. Miyazaki, “Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack”, 226th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), Cancun, Mexico, October 6-9, 2014, 1785.
  78. K. Makihara, K. Kondo, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, “Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core”, 226th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), Cancun, Mexico, October 6-9, 2014, 1795.
  79. D. Takeuchi, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda, and S. Miyazaki, “Characterization of Electron Emission from High Density Self-aligned Si-Based Quantum Dots by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy”, 226th Meeting of The Electrochemical Society (ECS), Cancun, Mexico, October 6-9, 2014, 1850.
  80. T. Yamada, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Electroluminescence from Multiply-Stack of Doped Si Quantum Dots”, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), Tsukuba, September 8 - 11, 2014, B-1-3.
  81. A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara and S. Miyazaki, “Characterization of Resistance-Switching of Ni Nano-dot/SiOx/Ni Diodes”, International Union Material Research Society - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014), Fukuoka, Aug. 24-30, 2014, D5-O25-008.
  82. Y. Wen, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “High Density Formation of Mn and Mn-germanide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma”, International Union Material Research Society - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014), Fukuoka, Aug. 24-30, 2014, D5-P26-003.
  83. Y. Kabeya, H. Zhang, R. Fukuoka, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Impact of Magnetic-Field Application on Electron Transport Through CoPt Alloy Nanodots”, International Union Material Research Society - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014), Fukuoka, Aug. 24-30, 2014, D5-P26-004.
  84. K. Makihara, R. Fukuoka, H. Zhang, A. Ohta, Y. Tokuda, T. Kato, S. Iwata, and S. Miyazaki, “Crystalline Structure and Magnetic Properties of FePt Alloy Nanodots”, International Union Material Research Society - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014), Fukuoka, Aug. 24-30, 2014, D5-P26-005.
  85. T. Arai, C. Liu, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Local Electrical Properties of Si-rich Oxides with Embedding Mn-nanodots by Atomic Force Microscopy Using Conducting-Probe”, International Union Material Research Society - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014), Fukuoka, Aug. 24-30, 2014, D5-P26-006.
  86. T. Nguyen, H. Zhang, D. Takeuchi, A. Ohta, K. Makihara, H. Murakami, and S. Miyazaki, “Impact of Remote H2 Plasma on Surface Roughness of 4H-SiC(0001)”, International Union Material Research Society - International Conference in Asia 2014 (IUMRS-ICA 2014), Fukuoka, Aug. 24-30, 2014, D5-P26-016.
  87. A. Ohta, C. Liu, T. Arai, D. Takeuchi, H. Zhang, K. Makihara and S. Miyazaki, “Resistance-Switching Characteristics of Si-rich Oxide as Evaluated by Using Ni Nanodots as Electrodes in Conductive AFM Measurements”, 2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2014), (Kanazawa, Ishikawa, July, 2014) 6B-4.
  88. T. Arai, C. Liu, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Impact of Embedded Mn-Nanodots on Resistive Switching in Si-rich Oxides”, 2014 International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2014), (Singapore, June, 2014) P36.
  89. K. Makihara, N. Tsunekawa, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Characterization of electronic charged states of self-aligned coupled Si quantum dots by AFM/KFM Probe Technique”, 2014 International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2014), (Singapore, June, 2014) P37.
  90. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Selective Crystallization and Metallizatioin of a-Ge:H Thin Films by Pt-coating and Exposing to Remote H2 Plasma”, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2014), (Nagoya, Mar., 2014) 5aB03O.
  91. Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, K. Sakaike, M. Akazawa, S. Higashi and S. Miyazaki, “Study on Si/Ge Heterodtructures Formed by PECVD in Combination with Ni-Nds Seeding Nucleation”, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2014), (Nagoya, Mar., 2014) 05pP51.
  92. H. Zhang, K. Makihara, R. Fukuoka, Y. Kabeya and S. Miyazaki, “Study on Formation of High Density Fe-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote H2 Plasma Exposure”, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2014), (Nagoya, Mar., 2014) 06aP20.
  93. R. Fukuoka, H. Zhang, K. Makihara, Y. Tokuoka, T. Kato, S. Iwata and S. Miyazaki, “High Density Formation of FePt Alloy Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties”, 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2014), P-05.
  94. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, “Characterization of Local Electronic Transport through Si-Nanocrystals/ Si-Nanocolumnar Structures by Non-contact Conductive Atomic Force Microscopy”, 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2014), P-06.
  95. Y. Suzuki, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Impact of Pulsed Bias Application on Electroluminescence Properties from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots”, 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2014), P-07.
  96. T. Arai, C. Liu, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistive Switching in TiOx/SiOx Stack in Ti Electrode MIM Diode”, 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2014), P-08.
  97. T. Yamada, K. Makihara, Y. Suzuki, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Electroluminescence from Multiply-Stacking B-doped Si Quantum Dots”, 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2014), P-09.
  98. Y. Kabeya, H. Zhang, R. Fukuoka, K. Makihara and S. Miyazaki, “Formation of High-Density Magnetic Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote H2 Plasma”, 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2014), P-10.
  99. K. Makihara and S. Miyazaki, “Alignment Control and Electrical Coupling of Si-based Quantum Dots”, 7th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2014), O-6.
  100. R. Fukuoka, H. Zhang, K. Makihara, Y. Tokuoka, T. Kato, S. Iwata and S. Miyazaki, “High density formation of FePt alloy nanodots on SiO2 induced by remote hydrogen plasma”, Magnetics and Optics Research International Symposium (MORIS2013), Omiya, December 2 - 5, We-P-07.
  101. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi, “Characterization of Electron Emission from Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Non-contact Conductive Atomic Force Microscopy”, 12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-12) and 21st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM21), Tsukuba, November 4 - 8, 2013, 8PN-48.
  102. [Invited]K. Makihara and S. Miyazaki, “Formation of One-Dimensionally Self-Aligned Si-Based Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes”, 26th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), (Hokkaido, Nov., 2013), 6D-3-1.
  103. S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, “Characterization of Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application” JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Frankfurt (Oder) Germany, October 24 - 25, 2013, 5-2.
  104. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi, “Study on Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conductive-Probe Atomic Force Microscopy” JSPS Core-to-Core Program Workshop "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Frankfurt (Oder) Germany, October 24 - 25, 2013, 5-3.
  105. A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi, and S Miyazaki, “Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-Electrode Mim Diodes”, 224th The Electrochemical Scociety (ECS) Meeting, San Francisco, California , USA, October 27- November 1, 2013, 2247.
  106. Y. Suzuki, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Transient Characteristics of Electroluminescence from Self-aligned Si-based Quantum Dots”, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Fukuoka, September 24 - 27, 2013, PS-7-21.
  107. H. Niimi, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Characterization of Electron Transport Through Ultra High Density Array of One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots”, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Fukuoka, September 24 - 27, 2013, E-2-2.
  108. H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara and S. Miyazaki, “Formation of High Density Fe-Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote H2 Plasma”, 2013 International Symposium on Dry Process (DPS 2013), Jeju, Korea, August 29 - 30 2013, P-37.
  109. Y. Lu, K. Makihara, D. Takeuchi, K. Sakaike, M. Akazawa, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Low Temperature Formation of Crystalline Si/Ge Heterostructures by Plasma Enhanced CVD in Combination with Ni-NDs Seeding Nucleation”, The 25th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS 25), Toronto, Ontario Canada, August 18 - 23, 2013, We-A2.2.
  110. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi, “High-Sensitive Detection of Electronic Emission through Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy”, 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2013), Seoul, Korea, June 26 - 28, 2013, 7A-4.
  111. K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Selective Growth of Self-Assembling Si and SiGe Quantum Dots”, 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2013), Seoul, Korea, June 26 - 28, 2013, 8B-2.
  112. [Invited]S. Miyazaki, K. Makihara and M. Ikeda, “Formation and Characterization of Hybrid Nanodots Floating Gate for Optoelectronic Devices”, JSPS Core-to Core Program Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" , Fukuoka, June 6, C1-4.
  113. K. Makihara, H. Takami, Y. Suzuki, M. Ikeda, S. Miyazaki, “Characterization of Electroluminescence from Self-Aligned Si-Based Quantum Dots Stack by Intermittent Bias Application”, The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) , Fukuoka, June 3-7, 2013, A3-3.
  114. T. Yamada, K. Makihara, H. Takami, Y. Suzuki, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Characterization of Electroluminescence from Multiply-Stacked B-doped Si Quantum Dots”, The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) , Fukuoka, June 3-7, 2013, P1-31.
  115. R. Fukuoka, H. Zhang, Y. Kabeya, K. Makihara, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “High Density Formation of CoPt Alloy Nanodots Induced by Remote H2 Plasma”, The 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI) , Fukuoka, June 3-7, 2013, P2-37.
  116. H. Zhang, R. Fukuoka, Y. Kabeya, K. Makihara and S. Miyazaki, “High Density Formation of Iron Nanodots on SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma”, 3rd International Conference on Advanced Engineering Materials and Technology (AEMT 2013) , Zhangjiajie, China, May 11-12, 2013, AE8668.
  117. [Invited]K. Makihara and S. Miyazaki, “High-density Formation and Characterization of Nanodots for Their Electron Device Application”, 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), A-2.
  118. S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda and H. Murakami, “Electronic and Optoelectronic Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices”, 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), 6.
  119. H. Takami, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Electroluminescence Study of Self-aligned Si-based Quantum Dots”, 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), 7.
  120. Y. Suzuki, K. Makihara, H. Takami, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Transient Characteristics of Electroluminescence from Self-aligned Si-based Quantum Dots”, 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), 8.
  121. N. Tsunekawa, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Spatially-controlled Charge Storage and Charge Dispersion in High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots”, 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), 9.
  122. R. Fukuoka, H. Zhang, Y. Kabeya, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki, “High Density Formation and Characterization of CoPt Alloy Nanodots as Memory Nodes”, 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), 10.
  123. M. Fukusima, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Characterization of Resistive Switching of Si-rich Oxides”, 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), 11.
  124. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi, “Characterization of Electron Emission from Si-Nanocrystals/Si-Nanocolumnar Structures by Conductive-Probe Atomic Force Microscopy”, 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" (Sendai, Feb., 2013), 12.
  125. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi, “Study on Electronic Emission through Ultrathin Au/High-Dense Si-Nanocolumnar Structures Accompanied with Si-Nanocrystals by Conductive Atomic Force Microscopy”, The 6th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2013), (Gero, Feb., 2013) P-G03.
  126. M. Fukusima, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki, “Evaluation of Resistance-Switching Behaviors and Chemical Bonding Features of Si-rich Oxide ReRAMs with TiN Electrode”, The 6th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2013), (Gero, Feb., 2013) P-G01.
  127. K. Makihara, J. Gao, D. Takeuchi, K. Sakaike, S. Hayashi, M. Ikeda, S. Higashi, and S. Miyazaki, “Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 Very High Frequency Inductively-coupled Plasma -Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-”, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), (Nagoya, Jan.-Feb., 2013) P2016A.
  128. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi, “Characterization of Electronic Emission Through Au/Si-Nanocolumnar Structures by Conductive-Probe Atomic Force Microscopy”, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), (Nagoya, Jan.-Feb., 2013) P4051C.
  129. R. Fukuoka, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Charging and Magnetizing Characteristics of Co Nanodots Formed by Remote H2-Plasma Induced Migration”, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), (Nagoya, Jan.-Feb., 2013) P4052C.
  130. A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, S. Higashi ands. Miyazaki, “Resistive Switching of Si-rich Oxide Dielectric with Ti based Electrodes”, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013), (Nagoya, Jan.-Feb., 2013) P1089C.
  131. K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes”, 222nd Electrochemical Society (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing and Device Symposium (Honolulu, HI, Oct., 2012) 3154.
  132. J. Gao, K. Makihara, M. Ikeda, S. Hayashi, K. Sakaike, S. Higashi, S. Miyazaki, “Impact of Ni-nanodots on Crystalline Ge:H Film Growth from GeH4 Very High Frequency Inductively-Coupled Plasma”, 11th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology and 25th Symposium on Plasma Science for Materials (APCPST & SPSM), (Kyoto, Oct., 2012) 3A-O15, p. 64.
  133. N. Tsunekawa, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Temporal Changes of Charge Distribution in High Density Self-Aligned Si-Based Quantum Dots as Evaluated by AFM/KFM”, International Union Materials Research Societies - International Conference on Electronic Materials 2012 (IUMRS-ICEM 2012), Yokohama, Sep. 23-28, 2012, B-1-027-009, p.51.
  134. H. Takami, K. Makihara, M. Ikeda, and S. Miyazaki, “Characterization of Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots”, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), (Kyoto, Sept., 2012) A-2-3.
  135. S. Miyazaki, K. Makihara, M. Ikeda“Charge Storage and Optoelectronic Response of Silicide-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid-Floating-Gate MOS Devices”, University of Vigo and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Spain, Sept.4-6,2012
  136. A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki “Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior”, 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2012), Naha, June 27 - 29, 2012, 5A-2.
  137. M. Fukusima, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki “Characterization of Resistive Switching of Pt/Si-rich Oxide/TiN System” 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2012), Naha, June 27 - 29, 2012, 5A-3.
  138. D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi “Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy”, 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2012), Naha, June 27 - 29, 2012, 5A-5.
  139. M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki “Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures” 2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2012), Naha, June 27 - 29, 2012, 5A-6.
  140. K. Makihara, J. Gao, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Deki, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki “Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP -Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots-”, 2012 International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012), (Berkeley, CA, June, 2012) pp. 138-139.
  141. K. Makihara, C. Liu, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Study of Electron Transport Characteristics Through Self-Aligned Si-Based Quantum Dots”, 2012 International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM2012), (Berkeley, CA, June, 2012) pp. 182-183.
  142. K. Makihara, H. Deki, M. Ikeda and S. Miyazaki, “Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy”, The 5th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2012), (Inuyama, Mar., 2012) P-64.
  143. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta and S. Miyazaki, “Formation of PtAl-Alloy Nanodots on Ultrathin SiO2 Induced by Remote Hydrogen Plasma”, The 5th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2012), (Inuyama, Mar., 2012) P-65.
  144. M. Ikeda, K. Makihara, A. Ohta and S. Miyazaki, “Formation of High Density Ge Quantum Dots and Their Electrical Properties”, The 5th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (IC-PLANTS 2012), (Inuyama, Mar., 2012) P-63.
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  224. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Progress on Charge Distribution in Multiply-Stacked Si Quantum Dots/SiO2 Structure as Evaluated by AFM/KFM”, 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007), (Gyeongju, Korea, June, 2007) J-R22W, pp. 251-254.
  225. K. Okuyama, K. Makihara, A. Ohta, H. Murakami, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Impact of Boron Doping to Si Quantum Dots on Light Emission Properties”, 2007 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2007), (Gyeongju, Korea, June, 2007) J-R23M, pp. 135-138.
  226. K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, H. Murakami, R. Matsumoto, E. Ikenaga, M. Kobata, J. Kim, S. Higashi and S. Miyazaki, “Phosphorus Doping to Si Quantum Dots for Floating Gate Application”, 2007 Silicon Nanoelectronics Workshop, (Kyoto, June, 2007) 5-3, pp. 161-162.
  227. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Electrical Charging Characteristics”, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), (Marseille, France, May, 2007) 22P 2-15, pp. 313-314.
  228. T. Sakata, K. Makihara, H. Deki, S. Higashi and S. Miyazaki, “Low Temperature High-rate Growth of Crystalline Ge Films on Quartz and Crystalline Si Substrates from VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4”, 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), (Marseille, France, May, 2007) 21P1-7, pp. 214-215.
  229. K. Makihara, K. Shimanoe, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of Ni Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma”, The European Materials Research Society (E-MRS) 2007 Spring Meeting, (Strasbourg, France, May, 2007) K-3 4.
  230. K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Luminescence Study of Multiply-Stacked Structures Consisting of Impurity-Doped Si Quantum Dots and Ultrathin SiO2”, The 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Osaka, Apr., 2007) PB-5, pp. 121-122.
  231. T. Sakata, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki, “Formation of Highly-Crystallized Ge:H Films form VHF Inductively-Coupled Plasma of GeH4”, 2nd International Workshop in New Group IV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2006), (Sendai, Oct., 2006) P-21, pp. 61-62.
  232. K. Makihara, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique”, International Union Material Research Society - International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2006), (Jeju, Korea, Sep., 2006) 5-O-7, p. 82.
  233. K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Phosphorus Doping to Si Quantum Dots and Its Floating Gate Application”, 2006 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2006), (Sendai, July, 2006) 6A-5, pp.135-138.
  234. K. Makihara, T. Nagai, M. Ikeda, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Charging and Discharging Characteristics of P-doped Si Quantum Dots Floating Gate”, The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Kyoto, Apr., 2006) PB-2, pp. 67-68.
  235. K. Makihara, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazaki, “Study of Charged states of Si Quantum Dots with Ge Core”, 210th Electrochemical Society (ECS) Meeting : SiGe & Ge Materials, Processing, and Device Symposium, (Cancun, Mexico, Oct., 2006) #1425.
  236. T. Hosoi, K. Sano, M. Hino, A. Ohta, K. Makihara, H. Kaku, S. Miyazaki, and K. Shibahara, “Characterization of Sb-Doped Fully-Silicided NiSi/SiO2/Si MOS Structure”, 2005 International Semiconductor Device Research Symposium, (Bethesda, Maryland, Dec., 2005) WP-4-05-1-WP-4-05-2, pp. 244-245.
  237. T. Sakata, K. Makihara, S. Higashi and S. Miyazaki, “Growth of Crystallized Ge Films from VHF-Inductively Coupled Plasma of H2-Diluted GeH4”, 2005 International Symposium on Dry Process (DPS 2005), (jeju, Korea, Nov., 2005) 9-02, pp.233-234.
  238. J. Nishitani, K. Makihara, Y. Darma, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Experimental Evidence of Coulombic Interaction among Stored Charges in Single Si Dot as Detected By AFM/Kelvin Probe Technique”, 2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2005), (Seoul, Korea, June, 2005) A9.4, pp.177-180.
  239. K. Makihara, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “The Application of Multiple-Stacked Si Quantum Dots to Light Emitting Diodes”, 2005 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2005), (Seoul, Korea, June, 2005) A9.3, pp. 173-176.
  240. J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Light Emitting Diode with MOS Structures Containing Multiple-Stacked Si Quantum Dots”, 2005 China International Conference on Nanoscience & Technology, (Beijing, China, June) 2005, p. 126.
  241. K. Makihara, J. Xu, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Fabrication of Multiply-Stacked Structures Consisting of Si-QDs with Ultrathin SiO2 and Its Application of Light Emitting Diodes”, First International Workshop in New GroupIV Semiconductor Nanoelectronics (SiGe(C)2005), (Sendai, May, 2005) P-13, pp. 47-48.
  242. J. Nishitani, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higasi and S. Miyazaki, “Decay Characteristics of Electronic Charged States of Si Quantum Dots as Evaluated by an AFM/Kelvin Probe Technique”, Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), (Hyogo, May, 2005) 25P2-32, p.294-295.
  243. K. Makihara, J. Xu, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higasi and S. Miyazaki, “Characterization of Electronic Charged States of P-doped Si Quantum Dots Using AFM/KFM Probe”, Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), (Hyogo, May, 2005) 23D-6, p. 32-33.
  244. K. Makihara, J. Xu, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Light Emitting Devices from Multilayered Si Quantum Dots Structures”, The 2005 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (Kyoto, Apr., 2005) P-D5, pp. 93-94.
  245. K. Makihara, Y. Kawaguchi, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Fabrication of Multiple-Stacked Si Quantum Dots and Its Application to Light Emitting Diodes”, The 4th International Symposium on Nanotechnology, (Tokyo, Feb., 2005) P-3-19, pp. 168-169.
  246. K. Makihara, H. Nakagawa, M. Ikeda, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Fabrication of Multiply-Stacked Structures of Si Quantum-Dots Embedded in SiO2 by Combination of Low-Pressure CVD with Remote Plasma Treatments”, 2004 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2004), (Osaka, Oct., 2004) 28P-6-68L, pp. 216-217.
  247. K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Characterization of germanium nanocrystallites grown on quartz by a conductive AFM probe technique”, 2004 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2004), (Sasebo, June, 2004) A10.5, pp. 277-280.
  248. K. Makihara, H. Deki, H. Murakami, S. Higasi and S. Miyazaki, “Control of the Nucleation Density of Si Quantum Dots by Remote Hydrogen Plasma Treatment”, 12th Int. Conf. on Solid Films and Surface (ICSFS-12), (Hamamatsu, June, 2004) A5-2, p. 137.
  249. Y. Okamoto, K. Makihara, S. Higasi and S. Miyazaki, “Formation of Microcrystalline Germanium (μc-Ge:H) Films From Inductively-Coupled Plasma CVD”, 12th International Conference on Solid Films and Surface (ICSFS-12), (Hamamatsu, June, 2004) A2-3, p. 10.
  250. K. Makihara, Y. Okamoto, M. Ikeda, H. Murakami and S. Miyazaki, “Local Characterization of Electronic Transport in Microcrystalline Germanium Thin Films by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe”, 2003 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2003), (Busan, Korea, June, 2003) 2.4, p. 37-40. 
  251. K. Makihara, Y. Okamoto, H. Nakagawa, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, “Electrical Characterization of Ge Microcrystallites by Atomic Force Microscopy Using a Conducting Probe”, The 16th Symposium on Plasma Science for Materials (SPSM16), (Tokyo, June, 2003) B6-3, p. 115.
  252. M. Koyano , K. Takase , T. Shimizu , K. Makihara ,Y. Takahashi, Y. Takano, K. Sekizawa, and S. Katayama, “Photoluminescence of New Layered Wide Band Gap Semiconductors (LaO)CuS”, 26th Int. Conf. on Semicond. Phys., (Edinburgh, Scotland, July, 2002) p. 50.
  253. K. Takase, T. Shimizu, K. Makihara, Y. Takahashi, Y. Takano, and K. Sekizawa, “Room Temperature Ferromagnetism in Semiconductor (La1-xCaxO)Cu1-xNixS”, 26th Int. Conf. on Semicond. Phys., (Edinburgh, Scotland, July, 2002) p. 107.
  254. K. Takase, T. Shimizu, K. Makihara, Y. Takahashi, Y. Takano, K. Sekizawa, and M. Koyano, “Ferromagnetism of The Layered Oxysulfides (La1-xCaxO)Cu1-xNixS (x = 0 and x = y)”, The 8th Int. Workshop on Oxide Electronics, (Osaka, Sep., 2001) p. 34.

国内学会発表

  1. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎誠一、「XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価、」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2017-30, 信学技報, Vol. 117, No. 101, pp. 19-24. (キャンパス・イノベーションセンター東京、港区、東京都、 2017年6月20日(火) )
  2. 大田 晃生、加藤 祐介、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価、」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2017-30, 信学技報, Vol. 117, No. 101, pp. 43-48. (キャンパス・イノベーションセンター東京、港区、東京都、 2017年6月20日(火) )
  3. 伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成、」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス] シリコンテクノロジー分科会 6月度合同研究会, SDM2017-30, 信学技報, Vol. 117, No. 101, pp. 43-48. (キャンパス・イノベーションセンター東京、港区、東京都、 2017年6月20日(火) )
  4. 伊藤 公一、大田 晃生、黒澤 昌志、洗平 昌晃、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 14a-318-4, 13-043 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  5. 山本 泰史、田岡 紀之、大田 晃生、グェンスァンチュン、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一、「リモート酸素プラズマによるGaN表面酸化」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-315-1, 12-156 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  6. グェンスァンチュン、田岡 紀之、大田 晃生、山本 泰史、山田 永、高橋 言緒、池田 弥央、牧原 克典、清水 三聡、宮崎 誠一、「リモートプラズマ支援 CVD SiO2/GaN の界面特性」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-315-7, 12-162 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  7. 高 磊、池田 弥央、山田 健太郎、牧原 克典、大田 晃生、宮崎 誠一、「Si 細線構造への高密度 Si 量子ドット形成と発光特性」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-P12-2, 12-202 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  8. 藤村 信幸、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「XPSによるHfO2の電子親和力と界面ダイポールの定量」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-413-10, 12-272 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  9. 大田 晃生、村上 秀樹、池田 弥央、牧原 克典、池永 英司、宮崎 誠一、「硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペランド分析 -電位変化および化学結合状態評価-」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-413-4, 12-265 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  10. 加藤 祐介、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一、「Tiナノドットを埋め込んだSiOx膜の電気抵抗変化特性-定電圧および定電流印加による特性制御-」 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-419-10, 05-261 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  11. 山田 健太郎、牧原 克典、池田 弥央、大田 晃生、宮崎 誠一、「Ge コアSi 量子ドットの発光特性評価」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-E206-11, 12-425 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  12. 中島 裕太、竹内 大智、牧原 克典、大田 晃生、池田 弥央、宮崎 誠一、「硬X線光電子分光を用いたSi量子ドット多重集積構造の電位分布評価」 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-E206-9, 12-423 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  13. 渡辺 浩成、大田 晃生、池田 弥央、牧原 克典、森 大輔、寺尾 豊、宮崎 誠一、「ドライおよびN2O酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子占有欠陥評価」2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17a-301-7, 13-244 (パシフィコ横浜, 横浜市, 神奈川県, 2017年3月14日-17日)
  14. 藤村信幸、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「X線光電子分光法による極薄酸化物積層構造の電位変化・ダイポール評価、」 電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会), (於 東レ研修センター) , P-20, 1月2017年
  15. グェンチュンスァン、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「光電子分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaNの化学結合状態および電子占有欠陥評価、」電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第22回研究会), (於 東レ研修センター) , P-25, 1月2017年
  16. 大田晃生、村上秀樹、池田弥央、牧原克典、池永英司、宮崎誠一、「HAXPES によるSi-MOS キャパシタの化学結合状態および内部電位の深さ方向分析、」2016真空・表面科学合同講演会, (於 名古屋国際会議場), 2PB36, 12月2016年
  17. 渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、森大輔、寺尾豊、宮崎誠一, 「熱酸化SiO2/4H-SiC Si面およびC面の電子占有欠陥および化学構造評価」第16回日本表面科学会中部支部学術講演会, (於 名古屋大学), 講演番号4, 12月2016年
  18. 藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一, 「HfO2/SiO2/Si構造の光電子分光分析-界面ダイポールの定量-」第16回日本表面科学会中部支部学術講演会, (於 名古屋大学), 講演番号3, 12月2016年
  19. 中島裕太、大田晃生、竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一, 「Si系量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性」2016真空・表面科学合同講演会, (於 名古屋国際会議場), P219, 12月2016年
  20. 高磊、竹内大智、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一, 「Si細線構造への高密度Si量子ドット形成」, 2016真空・表面科学合同講演会, (於 名古屋国際会議場), 1PB15, 12月2016年
  21. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「IV 族半導体上に蒸着したAg 薄膜の化学構造評価と反応制御」第36回 表面科学学術講演会,(於 名古屋国際会議場),P154,11月2016年
  22. 加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「シリコン酸化薄膜の電気抵抗スイッチングおよび欠陥準位密度評価」第36回表面科学学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 2PA30, 11月2016年
  23. グェン スァンチュン, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一, 「光電子収率分光法によるリモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の電子占有欠陥評価」, 第4回応用物理学会SC東海地区学術講演会 (名古屋大学) 10月2016年
  24. 藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるSiO2/SiおよびHfO2/SiO2界面のダイポールの定量」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P9, 10月2016年
  25. 伊藤公一、大田晃生、黒澤昌志、洗平昌晃、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、「SiおよびSiGe上に形成したAg表面の化学分析」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016,(於 名古屋大学),P19,10月2016年
  26. 山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一, 「XPSを用いたSiO2およびGeO2の誘電関数・光学定数の評価手法の検討」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P61, 10月2016年
  27. 加藤祐介、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「Ti薄膜およびTiナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Niの電気抵抗スイッチング」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P10, 10月2016年
  28. 渡辺浩成、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一,「光電子分光分析によるSiO2/4H-SiCの電子状態評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2016, (於 名古屋大学), P11, 10月2016年
  29. 竹内大智、山田健太郎、牧原克典、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドット/Si量子ドット多重集積構造のEL特性」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 13p-A35-13, 9月2016年
  30. グェンスァン チュン,大田 晃生,牧原 克典,池田 弥央,宮崎 誠一,「リモートプラズマCVD SiO2/GaN界面の光電子分光分析」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 16a-B1-11, 9月2016年
  31. 藤村信幸、大田晃生、池田弥生、牧原克典、宮崎誠一,「HfO2/SiO2/Si(100)構造における内部電位分布、界面ダイポールの定量評価」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 15a-B9-4, 9月2016年
  32. 山田 健太郎、池田 弥央、牧原 克典、宮崎 誠一, 「GeコアSi量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 15p-B2-5, 9月2016年
  33. 山本泰史、大田晃生、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 15p-B9-13, 9月2016年
  34. 王亜萍、竹内大智、池田弥央、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ta酸化物ナノドットの高密度・一括形成 (II) 」第77回応用物理学会秋季学術講演会, (於 朱鷺メッセ), 14a-D62-8, 9月2016年
  35. 河瀨平雅、牧原克典、大田晃生 、池田弥央、宮崎誠一,「FePtナノドットスタック構造における磁場印加後の電気伝導特性評価」第77回秋季応用物理学会, (於 朱鷺メッセ), 14a-D62-7, 9月2016年
  36. 渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「4H-SiC Si面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価」第77回秋季応用物理学会, (於 朱鷺メッセ), 16a-C302-4, 9月2016年
  37. グェンスァンチュン, 藤村信幸, 竹内大智, 大田晃生, 牧原克典, 池田弥央, 宮崎誠一,「リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成」, シリコン材料・デバイス研究会(SDM), (於 キャンパス・イノベーションセンター東京), 6月2016年
  38. 藤村信幸、大田晃生、渡辺浩成、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量」電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス], (於 キャンパス・イノベーションセンター東京), SDM2016-40, 6月2016年
  39. グェンスァンチュン, 竹内大智, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一, 「リモート水素プラズマ照射による4H-SiC(0001)の表面改質」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於 東レ研修センター), P-25, 1月2016年
  40. 藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Si, 4H-SiCおよびSiO2の価電子帯上端位置と電子親和力の評価」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於 東レ研修センター), P-25, 1月2016年
  41. 加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「SiOx膜へのTiナノドットの埋め込みがその抵抗変化特性に与える影響」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於 東レ研修センター), P-24, 1月2016年
  42. 渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「SiO2/4H-SiC構造の電子障壁高さの決定と欠陥準位密度の深さ方向分析」電子デバイス界面テクノロジー研究会 (第21回研究会), (於 東レ研修センター), P-19, 1月2016年
  43. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一, 「Si量子ドット多重集積構造からの電子放出特性評価」第15回日本表面科学会中部支部研究会, (於 名古屋工業大学), 18, 12月2015年
  44. 張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFe3Siナノドットの結晶構造および磁化特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), P19, 11月2015年
  45. 藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「XPSによるSi系材料の電子親和力決定手法の検討」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), P17, 11月2015年
  46. 近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットからのフォトルミネッセンス特性―温度依存性」応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015, (於 名古屋大学), P18, 11月2015年
  47. 加藤祐介、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Tiナノドットの高密度一括形成とその埋め込みによる抵抗変化特性の向上」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), B9, 11月2015年
  48. 渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一, 「X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiCエネルギーバンドプロファイルの決定」応用物理学会SC東海地区学術講演会2015, (於 名古屋大学), P18, 11月2015年
  49. 張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFeシリサイドナノドットの構造および磁化特性評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2R-2, 9月2015年
  50. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一,「P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2D-6, 9月2015年
  51. 藤村信幸、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「X線光電子分光法によるSiおよびSiO2の価電子帯上端位置の決定」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2D-9, 9月2015年
  52. 近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットからの発光スペクトル―温度依存性」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16a-2D-5, 9月2015年
  53. 満行優介、大田晃央、牧原克典、宮崎誠一,「KFMによるFePtナノドットスタック構造の局所帯電評価」第75回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場),14a-2Q-4, 9月2015年
  54. 加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ni/SiOx/Ti Nanodots/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 15a-2H-3, 9月2015年
  55. 河瀨平雅、満行優介、大田晃生 、牧原克典 、宮崎誠一,「外部磁場が高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性に及ぼす影響」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 14a-2Q-3, 9月2015年
  56. 渡辺浩成、大田晃生、藤村信幸、牧原克典、宮崎誠一,「ウェット酸化により形成したSiO2/4H-SiCの電子状態評価」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 16-1A-1, 9月2015年
  57. 王亜萍、竹内大智、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ta酸化物ナノドットの高密度一括形成」第76回応用物理学会秋季学術講演会, (於 名古屋国際会議場), 14a-2Q-2, 9月2015年
  58. 加藤祐介、荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性」電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2015-46, 6月2015年
  59. 渡辺浩成、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価」電子情報通信学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2015-44, 6月2015年
  60. 大田晃生、渡邊浩成、グェンスァンチュン、牧原克典、宮崎誠一,「光電子収率分光法によるSiO2/SiC構造の電子状態計測(2)」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 13a-B4-4, 3月2015年
  61. 王亜萍、牧原克典、大田晃生、竹内大智、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるTaナノドットの高密度一括形成」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11a-A20-4, 3月2015年
  62. グェンスァンチュン、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ処理した4H-SiC表面の化学構造および電子状態分析」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 13a-B4-5, 3月2015年
  63. 壁谷悠希、満行優介、張海、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「高密度FePtナノドットスタック構造の電子輸送特性」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 12p-A20-7, 3月2015年
  64. 張海、牧原克典、大田晃生、壁谷悠希、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度一括形成と磁化特性評価」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 13a-A25-10, 3月2015年
  65. 近藤圭悟、牧原克典、宮崎誠一,「P添加がGeコアSi量子ドットのPL特性に及ぼす影響」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11a-A27-12, 3月2015年
  66. 山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「不純物添加がSi量子ドット多重集積構造のEL特性に及ぼす影響」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11p-A25-12, 3月2015年
  67. 満行優介、壁谷悠希、張海、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「外部磁場がFePt合金ナノドットへの電子注入特性に及ぼす影響」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 12p-A20-8, 3月2015年
  68. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性評価」第62回春季応用物理学会, (於 東海大学), 11a-A27-12, 3月2015年
  69. 張海、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドナノドットの高密度一括形成」第14回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋大学) , 20, 12月2014年
  70. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Mnナノドットを埋め込んだSiOx-Ni電極MIMダイオードの抵抗変化特性」第14回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋大学) , 20, 12月2014年
  71. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Si-rich酸化膜へのMnナノドット埋め込みが抵抗変化特性へ及ぼす影響」ゲートスタック研究会 (第20回研究会), (於 東レ研修センター), P-7, 1月2015年
  72. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「Si量子ドット多重集積構造からの電界電子放出特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), A4, 11月2014年
  73. 壁谷悠希、張海、福岡諒、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「CoPt合金ナノドット/極薄SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), A11, 11月2014年
  74. グェンスァンチュン、大田晃生、竹内大智、牧原克典、宮崎誠一,「リモートH2プラズマ処理が4H-SiC(0001)の表面マイクロラフネス及び欠陥準位密度に与える影響」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), B16, 11月2014年
  75. 近藤圭悟、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P18, 11月2014年
  76. 山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P19, 11月2014年
  77. 張海、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeシリサイドドットの高密度形成」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P26, 11月2014年
  78. 満行優介、張海、牧原克典、大田晃生、徳岡良浩、加藤剛志、岩田聡、宮崎誠一,「FePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P27, 11月2014年
  79. 加藤祐介、劉冲、荒井崇、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一,「Niナノドットを電極に用いたSiOx-ReRAMの抵抗変化特性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P28, 11月2014年
  80. 荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Mnナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2014, (於 名古屋大学), P29, 11月2014年
  81. 大田晃生、竹内大智、グェンスァンチュン、牧原克典、宮崎誠一,「光電子収率分光法によるSiO2/SiC界面の電子状態計測」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 18p-A17-2, 9月2014年
  82. 山田敬久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A15-5, 9月2014年
  83. 温映輝、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるMn-Ge系ナノドットの高密度一括形成」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A6-16, 9月2014年
  84. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Mnナノドット埋め込みSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 20a-A10-3, 9月2014年
  85. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一,「P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A15-4, 9月2014年
  86. 壁谷悠希、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「FePtナノドット/極薄SiO2層における電子輸送特性の外部磁場依存性」第75回秋季応用物理学会, (於 北海道大学), 19p-A6-15, 9月2014年
  87. 浜田慎也、村上秀樹、小野貴寛、橋本邦明、大田晃生、花房宏明、東清一郎、宮崎誠一, 「Ge 基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2014-48, 6月2014年
  88. 荒井崇、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Mnナノドットを埋め込んだNi/SiOx/Ni構造の抵抗変化特性」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー), SDM2014-50, 6月2014年
  89. 大田晃生、劉冲、荒井崇、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一,「ナノドットを電極に用いたNi/SiOx/Niダイオードの抵抗変化特性評価」電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2014-56, 6月2014年
  90. 壁谷悠希、張海、福岡諒、牧原克典、宮崎誠一、「磁性AFM探針を用いたCoPt合金ナノドットの電子輸送特性評価-外部磁場依存性」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 17a-F10-3, 3月2014年
  91. 劉冲、荒井崇、大田晃生、竹内大智、張海、牧原克典、宮崎誠一、「Niナノドット電極を用いたSiOx薄膜の抵抗変化特性」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 17p-PG2-2, 3月2014年
  92. 福岡諒、張海、牧原克典、大田晃生、徳岡良浩、加藤剛志、岩田聡、宮崎誠一、「FePt合金ナノドットの構造および磁化特性評価」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 18a-F11-2, 3月2014年
  93. 荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Mnナノドットを埋め込んだSiOx MIM構造の局所電気伝導解析」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 18p-PA11-4, 3月2014年
  94. 恒川直輝、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「AFM/KFMによる自己整合一次元連結Si量子ドットの局所帯電評価」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19a-D9-11, 3月2014年
  95. 温映輝、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるMnおよびMnジャーマナイドナノドットの高密度一括形成」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-10, 3月2014年
  96. 近藤圭悟、鈴木善久、牧原克典、池田弥央、小山剛志、岸田英夫、宮崎誠一、「P添加GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-11, 3月2014年
  97. 荒井崇、劉冲、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Mnナノドットを埋め込んだSiOx 膜の抵抗変化特性」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-E8-11, 3月2014年
  98. 張海、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度形成」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D3-12, 3月2014年
  99. 山田敬久、牧原克典、鈴木善久、池田弥央、宮崎誠一、「P/N制御Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-12, 3月2014年
  100. 竹内大智、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、「導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価(Ⅱ)」第61回春季応用物理学会, (於 青山学院大学), 19p-D9-13, 3月2014年
  101. 牧原 克典、宮崎 誠一、「金属合金化反応制御による強磁性ナノドットの高密度・自己組織化形成」名古屋大学ナノテクノロジープラットフォーム第1回合同シンポジウム~中部ものづくりは名大から~, (名古屋大学), 2月2014年
  102. 大田 晃生、村上 秀樹、牧原 克典、宮崎 誠一、「光電子エネルギー損失信号による極薄酸化物のエネルギーバンドギャップの決定手法の再検討」ゲートスタック研究会 (第19回研究会), (於ニューウェルシティー湯河原), P-16, 1月2014年
  103. 荒井 崇、大田 晃生、福嶋 太紀、牧原 克典、宮崎 誠一、「SiOx/TiO2積層したTi電極MIMダイオードの抵抗スイッチング」第13回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋工業大学) , 10, 12月2013年
  104. 張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度・一括形成」第13回日本表面科学会中部支部研究会,(於 名古屋工業大学) , 12, 12月2013年
  105. 山田 敬久、牧原 克典、鈴木 善久、宮崎 誠一、「B添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), A3, 11月2013年
  106. 壁谷 悠希、張 海、福岡 諒、牧原 克典、宮崎 誠一、「外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電気伝導特性に及ぼす影響」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), A9, 11月2013年
  107. 鈴木 善久、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「一次元連結Si系量子ドットの電界発光減衰特性」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P1, 11月2013年
  108. 恒川 直輝、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「AFM/KFMによる一次元連結・高密度Si系量子ドットにおける帯電電荷の経時変化計測」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P2, 11月2013年
  109. 竹内 大智、牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、可貴 裕和、林 司、「導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P3, 11月2013年
  110. 張 海、福岡 諒、壁谷 悠希、牧原 克典、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度・一括形成」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P21, 11月2013年
  111. 福岡 諒、張 海、牧原 克典、宮崎 誠一、「リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度・一括形成と磁化特性評価」応用物理学会SC東海地区学術講演会2013, (於 名古屋大学), P22, 11月2013年
  112. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20a-C9-5, 9月2013年
  113. 張海、福岡諒、壁谷悠希、牧原克典、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるSiO2上へのFeナノドットの高密度形成」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20a-C11-4, 9月2013年
  114. 鈴木善久、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、「バイアス印加が一次元連結Si系量子ドットのPL特性に及ぼす影響」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 20a-C9-3, 9月2013年
  115. 壁谷悠希、福岡諒、張海、牧原克典、宮崎誠一、「外部磁場印加がCoPt合金ナノドットの電子輸送特性に及ぼす影響」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 19p-C11-4, 9月2013年
  116. 福岡諒、張海、壁谷悠希、恒川直輝、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるFePt合金ナノドットの高密度形成と磁化特性評価」第74回秋季応用物理学会, (於 同志社大学), 19p-C11-3, 9月2013年
  117. 牧原克典、福岡諒、張海、壁谷悠希、大田晃生、宮崎誠一,「リモートH2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価 」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 機械振興会館),SDM2013-53,6月2013年
  118. 大田晃生、福嶋太紀、牧原克典、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 機械振興会館),SDM2013-56,6月2013年
  119. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司、「導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶/柱状Siナノ構造の電子放出特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-B8-3, 3月2013年
  120. 福岡諒、張海、壁谷悠希、牧原克典、大田晃生、宮崎誠一、「リモート水素プラズマ支援によるCoPt合金ナノドットの高密度形成」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-B8-7, 3月2013年
  121. 壁谷悠希、張海、福岡諒、牧原克典、宮崎誠一、「CoPt合金ナノドットの帯磁特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-B8-8, 3月2013年
  122. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、「Ti電極MIMダイオードにおけるSiOx/TiO2多重積層の抵抗変化特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 27p-F2-15, 3月2013年
  123. 盧義敏、高金、牧原克典、酒池耕平、藤田悠二、池田弥央、大田晃生、東清一郎、宮崎誠一、「Niナノドットによる初期核発生制御を活用した高結晶性Si:H/Ge:Hヘテロ結合の低温堆積」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 28a-A3-9, 3月2013年
  124. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司、「非接触AFMによるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出メカニズム解析」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-4, 3月2013年
  125. 鈴木善久、牧原克典、高見弘貴、池田弥央、宮崎誠一、「パルスバイアス印加が一次元連結 Si 系量子ドットの電界発光に及ぼす影響」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-5, 3月2013年
  126. 牧原 克典、池田 弥央、宮崎 誠一、「自己組織化形成Si 系量子ドットの選択成長」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-6, 3月2013年
  127. 新美博久、 牧原克典、 池田弥央、 宮崎誠一、「縦積み連結 Si 系量子ドットの超高密度集積構造における電子輸送特性」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-9, 3月2013年
  128. 山田 敬久、牧原 克典、高見 弘貴、鈴木 善久、池田 弥央、宮崎 誠一、「多重集積したB 添加量子ドットのエレクトロルミネッセンス特性評価」第60回春季応用物理学会, (於 神奈川工科大学), 29a-G6-10, 3月2013年
  129. 福島太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一, 「スパッタ形成したTiN/SiOx/TiNダイオードの電気抵抗スイッチング特性評価」ゲートスタック研究会(第18回研究会),(於 湯河原), 1月2013年
  130. 大田晃生、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 「スパッタ形成したPt/SiOx/Pt構造の光電子分光分析」ゲートスタック研究会(第18回研究会),(於 湯河原), 1月2013年
  131. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司, 「導電性AFM探針を用いたSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出検出」,第12回日本表面科学会中部支部研究会, (於名城大学), 23, 12月2012年
  132. 福島太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一, 「Ti系電極を用いたSiOx膜の化学構造分析と抵抗スイッチング特性評価」,応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], (於 岐阜大学), P-06, 9月2012年
  133. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司, 「導電性AFM探針による極薄Au/柱状Siナノ構造からの電子放出検出」,応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], (於 岐阜大学), P-07, 9月2012年
  134. 張海、市村正也、牧原克典、宮崎誠一, 「溶液ペーストによる無機材料を用いた太陽電池の作製」, 応用物理学会・東海支部第19回基礎セミナー [透明導電膜-基礎から応用-], (於 岐阜大学), P-13, 9月2012年
  135. 高金、牧原克典、池田弥央、福嶋太紀、宮崎誠一,「NiナノドットがGe:H薄膜堆積及び電気伝導特性に及ぼす影響」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 12a-F7-7, 9月2012年
  136. 高金、牧原克典、高見弘貴、竹内大智、酒池耕平、林 将平、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一,「導電性AFM探針によるNiナノドット上に形成した高結晶性Ge:H薄膜の局所伝導評価」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 12a-F7-8, 9月2012年
  137. 張海、市村正也、牧原克典、宮崎誠一,「溶液ペーストによるCuO/ZnOヘテロ構造太陽電池の作成」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13a-H8-18, 9月2012年
  138. 恒川直輝、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「AFM/KFMによる一次元連結Si系量子ドットの帯電電荷分布計測」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-12, 9月2012年
  139. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司,「導電性AFM探針によるSiナノ結晶/柱状Siナノ構造からの電子放出検出」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-14, 9月2012年
  140. 鈴木善久、牧原克典、高見弘貴、池田弥央、宮崎誠一,「パルスバイアス印加による一次元連結Si系量子ドットの電界発光評価」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-16, 9月2012年
  141. 高見弘貴、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「電圧パルス幅が一次元連結Si系量子ドットダイオード構造のEL特性に及ぼす影響」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 13p-F5-18, 9月2012年
  142. 福嶋太紀、太田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ti系電極を用いたSiリッチ酸化層の抵抗変化特性評価」,第73回秋季応用物理学会, (於 愛媛大学), 14a-C13-6, 9月2012年
  143. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Pt/SiOx/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-1,6月2012年
  144. 池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-3,6月2012年
  145. 村上秀樹、三嶋健斗、大田晃生、橋本邦明、東清一郎、宮崎誠一,「TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-7,6月2012年
  146. 大田晃生、松井真史、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-12,6月2012年
  147. 小野貴寛、大田晃生、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析」,電気通信情報学会(SDM) [シリコン材料・デバイス],(於 名古屋、名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),SDM2012-14,6月2012年
  148. [招待講演]牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用」,シリコン材料・デバイス研究会(SDM)/電子デバイス研究会(ED)/電子部品・材料研究会(CPM) [結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)],(於 豊橋、豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),ED2012-17,5月2012年
  149. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林 司,「柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価」,シリコン材料・デバイス研究会(SDM)/電子デバイス研究会(ED)/電子部品・材料研究会(CPM) [結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)],(於 豊橋、豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー),ED2012-36,5月2012年
  150. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Ptナノドット電極を用いたSiOx膜の抵抗変化特性評価」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16p-F6-12, 3月2012年
  151. 福嶋太紀、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一,「Pt/SiOx/TiNダイオード構造の抵抗変化特性評価」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16p-F6-11, 3月2012年
  152. 高見弘貴、牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一,「一次元連結Si系量子ドットのEL特性評価」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-5, 3月2012年
  153. 高金、牧原克典、酒池耕平、林将平、出木秀典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一,「GeH4 VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜堆積―Niナノドットを用いた結晶核発生制御―」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-B6-5, 3月2012年
  154. 牧原克典、山根雅人、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一,奨励賞受賞記念講演:「熱プラズマジェットを用いたミリ秒熱処理によるPt およびPt シリサイドナノドットの形成とフローティングゲートメモリ応用」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-B3-1, 3月2012年
  155. 竹内大智、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司,「導電性AFM 探針による極薄Au/柱状Si ナノ構造の局所電気伝導評価」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-A1-4, 3月2012年
  156. 牧原克典、恒川直輝、池田弥央、宮崎誠一,「AFM/KFM による一次元連結・高密度Si 系量子ドットの帯電状態の経時変化計測」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-8, 3月2012年
  157. 牧原克典、池田弥央、宮崎誠一,「一次元縦積み連結Si 系量子ドットの室温共鳴トンネル伝導」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18p-A1-7, 3月2012年
  158. 池田弥央、牧原克典、宮崎誠一,「Si 量子ドット/NiSi ナノドットハイブリッドフローティングゲートにおける光励起電子のパルス電圧応答」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 18a-GP6-11, 3月2012年
  159. 大田晃生、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一,「Pt/SiOx/Pt 構造における抵抗変化特性」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16p-F6-10, 3月2012年
  160. 近藤博基、安田幸司、牧原克典、宮崎誠一、平松美根男、関根誠、堀勝,「走査プローブ顕微鏡によるカーボンナノウォールの初期成長過程の解明」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-A3-11, 3月2012年
  161. 大塚慎太郎、古屋沙絵子、清水智弘、新宮原正三、牧原克典、宮崎誠一、渡辺忠孝、高野良紀、高瀬浩一,「酸化アルミニウムを用いた抵抗変化メモリのスイッチング電圧のばらつき抑制」,第59回春季応用物理学会, (於 早稲田大学), 16a-A3-11, 3月2012年
  162. 牧原克典、池田弥央、山根雅人、東清一郎、宮崎誠一, 「プラズマジェット急速熱処理による高密度Ptナノドット形成とフローティングゲートメモリ応用」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2p-ZQ-3, 9月2011年
  163. 牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一, 「KFMによる微結晶ゲルマニウム薄膜の局所帯電評価」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 1p-J-9, 9月2011年
  164. 高金、牧原克典、大田晃生、池田弥央、宮崎誠一、可貴裕和、林司, 「導電性AFMによる柱状Siナノ構造における電気伝導特性評価」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2a-J-2, 9月2011年
  165. 高見弘貴、牧原克典、出木秀典、池田弥央、宮崎誠一, 「一次元連結・高密度Si系量子ドットにおけるEL発光」,第72回秋季応用物理学会, (於 山形大学), 2a-J-3, 9月2011年
  166. 牧原克典、池田弥央、大田晃生、川浪彰、宮崎誠一, 「自己整合一次元連結Si量子ドットの形成」,第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 14p-ZD-8, 9月2010年
  167. 松本竜弥、東清一郎、牧原克典、赤澤宗樹、宮崎誠一, 「微小融液滴下による疑似エピタキシャルGe / Siの形成」,第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 16p-ZD-4, 9月2010年
  168. 池田弥央、中西翔、森澤直也、川浪彰、牧原克典、宮崎誠一,「PtSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける多段階電子注入特性」,第71回秋季応用物理学会, (於 長崎大学), 17p-ZE-2, 9月2010年
  169. 牧原克典、池田弥央、大田晃生、川浪彰、宮崎誠一, 「Si熱酸化膜上へのGe量子ドットの高密度形成」,第57回春季応用物理学会, (於 東海大学), 19a-C-4 , 3月2010年
  170. 川浪彰、牧原克典、池田弥央、芦原龍平、宮崎誠一, 「Coナノドットの帯電および帯磁評価」,第57回春季応用物理学会, (於 東海大学), 19a-C-5, 3月2010年
  171. 森澤直也、池田弥央、中西翔、川浪彰、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, 「Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッドフローティングゲートの光応答特性」, 第57回春季応用物理学会, (於 東海大学), 17p-B-1, 3月2010年
  172. 芦原龍平, 牧原克典、川浪彰、池田弥央、大田晃生、宮崎誠一,「リモート水素プラズマ支援によるPtAlナノドットの形成」, 第57回春季応用物理学会, (於 東海大学), 19a-C-3, 3月2010年
  173. 宮崎裕介、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一,「Pt/a-Ge:Hのリモート水素プラズマ処理によるPtGe薄膜形成」,第57回春季応用物理学会, (於 東海大学), 17a-D-9, 3月2010年
  174. 大田晃生、牧原克典、宮崎誠一、櫻庭政夫、室田淳一, 「SiO2/Si/SiGe0.5/Siヘテロ構造の価電子帯オフセット評価」, 第57回春季応用物理学会, (於 東海大学), 18p-C-6 , 3月2010年
  175. 尉国浜、大田晃生、牧原克典、宮崎誠一, 「The Effect of Anneal Ambient on Resistive Switching Properties with Pt/TiO2/Pt Structure」, 第57回春季応用物理学会, (於 東海大学), 17p-B-8, 3月2010年
  176. Siti Kudnie Sahari、村上秀樹、藤岡知宏、坂東竜也、大田晃生、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, 「Temporal Change in the Native Oxidation of Chemically-cleaned Ge(100) Surfaces」, 第57回春季応用物理学会, (於 東海大学), 18p-P9-2, 3月2010年
  177. 村口正和、高田幸宏、櫻井蓉子、野村晋太郎、白石賢二、牧原克典、池田弥央、宮崎誠一、重田育照、遠藤哲郎, 「2次元電子ガス―量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察」, 日本物理学会第65回年次大会, (於 岡山大学), 21aHV-13, 3月2010年
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  181. 中西 翔、池田弥央、森澤直也、牧原克典、川浪彰、東清一郎、宮崎誠一, NiSiナノドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートにおける電荷注入・放出特性, 第70回秋季応用物理学会, 9a-TA-8, 富山, 9月2009年
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  183. S. Mahboob,K. Makihara,M. Ikeda,S. Higashi,S. Miyazaki,Y. Hata and A. Kuroda, Surface Potential Changes Induced by Physisorption of Silica Binding Protein-Protein A on Thermally Grown SiO2/Si(111) Surface, 第56回春季応用物理学会, 31p-ZA-9, 茨城, 3月2009年
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  185. 島ノ江和広、川浪 彰、藤本淳仁、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, リモートプラズマ支援による金属ナノドット形成メカニズム, 第56回春季応用物理学会, 2a-P17-11, 茨城, 3月2009年
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  189. 村口正和、遠藤哲郎、宮崎誠一、牧原克典、池田弥央、野村晋太郎、櫻井蓉子、高田幸宏、白石賢二, 少数電子で動く未来デバイスの姿 –量子電子ダイナミクスからのメッセージ- , 第56回春季応用物理学会, 1p-ZT-9, 茨城, 3月2009年
  190. 村口正和、遠藤哲郎、櫻井蓉子、野村晋太郎、高田幸宏、白石賢二、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、斉藤慎一, 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII, 日本物理学会第64回年次大会, 東京, 3月2009年
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  192. 高田幸宏、櫻井蓉子、村口正和、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、遠藤哲郎、野村晋太郎、白石賢二, 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造Ⅱ, 日本物理学会第64回年次大会, 東京, 3月2009年
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  195. 高田幸宏、村口正和、櫻井蓉子、野村晋太郎、池田弥央、牧原克典、宮崎誠一、白石賢二, シリコン量子ドットフローティングゲート型メモリの理論的考察, 第69回秋季応用物理学会, 3a-E-10, p.764, 名古屋, 9月2008年
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  223. 西原良祐、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, AFM/KFMによるNiSiドットの帯電状態評価, 応用物理学会2006年度中国四国支部例会, B-a-6, p.119, 徳島, 8月2006年
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  225. 西谷純一郎、牧原克典、川口恭裕、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO2多重集積構造の帯電電荷分布計測, 第53回春季応用物理学会, 22p-V-7, p.818, 東京, 3月2006年
  226. 牧原克典、永井武志、池田弥央、川口恭裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 価電子制御したSi量子ドットフローティングにおける電荷注入・放出特性, 第53回春季応用物理学会, 24p-X-12, p.924, 東京, 3月2006年
  227. 牧原克典、池田弥央、永井武志、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, Fabrication of Multiply-Stacked Si Quantum Dots for Floating Gate MOS Devices, The 16th Symposium of The Materials Research Society of Japan, G1-011-D, p.168, 東京, 11月, 2005年
  228. 坂田務、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, GeH4VHF-ICPからの高結晶性Ge:H薄膜の高速堆積, 第66回秋季応用物理学会, 11a-M-10, p.786, 徳島, 9月2005年
  229. 持留雅志、西谷純一郎、牧原克典、多比良昌弘、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによるNiSiドットの帯電状態評価, 第66回秋季応用物理学会, 7p-P3-4, p.650, 徳島, 9月2005年
  230. 西谷純一郎、牧原克典、池田弥央、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによる孤立Si量子ドットの電荷保持特性評価, 第66回秋季応用物理学会, 7p-P3-3, p.649, 徳島, 9月2005年
  231. 牧原克典、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによるBドープSi量子ドットの帯電状態評価”, 第66回秋季応用物理学会, 7p-P3-2, p.649, 徳島, 9月2005年
  232. 牧原克典、徐駿、川口恭裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによるPドープSi量子ドットの帯電状態評価, 応用物理学会2005年度中国四国支部例会, Fp-6, p.119, 島根, 7月2005年
  233. J. Xu, K. Makihara, H. Deki, Y. Kawaguchi, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki, Electronically-Driven Light Emitting Diode Based on Si Quantum Dots Multilayers, 第52回春季応用物理学会, 30p-ZC-12, p.878, 東京, 3月2005年
  234. 西谷純一郎、牧原克典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, , AFM/ケルビンプローブによるSi量子ドットの電荷保持特性評価, , 第52回春季応用物理学会, 30p-ZC-9, p.877, 東京, 3月2005年
  235. 牧原克典、徐駿、川口恭裕、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによるPドープSi量子ドットの帯電状態評価, 第52回春季応用物理学会, 30p-ZC-10, p.877, 東京, 3月2005年
  236. 岡本祥裕、牧原克典、東清一郎、宮崎誠一, ICPプラズマによる微結晶Ge:H膜成長制御-アモルファスインキュベーション層の堆積速度依存性, 第65回秋季応用物理学会, 1p-ZB-12, p.1014, 仙台, 9月2004年
  237. 牧原克典、中川博、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, ドライ一貫プロセスによる高密度Siドット/SiO2立体積層構造の作成, 第65回秋季応用物理学会, 1p-ZC-10, p.662, 仙台, 9月2004年
  238. 牧原克典、出木秀典、池田弥央、東清一郎、宮崎誠一, リモート水素及び酸素プラズマ前処理によるSiドット核密度制御, 第65回秋季応用物理学会, 3a-B-3, p.664, 仙台, 9月2004年
  239. 岡本祥裕、牧原克典、Kosku Nihan、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 誘導結合型GeH4プラズマによる微結晶ゲルマニウム (μc-Ge:H) 膜の形成, 第51回春季応用物理学会, 29p-YC-6, p.813, 東京, 3月2004年
  240. 牧原克典、出木秀典、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, リモート水素プラズマ処理によるSiドット核密度制御, 第51回春季応用物理学会, 31p-B-4, p.853, 東京, 3月2004年
  241. 牧原克典、柴口拓、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, AFM/ケルビンプローブによる高密度Si量子ドットの帯電状態評価, 第51回春季応用物理学会, 31a-ZG-10, p.839, 東京, 3月2004年
  242. 岡本祥裕、牧原克典、Kosku Nihan、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 誘導結合型GeH4プラズマによる微結晶ゲルマニウム (μc-Ge:H) 膜堆積, 第64回秋季応用物理学会, 2a-ZF-5, p.844, 福岡, 9月2003年 
  243. 牧原克典、岡本祥裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 導電性AFM探針による結晶性ゲルマニウム薄膜の伝導評価, 第64回秋季応用物理学会, 2a-ZF-6, p.834 福岡, 9月2003年
  244. 牧原克典、岡本祥裕、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, , 微結晶ゲルマニウムの局所電気伝導評価, 応用物理学会2003年度中国四国支部例会, DA-5, p.71, 山口, 8月2003年
  245. 岡本祥裕、牧原克典、村上秀樹、東清一郎、宮崎誠一, 誘導結合型プラズマCVD法による結晶性ゲルマニウム膜の形成, 応用物理学会2003年度中国四国支部例会, DA-4, p.70, 山口, 8月2003年
  246. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウムの局所電気伝導評価, 第50回春季応用物理学会, 27 a11-M9, p.975, 東京, 3月2003年
  247. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム(μc-Ge:H)の核形成及び成長評価, 第20回プラズマプロセシング研究会, P2-48, p.321, 長岡, 1月2003年
  248. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, 導電性AFMカンチレバーを用いた微結晶ゲルマニウム(μc-Ge:H)の核形成及び成長評価, 第29回アモルファス物質の物性と応用セミナー, p.112-113, 東京, 11月2002年
  249. 牧原克典、竹内耕平、池田弥央、村上秀樹、宮崎誠一, 導電性カンチレバーを用いた微結晶ゲルマニウム(μc-Ge:H)の核形成及び成長評価, 第63回秋季応用物理学会, 24p-ZM-14, p.847, 新潟, 9月2002年
  250. 高瀬浩一、小矢野幹夫、佐藤憲、牧原克典、清水智弘、高橋由美子、高野良紀、関沢和子, オキシ硫化物(LaO)CuSの電気抵抗とフォトルミネッセンススペクトル, 日本物理学会 第57回年次大会, 26pPSB-7, 東京, 3月2002年
  251. 牧原克典、清水智弘、高橋由美子、高瀬浩一、高野良紀、関澤和子, LaOCuSにおけるLaおよびCuサイトの同時置換効果, 日本物理学会 2001年秋季大会, 17pPSA-34, 徳島, 9月2001年
  252. 高瀬浩一、清水智弘、松本和弥、牧原克典、高野良紀、関澤和子, オキシ硫化物La1-xCaxOCu1-xNixSの輸送現象, 日本物理学会 第56回年次大会, 28aTC-1, 東京, 3月2001年

特許

  1. 「半導体薄膜およびその製造方法」、出願番号:特願2012-041844、出願日:2012年2月28日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、林司、出願人:日新電機株式会社
  2. 「結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法」、特許公開番号:特開:2010-232401、公開日:2010年10月14日、出願番号:特願2009-77922、出願日:2009年3月27日、発明者:岡田竜弥、牧原克典、宮崎誠一、出願人:国立大学法人 広島大学
  3. 「半導体製造装置、ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法」、特許公開番号:特開:2010-153610、公開日:2008年7月8日、出願番号:特願2008-330524、出願日:2008年12月25日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、出願人:国立大学法人 広島大学
  4. 「金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法」、特許公開番号:特開:2010-153612、公開日:2008年7月8日、出願番号:特願2008-330536、出願日:2008年12月25日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、出願人:国立大学法人 広島大学
  5. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、特許公開番号:特開:2008-270705、公開日:2008年11月6日、出願番号:特願2007-236635、出願日:2007年9月12日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  6. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、出願番号:PCT/JP2007/001361、出願日:2007年12月6日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  7. 「半導体素子」、特許公開番号:特開2008-288346、公開日:2008年11月27日、出願番号:特願2007-131078、出願日:2007年5月16日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、村上秀樹、出願人:国立大学法人 広島大学
  8. 「半導体素子」、出願番号:PCT/JP2007/001360、出願日:2007年12月6日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、村上秀樹、出願人:国立大学法人 広島大学
  9. 「バイオセンサーおよびその製造方法」、出願番号:特願2008-77082、出願日:2008年3月25日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、村上秀樹、出願人:国立大学法人 広島大学
  10. 「発光素子およびその製造方法」、出願番号:特願2008-70602、出願日:2008年3月19日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  11. 「発光素子およびその製造方法」、出願番号:12/212,406(US)、出願日:2008年9月17日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  12. 「半導体製造装置、ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法」、出願番号:特願2008-330524、出願日:2008年12月25日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、出願人:国立大学法人 広島大学
  13. 「金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法」、出願番号:特願2008-330536、出願日:2008年12月25日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、池田弥央、島ノ江和広、出願人:国立大学法人 広島大学
  14. 「結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法」、出願番号:特願2008-77922、出願日:2009年3月27日、発明者:岡田竜弥、牧原克典、宮崎誠一、出願人:国立大学法人 広島大学
  15. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、出願番号:特願2008-538611、出願日:2008年3月26日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  16. 「半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法」、出願番号:PCT/JP2008/000740、出願日:2008年3月26日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  17. 「測定装置および測定方法」、出願番号:特願2008-552633、出願日:2008年7月31日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学
  18. 「測定装置および測定方法」、出願番号:PCT/JP2008/002067、出願日:2008年7月31日、発明者:牧原克典、宮崎誠一、東清一郎、出願人:国立大学法人 広島大学

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